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借助PIPS新型探测器和ΔE穿透型探测器,首次得到11B(p,2α)4He级联衰变连续能谱,为准确获得p-11B截面测量提供了实验依据。同时利用系统能量分辨率达13.9keV的带电粒子谱仪对另一影响截面精确度的因素——靶成份进行了实验分析。 相似文献
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在惯性约束聚变研究中,硼的柱形微靶可作为黑腔填充材料。本文通过电火花铣削加工技术,采用含碳较高的电介质,利用导电性能较好的钨钢作电极材料,实现了半导体硼柱形微靶加工。通过奥林巴斯测量显微镜对硼柱直径进行了测量,测量结果表明,硼柱的直径加工精度可控制在小于±10μm。采用扫描电镜对形貌进行了分析,结果表明,加工前后硼的表面形貌未改变。通过能谱分析了硼柱表面的导电层成分及通过X射线能谱(XPS)分析了碳元素价态,结果表明,电火花铣削加工过程中,由于电介质分解生成游离态的碳及电极材料熔融后沉积在硼表面,形成辅助导电层,通过对辅助导电层加工,产生的瞬时高温使硼熔融气化,从而实现对半导体硼的加工。 相似文献
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浮液法制备惯性约束聚变靶用聚苯乙烯空心微球 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了惯性约束聚变靶用聚合物微球制备方法及常用聚合材料的特性。以聚苯乙烯为成球物质了乳液法制备PS空心微球的制备民溶液配方,并对影响产品微球产率及质量等的主要因素进行了初步探讨。该法制得的空心塑料微球样品的主要技术指标均已达到ICF制靶要求。 相似文献
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惯性约束聚变用聚酰亚胺靶丸的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了近年来国内外在惯性约束聚变实验用聚酰亚胺(PI)靶丸方面的研究与应用进展情况.从ICF实验用靶的性能要求、常用PI的化学结构、PI靶丸的装配方法以及目前PI靶丸应用过程中存在的问题等几个方面进行了论述.在此基础上提出了PI靶丸的研究方向. 相似文献
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对屏蔽材料硼聚乙烯、铅硼聚乙烯进行了γ射线、241 Am-Be源中子的屏蔽性能测试,再用蒙卡软件MCNP对材料的屏蔽测试过程进行模拟分析.结果表明模拟结果与实测值相符很好,实测铅硼聚乙烯对60Co与137Cs的γ射线线衰减系数分别为0.212 cm-1和0.381 cm-1,模拟的线衰减系数为0.209 cm-1和0.370 cm-1;硼聚乙烯对241Am-Be源中子的宏观分出截面计算值与实测值分别为0.197 cm-1和0.193 cm-1,铅硼聚乙烯计算值与实测值分别为0.181 cm-1和0.173 cm-1,说明铅硼聚乙烯对中子和γ射线均具有很好的屏蔽效果,用MCNP软件可模拟屏蔽材料对中子和γ射线的屏蔽性能. 相似文献
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本文叙述了硼与姜黄素、次甲基蓝、胭脂红酸、甲亚胺、1,1-二蒽醌亚胺、HPTA、乙基紫在比色分析中的反应特征。 相似文献
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一、引言 在核燃料循环中,准确地测定硼同位素丰度及确定核燃料产品中硼含量具有重要意义。 关于硼的化学提纯方法有蒸馏法、萃取法,离子交换法,汞阴极电解法等,其中蒸馏法能使硼与其他杂质元素分离比较完全,而且,操作简便、重复性好、适应范围广。本工作用蒸馏法提纯浓缩硼元素获得了比较满意的结果。 相似文献
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近年来,离子注入和离子束分析技术,应用相当广泛,已扩展到许多新的领域,形成了一种多学科性的边缘学科。 离子注入已作为一种成熟的技术广泛地应用在半导体工业上,在半导体制造工艺方面,它比传统的热扩散法显示出多方面的优越性。同时在材料改性方面也引起人们的极大兴趣,许多金属部件在实际使用时起作用的是金属表面的性质,而离子注入正好是能够改变金属表面性质(如硬度、磨损、腐蚀等)的有效途径。此外,离子注入技术用来改变光学表面指定区域的反射率、折射率,这在“集成光学”中是一项有效技术,也有人利用离子注入技术研制记忆元件(如磁泡)以及提高超导材料的超导性能等。 相似文献