振荡器谐振回路的参数选择

针对振荡器谐振回路参数的选择较多地依赖于经验的问题,提出了从振荡器的等效电路出发,得到了描述振荡器的非线性微分方程,通过引入随机项来描述振荡器的内部电噪声,由此建立了用于分析振荡器行为的非线性随机微分方程。并针对遗传算法对振荡器谐振回路参数的优选结果,采用10MHz的Pierce晶体振荡器,得出了实证依据。当C1和C2比较接近时,Pierce振荡电路中的相位噪声可得到更好的抑止。     

高性能SAW振荡器的频率稳定性

近几年来,高稳定性SAW振荡器的研制已取得了重大的进展,能对密封的SAW谐振器精确地进行频率调整,SAW振荡器的频率稳定性也有了显著的改进。500MHz SAW谐振振荡器的相位噪声达到了-184dBc/Hz,同时在10Hz的载波偏置条件下,闪变效应噪声为-83dBc/Hz。在±150kHz调谐范围内,验证了400MHz SAW延迟线振荡器样机的相位噪声为-170dBc/Hz,在10Hz的偏置条件下,其闪变效应噪声电平为-70dBc/Hz。检测到SAW器件的振动灵敏度为10~(-10)/g量级,最近还对采用混合电路的900MHz SAW谐振振荡器进行了同样的振荡灵敏性检测。按规定制作的500MHz SAW谐振振荡器的长期频率稳定性高达±1ppm/a。     

微波压控振荡器的发展与选用

介绍微波压控振荡器的发展情况和性能参数的特点及选用时应注意的问题。     

射频应用的压控振荡器相位噪声的研究

相位噪声是压控振荡器（VCO）的关键参数之一。本文阐述了VCO相位噪声的特性，分析了时不变和时变两种相位噪声模型，给出了优化相位噪声的方法。     

超低相噪光电振荡器及其频率综合技术研究

该文提出一种基于级联相位调制器的注入锁定光电振荡器及其频率综合系统。该文提出的光电振荡器利用相位调制实现调制器输出光谱展宽并保持光纤中传播功率恒定,降低光纤非线性效应引入的强度噪声。采用双输出MZI级联平衡探测器的结构完成相位调制到强度调制的转化,提高系统的信噪比,实现频率为9.9999914 GHz、边模抑制比大于85 dB、10 kHz频偏相位噪声为–153.1 dBc/Hz的超低相位噪声信号输出。此外,还基于所提出的超低相位噪声光电振荡器构建了宽带、高性能频率综合系统。联合DDS和PLL的混合锁相技术,所提出频率综合器的输出频率成功覆盖5.9～12.9 GHz,相位噪声达到–130 dBc/Hz@10 kHz,杂散抑制比优于65 dB,跳频时间小于1.48 μs。      

适用于2．4GHz锁相环LC压控振荡器设计

本文设计了一种适用于2．4GHz锁相环的LC压控振荡器,采stoic0．13ffCMOS工艺,中心频率2．4GHz,频率调谐范围136MHz,在1．8v电压下工作时,静态电流为5mA,在偏离中心频率1MHz处,测得相位噪声为-111dBc／Hz。     

基于YIG振荡器的宽带频率综合器设计

针对提出的频率综合器性能指标要求,对基于钇铁石榴石(YIG)振荡器的C波段频率综合器的设计方案进行了简要介绍。采用混频环的方式并选用低相噪的YIG振荡器,降低了分频比和相位噪声。建立了混频环的相位噪声模型,对相位噪声进行了分析和估算。介绍了关键器件YIG振荡器和辅助环锁相芯片HMC698LP5的应用,给出了实验测试结果并进行了分析。该设计已在工程实际中得到了应用和验证,对于其他频段的高性能频率综合器设计有一定借鉴作用。     

低功耗低噪声正交压控振荡器设计

设计了一种用于WLAN 802.11 n收发机频率合成器的新颖低功耗、低相位噪声正交输出LC电压控制振荡器(QVCO)。电路设计中使用了Cadence IC5.033和ADS2004软件以及TSMC0.18μm CMOS工艺模型库,电路依靠并联的耦合支路相互作用使两个独立压控振荡器输出相位成正交,采用PMOS并联耦合支路和开关控制偏置两种新技术降低了VCO的相位噪声,其仿真结果为1 MHz频偏处-128.6 dBc/Hz和10 kHz频偏处-84 dBc/Hz。采用数字电容阵列提高了QVCO的频率调谐范围,QVCO的频率范围仿真结果为3.1 GHz~4.1 GHz。QVCO的电源电压为1.8 V,功耗17 mW。实现了低功耗正交输出压控振荡器,同时通过新颖的电路设计技术改善了相位噪声,改变了正交输出LC压控振荡器高噪声的传统观念,为今后在正交输出LC压控振荡器的设计提供了一些参考。     

