p—^11B三体级联衰变连续能谱测量与干净聚变核能源

借助ＰＩＰＳ新型探测器和ΔＥ穿透型探测器，首次得到１１Ｂ（ｐ，２α）４Ｈｅ级联衰变连续能谱，为准确获得ｐ－１１Ｂ截面测量提供了实验依据。同时利用系统能量分辨率达１３．９ｋｅＶ的带电粒子谱仪对另一影响截面精确度的因素——靶成份进行了实验分析。     

半导体硼柱形微靶电火花加工技术

在惯性约束聚变研究中,硼的柱形微靶可作为黑腔填充材料。本文通过电火花铣削加工技术,采用含碳较高的电介质,利用导电性能较好的钨钢作电极材料,实现了半导体硼柱形微靶加工。通过奥林巴斯测量显微镜对硼柱直径进行了测量,测量结果表明,硼柱的直径加工精度可控制在小于±10μm。采用扫描电镜对形貌进行了分析,结果表明,加工前后硼的表面形貌未改变。通过能谱分析了硼柱表面的导电层成分及通过X射线能谱(XPS)分析了碳元素价态,结果表明,电火花铣削加工过程中,由于电介质分解生成游离态的碳及电极材料熔融后沉积在硼表面,形成辅助导电层,通过对辅助导电层加工,产生的瞬时高温使硼熔融气化,从而实现对半导体硼的加工。     

硼靶制备技术的研究

介绍Ｂ靶制备技术及其质量厚度测量方法,静电振动,高压电喷和离心沉淀主极用于制备有衬Ｂ靶,而聚焦重离子束溅射和电子轰击可用来制备自支撑Ｂ靶和有衬Ｂ靶,Ｂ靶的质量厚度用分光光度法和称重法测量。     

10~(12)n/s氘氚聚变中子发生器旋转氚靶设计与传热分析

本文设计一种用于1012 n/s量级氘氚中子发生器HINEG(High Intensity Neutron Generator)的旋转氚靶系统,对该系统的技术难点、机械和冷却方案等进行介绍,给出了该靶系统的设计关键指标参数,并利用CFD方法对该旋转靶系统的传热过程进行三维模拟和分析。分析结果表明,该靶系统在稳定运行时,靶片最高温度为48℃,靶系统采用的冷却方案可以有效地实现靶系统的散热,不会发生氚的大量释放和靶片熔毁。     

浮液法制备惯性约束聚变靶用聚苯乙烯空心微球

介绍了惯性约束聚变靶用聚合物微球制备方法及常用聚合材料的特性。以聚苯乙烯为成球物质了乳液法制备ＰＳ空心微球的制备民溶液配方，并对影响产品微球产率及质量等的主要因素进行了初步探讨。该法制得的空心塑料微球样品的主要技术指标均已达到ＩＣＦ制靶要求。     

惯性约束聚变用合金薄膜靶制备方法

阐述了与制备惯性约束聚变（ICF）用合金薄膜靶有关的理论和方法,讨论了ICF合金薄膜靶制备中存在的问题与解决方案。对制备方法的选择、组成合金薄膜的性质与结构和成分分布的关系进行了分析及讨论。     

惯性约束聚变低温冷冻氘氚靶制备技术

低温冷冻氘氚靶对于惯性约束聚变研究至关重要,主要有塑料微球靶、金属铍球靶、泡沫球壳靶等。根据微球球壳材质的不同,采用不同的低温冷冻氘氚靶制备技术。塑料微球靶采用“高压充氘氚-冷冻法”或“充气管充气法”;金属铍球靶采用“低温、低压冷凝法”或“高温、高压扩散连接半球壳法”;多孔泡沫球壳靶采用“球壳材料吸附氘氚液体法”。本文简述上述技术和方法的发展状况和趋势。     

惯性约束聚变用聚酰亚胺靶丸的研究进展

综述了近年来国内外在惯性约束聚变实验用聚酰亚胺(PI)靶丸方面的研究与应用进展情况.从ICF实验用靶的性能要求、常用PI的化学结构、PI靶丸的装配方法以及目前PI靶丸应用过程中存在的问题等几个方面进行了论述.在此基础上提出了PI靶丸的研究方向.     

