Si—Si3N4—SiO2钝化工艺及其应用

介绍了ＬＰＣＶＤ法Ｓｉ３Ｎ４膜与ＰＥＣＶＤ法ＳｉＯ２膜的淀积工艺，以及Ｓｉ－Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用，并指出了工艺的适用范围。     

1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀     

ECR—PECVD制备Si3N4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光学强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着帝积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％，测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度，利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应，初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄     

ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si3N4钝化膜的应用研究

利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术将Ｓｉ３Ｎ４薄膜成功地应用于ＵＨＦ大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Ｓｉ３Ｎ４膜的钝化机理。     

低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜

本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。     

ECR－PECVD制备Si_3N_4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％。测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度。利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应。初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的超高频大功率晶体管器件中作为钝化膜的应用研究。     

氮化硅薄膜的表面平整度特性

本文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布；由Ｔｅｌｓｔｅｐ－Ｈｏｂｂｓｏ轮廓仪研究了ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面特性。结果表明ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的氮化硅薄膜是一种表面均匀平整度好的薄膜。     

TE光电阴极制作技术的研究

对ＴＥ光电阴极制作工艺中存在的肖特基结热退化现象以及为了实现ＴＥ阴极器件化，设计了超高真空激活系统和制作工艺流程，并采用ＰＥＣＶＤ－Ｓｉ３Ｎ４绝缘膜和多次蒸银方法彻底消除了热退化现象，从而实现在真空系统内场助电极的原位连接和阴极的激活，为实现ＴＥ光电阴极器件的分离打下基础。     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

PECVDSi_3N_4钝化工艺的正交优化

以正文优化试验对ＰＥＣＶＤ工艺进行了最佳淀积条件的优化选择实验，经对最佳条件下所淀积的Ｓｉ＿３Ｎ＿４介质膜进行的科学而严格的光谱、理化特性测定证实了膜体质量是优良的，并在工艺生产中应用获得了十分满意的结果。     

氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。     

一种新型氮化硅氢离子敏器件及其特性

新型氮化硅氢离子敏器件采用ＰＥＣＶＤ法淀积ＳｉＮｘＨｙ膜同时作敏感膜与二次钝化保护膜。改善了器件的密封性能；敏感灵敏度β＝５６￣６０ｍＶ／ｐＨ，比用ＬＰＣＶＤ法淀积的Ｓｉ３Ｎ４膜提高１４％，β的线性度有明显改善；响应时间也缩短一倍。     

Hopfield神经网络在B-ISDN路由选择中的应用

宽带综合业务数字网（Ｂ－ＩＳＤＮ）采用异步转移模式（ＡＴＭ）作为其传输技术,引入了虎通道（ＶＰ）和虚通路（ＶＣ）概念。本文针对Ｂ－ＩＳＤＮ中的ＶＰ路由问题,提出了一种基于Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络的ＶＰ路由选择算法,给出了神经网络能量函数的表示方法及神经元的状态方程。计算机模拟结果表明,本算法能根据网络的物理结构和业务需求情况,快速、有效地实现ＶＰ路由选择,提高网络的生存性。     

nc—Si：H／c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管。在１０￣１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性。结果指出，当反身偏压为－７￣－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中具有无序排布且粒长大小不一的Ｓｉ微晶粒子，由于微晶粒子中能级的量     

爱普生新款投影机

日前,ＥＰＳＯＮ在国内发布了两款多媒体液晶投影机新品：便携式投影机ＥＭＰ－７２００和手提式投影机ＥＭＰ—７５００。ＥＰＳＯＮＥＭＰ－７２００提供真正ＸＧＡ级,亮度达１０００ＡＮＳＩ流明,分辨率为１０２４×７６８,能够在ＣＡＤ／ＣＡＭ和计算机图形图像应用中呈现高质量画面;支持各种通用影像规格：ＮＴＳＣ４．４３、Ｍ—ＰＡＬ、Ｎ－ＰＡＬ及ＮＴＳＣ３．５８、ＰＡＬ和ＳＥＣＡＭ。ＥＭＰ－７５００与笔记本电脑和便携屏幕一起组成流动会议系统,提供真正ＸＧＡ分辨率１０２４×７６８的输出,高效ＵＨＥ灯泡能够提供更…     

用SiH_4-N_2进行PECVD生长高质量SiN研究

用ＳｉＨ４┐Ｎ２进行ＰＥＣＶＤ生长高质量ＳｉＮ研究刘英坤李明月（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）１引言众所周知，氮化硅薄膜，尤其是低温等离子体淀积的氮化硅薄膜ＰＥＣＶＤ—ＳｉｘＮｙ，因其良好的物理化学性质和优越的制备工艺，在现代半导体器...     

Hopfield神经网络在B—ISDN路由选择中的应用

宽带综合业务数字网（Ｂ－ＩＳＤＮ）采用异步转移模式（ＡＴＭ）作为其传输技术,引入了虎通道（ＶＰ）和虚通路（ＶＣ）概念。本文针对Ｂ－ＩＳＤＮ中的ＶＰ路由问题,提出了一种基于Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络的ＶＰ路由选择算法,给出了神经网络能量函数的表示方法及神经元的状态方程。计算机模拟结果表明,本算法能根据网络的物理结构和业务需求情况,快速、有效地实现ＶＰ路由选择,提高网络的生存性。     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用

介绍了光化学汽相淀积法的原理以及ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律，特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜，Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。