一种1.2GHz～2.8GHz环形振荡器设计

压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)是锁相环的关键模块之一,其性能极大地影响锁相环的性能。该文利用宏力(GSMC)0.18μm CMOS工艺设计了一种环形压控振荡器,该环形振荡器采样三级差分反相延时单元构成,频率范围为1.2GHz~2.8GHz。仿真结果表明,该环形振荡器的相位噪声为-94.6dBc/Hz@1MHz。     

基于CMOS工艺的低相噪宽带压控振荡器设计

采用CSMC0.18μm混合信号工艺。设计了一款应用于频率综合器的单片集成宽带压控振荡器。电路采用互补交叉耦合结构,各部分都经过精心构架,如管子的尺寸,元件的布局,电流源的大小等等,以获得最佳的相位噪声性能。振荡器采用多段调节的方式,实现1.5～2.1GHz的宽带调谐。仿真结果表明,在电源电压1.8V的情况下,压控振荡器的中心频率为1.8GHz。中心频率附近(600kHz),相位噪声达到-121dBc/Hz,振荡器的工作电流为1.4mA。     

光电振荡器的性能及应用

在对光电振荡器(OEO)的工作原理和特性进行阐述和分析的基础上,总结回顾了边模抑制、降低相位噪声、提高频率稳定性等改善光电振荡器性能的各种技术手段和方案,评述了基于光电振荡器的光脉冲产生、时钟提取等应用,讨论了制约光电振荡器实用化的因素,提出了可能的发展方向和改进措施.     

光电振荡器的原理及其实验研究

光电振荡器应用了光电混合的技术手段,通过光纤储能和延迟的方法可实现频率精度、稳定度、相位噪声都显著优于常规微波介质振荡器的一种新型振荡源.简要介绍了光电振荡器的基本原理和研究现状,并应用内调制激光器和长光纤环结构进行了实验研究,得到了相位噪声优于-112 dBc/Hz@10 kHz、线宽＜1 Hz的高性能微波信号输出.     

射频应用的压控振荡器相位噪声的研究

相位噪声是压控振荡器(VCO)的关键参数之一。阐述了VCO相位噪声的特性,分析了时不变和时变两种相位噪声模型,给出了优化相位噪声的方法。     

基于CMOS工艺的低相位噪声LC压控振荡器

介绍了一种用于锁相环型频率合成器的单片集成LC压控振荡器。该压控振荡器在传统的电路结构基础上进行了改进,在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。压控振荡器使用了片上集成螺旋电感,采用中芯国际(SMIC)0.35μm 1P6M混合信号CMOS工艺。测试结果表明,该压控振荡器的可调频率为3~3.55 GHz,在3.55 GHz中心频率附近的相位噪声达到-128 dBc/Hz(600 kHz),整个压控振荡器的工作电压为3.3 V,工作电流为13 mA。     

双晶体谐振器振荡器的相位噪声特性

本文详细地讨论了双晶体谐振荡器（双晶振荡器）的相位噪声特性。对于闪变噪声而言，由于双晶体谐振器短期频率噪声的互不相干性，噪声指标将得到１０ｌｏｇ２或２０ｌｏｇ２的改善，对于白底噪声而言，由于双晶体谐振器总驱动电平的增加，噪声指标将得到１０ｌｏｇ２的改善。双晶振荡器的实验数据也证实了上述的理论，同时，本文还给出了双晶振荡器的温补特性和宽压控频率范围特性。     

9～11GHz数字控制LC振荡器

采用TSMC65nm CMOS工艺设计了用于全数字频率综合器、频率覆盖范围8.95～11.02GHz的数字控制LC振荡器。为了减小相位噪声,本设计采用了带有尾电感的互补型LC振荡器结构;振荡器的可编程电容阵列被分成3组,以此来配合数字频率综合器的3个频率锁定过程。在电源电压为1V的情况下,振荡器的功耗为3.53mW。测试结果显示,该数字控制LC振荡器实现了40kHz的频率精度,当输出频率为9.38GHz时,在1MHz频偏处,相位噪声为-111.02dBc/Hz。     

一种高性能X波段介质振荡器

详细介绍了Ｘ波段介质振荡器（ＤＲＯ）的设计方法、实验过程和测试结果。此种高性能ＤＲＯ在控制相位噪声等方面取得一定成绩。     

1.8 GHz相位噪声优化的差分压控振荡器

针对DCS-1800标准，设计了应用于频率综合器中的差分压控振荡器。采用噪声滤波器，降低了VCO的相位噪声；采用片上电感，压控振荡器可以单片集成。其可调频率为1660～1815MHz，在偏置频率为600kHz的条件下，仿真测得的相位噪声为-125dBc／Hz。整个VCO的工作电压为2．5V，工作电流为6mA。