聚变驱动次临界堆经济性分析

利用自主开发的聚变系统分析软件SYSCODE对聚变驱动次临界堆的经济性进行了计算和分析。首先,对典型的环径比(标准环径比)设计方案,从堆芯几何参数、物理及工程参数等两个方面分析它们与成本的关系,然后,详细分析低、标准、高环径比三套候选设计方案的经济性与中子学参数的关系。研究发现,其经济性主要取决于包层中子学参数,另外,其经济性与几何、物理及工程参数的关系在一定条件下有别于纯聚变系统。     

聚变驱动次临界堆聚变堆芯参数设计与分析

在建立零维堆芯物理模型的基础上,计算了FDS系统三组环径比(低、标准、高)的堆芯物理参数,利用平衡程序和1.5维演化程序对标准环径比情况,进行了等离子体平衡计算和位形演化模拟,结果表明设计方案先进可行。     

国内外聚变核安全监管与许可初步分析研究

中国政府高度重视聚变发展,安全是聚变能发展的生命线,而核安全监管和相关许可制度是确保聚变能安全发展的必要手段。聚变堆具有其独特的安全特性,无法完全照搬目前基于裂变堆建立起来的法律法规等监管制度。本文初步梳理了国际(含ITER、国际原子能机构、国际能源署、欧盟、美国、韩国等)关于聚变核安全监管和许可的研究进展和相关经验,总结了我国目前在聚变核安全监管与许可方面的现状与存在的问题,为我国聚变核安全监管提出了发展建议。     

聚变堆氚分析程序TAS1.0的设计与开发

氚是聚变堆的重要燃料之一,对聚变堆氚系统进行分析从而实行有效的氚控制是聚变研究的重要内容之一.在中国系列液态金属锂铅包层聚变堆概念设计研究基础上,利用现代软件工程方法及面向对象技术设计思想,发展了聚变堆氚分析程序TAS1.0,可用于聚变堆氚自持分析、氚燃料管理及氚安全性分析与研究,并可为聚变堆包层及燃料循环系统设计与分析提供技术支持.通过一系列的测试校验,表明了该程序的正确性与有效性.本文主要介绍该程序的系统设计、技术特点与程序测试.     

磁控溅射制备成分渐变Au/Cu复合涂层的研究

在JGP560型高真空多功能磁控溅射设备上,利用直流磁控溅射法,通过控制共溅射时Au靶和Cu靶的功率变化,在平面基片和微球表面制备了一系列成分渐变的Au/Cu涂层,并用扫描电子显微镜和能量色散X射线荧光光谱仪对涂层的微观结构和成分进行了测试分析。分析结果表明：涂层内部的晶粒生长随Au和Cu含量的变化呈现出3个不同的区域;涂层中Au和Cu含量随涂层厚度的增加呈近线性变化的趋势;涂层内部晶粒之间结合紧密;涂层厚度均匀性良好,表面光洁。     

硼聚乙烯与铅硼聚乙烯屏蔽性能测试与模拟分析

对屏蔽材料硼聚乙烯、铅硼聚乙烯进行了γ射线、241 Am-Be源中子的屏蔽性能测试,再用蒙卡软件MCNP对材料的屏蔽测试过程进行模拟分析.结果表明模拟结果与实测值相符很好,实测铅硼聚乙烯对60Co与137Cs的γ射线线衰减系数分别为0.212 cm-1和0.381 cm-1,模拟的线衰减系数为0.209 cm-1和0.370 cm-1;硼聚乙烯对241Am-Be源中子的宏观分出截面计算值与实测值分别为0.197 cm-1和0.193 cm-1,铅硼聚乙烯计算值与实测值分别为0.181 cm-1和0.173 cm-1,说明铅硼聚乙烯对中子和γ射线均具有很好的屏蔽效果,用MCNP软件可模拟屏蔽材料对中子和γ射线的屏蔽性能.     

硼在比色分析中的反应特征

本文叙述了硼与姜黄素、次甲基蓝、胭脂红酸、甲亚胺、1,1-二蒽醌亚胺、HPTA、乙基紫在比色分析中的反应特征。     

浓缩硼同位素的化学提纯与质谱分析

一、引言 在核燃料循环中,准确地测定硼同位素丰度及确定核燃料产品中硼含量具有重要意义。 关于硼的化学提纯方法有蒸馏法、萃取法,离子交换法,汞阴极电解法等,其中蒸馏法能使硼与其他杂质元素分离比较完全,而且,操作简便、重复性好、适应范围广。本工作用蒸馏法提纯浓缩硼元素获得了比较满意的结果。     

离子注入、分析联用靶室

近年来,离子注入和离子束分析技术,应用相当广泛,已扩展到许多新的领域,形成了一种多学科性的边缘学科。 离子注入已作为一种成熟的技术广泛地应用在半导体工业上,在半导体制造工艺方面,它比传统的热扩散法显示出多方面的优越性。同时在材料改性方面也引起人们的极大兴趣,许多金属部件在实际使用时起作用的是金属表面的性质,而离子注入正好是能够改变金属表面性质(如硬度、磨损、腐蚀等)的有效途径。此外,离子注入技术用来改变光学表面指定区域的反射率、折射率,这在“集成光学”中是一项有效技术,也有人利用离子注入技术研制记忆元件(如磁泡)以及提高超导材料的超导性能等。