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<正> 1.UC3842AN(UC3843AN)高性能电流型固定频率开关电源控制器 特点 UC3842AN(UC3843AN)为MOTOROLA公司生产的高性能电流型固定频率开关电源控制器,它特别适用于离线及DC-DC变换器的场合,具有低电压锁定功能(UVLO);最大输出高电压为12V;最小输出低电压为0.4V;参考电压为5V(4.9～5.1V);最大振荡频率为60kHz;电流模式工作频率达500kHz;具有欠压锁存;低启动和工作电流;输出电压上升时间(最大)为150ns;输出电压下降时间(最大)为150ns;精密的振荡器放电电流,精确控制占空比为0～94％。 结构框图 结构框图如图1所示,UC3842AN与     

介质阻挡激发冷等离子体的放电特性研究

介质阻挡放电是目前常压下最稳定、安全且成本最低的产生冷等离子体的方式。为了研究其放电特性,在分析了其等效模型的基础上,搭建了一台高频高压电源,采用同轴圆筒电极结构,实验研究了在不同电极长度以及不同输入电压情况下的输出电流、电压和放电剧烈程度等特性。实验结果表明：电极长度相同时,输入电压越大,输出电流越大,放电越剧烈;输入电压相同时,电极长度越长,放电剧烈程度几乎保持不变,输出电流越大。实验结果符合其等效模型分析。     

碳纳米管微电极的直流介质阻挡放电特性

研究了一种基于碳纳米管尖端的直流介质阻挡放电(DBD)微结构,使用MEMS加工工艺制作出深宽比0.5的侧壁相对的叉指状金属电极,在电极上电泳多壁碳纳米管,采用真空磁控溅射沉积二氧化硅介质层。在大气压下测试了所制备的DBD微结构样品的直流放电基本特性。实验结果表明,在几伏特的直流加载电压下即可检测到纳安量级的放电电流,并且放电电流对人体呼吸和环境气体变化有明显响应。放电起始电压小于10V并显现出明显的抑制电流自由增长的DBD放电特征,但电流下降持续时间达102～103s量级,大于常规常压DBD时间,显示出碳纳米管尖端的特异效应。     

一种新型的CMOS集成湿度传感器

利用MEMS技术 ,对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论。该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造 ,采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构 ,衬底接地 ,感湿介质采用聚酰亚胺 ,利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图。接口电路采用开关电容电路 ,输出可测电压信号 ,利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系     

一种新型的CMOS集成湿度传感器

利用MEMS技术,对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论.该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造,采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构,衬底接地,感湿介质采用聚酰亚胺,利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图.接口电路采用开关电容电路,输出可测电压信号,利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系.     

GaAs基辐射福特效应电池电极图案设计

研究了串并联电阻对太阳能电池和β伏特效应电池的影响, 并在此基础上提出了GaAs基β伏特效应电池的电极图案设计原则。在该原则的指导下设计了一批GaAs基PIN结的电极图案,测试了这些PIN结在⁶³Ni源辐照下的输出特性。与传统的梳状电极相比,本文电极设计可以降低对⁶³Ni辐射β粒子的反散射和阻挡作用,有效的增加了电池的输出电流,而这种电极设计不会对电池的开路电压,填充因子和理想因子带来不利的影响。     

一种新型的CMOS集成湿度传感器

利用MEMS技术，对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论。该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造，采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构，衬底接地，感湿介质采用聚酰亚胺，利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图。接口电路采用开关电容电路，输出可测电压信号，利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系。     

静电放电参数对电极速度的相关性与机理分析

同步测量了带电人体手握金属小棒电极放电电流的参数和电极运动速度.金属小棒电极与靶电极相撞时的速度对放电电流参数(放电电流峰值、放电电流时间变化率的峰值、火花放电的弧长)的影响,用统计软件SPSS进行了考察,获得了在不同人体电压情况下小棒电极运动速度与放电参数的相关系数.结果表明:充电电压为0.3kV时,放电参数与电极运动速度无关.充电电压为0.5kV及其以上电压时,电极运动速度与放电电流峰值、电流最大上升斜率有极强的正相关性;与放电火花弧长有极强的负相关性.电极向靶的快速接近改变放电间隙的空气压强,改变间隙两端的电场强度,从而引起放电参数的显著变化.     

非接触静电放电测试低重复特性分析研究

基于自主研发的新型测试系统,对小间隙静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)中电极移动速度和气体压强引起放电参数的低重复离散特性进行探讨.新型测试系统采用机电一体化设计,解决了带电体与受电体高速相向运动与避免强烈撞击损坏仪器的难题,并实现对多种影响因素的有效测量.用新型测试系统测量了气体压强变化和向放电靶移动电极速度等放电参数.静电放电模拟器移动距离控制在(10～40 cm)的范围.电极移动速度变化(v)为14 cm/s,则放电电流峰值改变(J)达到0.5A,空气压强变化对放电电流最高峰值的影响十分明显,压强变化(p)为0.06个大气压时,则峰值电流变化(D为0.5A,证明了电极移动速度和空气压强对放电参数产生的影响;对放电参数受电极移动速度和气体压强变化而出现显著差异的可能机制给出了初步分析.     

响应[N(NH_3)_3]气体TiO_2敏感材料低阻化研究

通过N2气氛高温退火、Nb2O5掺杂和采用梳状电极结构等方法,成功提高了TiO2基敏感材料的电导率。实验证明,降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用梳状电极结构,可以在一定程度上减小器件阻值,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。     

高重复频率XeCl准分子激光器

我们实现高重复频率下运转的关键措施是采用电流上升时间很快的接地栅金属陶瓷间流管开关和磁耦合马达带动风机的气体横向流动系统。另外,张氏电极作为阳电极、阴电极是平极;由镀铅全反射镜和石英平板组成平—平谐振腔。当放电电压到31kV时测到激光器的最高单脉冲能量为200J,最高重复频率107pps;当重复频率提高到107pps时,测     

含氢电极真空电弧的放电特性

本文主要阐述了含氢电极真弧的放电特性实验研究。通过快速成像、电弧电压与电流的记录,研究它的电弧放电。研究证明较大的电弧电流的变化范围是电极的含氢量与其腐蚀量的直接关系造成的。结果表明含氢电极可降低腐蚀率,使弧坑的尺寸更小、改变宏观粒子的尺寸２、降低每个电弧的电流。如果给定一个电流,电弧电压就取决于电极含氢量的多少。低电流的电弧电压随着电极含氢量的增大而下降,而且含氢电极的电弧放电的燃弧点更稳定。由     

荫罩式等离子体复合放电驱动波形的研究

提出了一种适合三电极荫罩式PDP结构的新型高效复合放电驱动波形.采用二维流体模型研究了三电极荫罩式PDP结构复合放电驱动波形的放电过程,分析了空间电位、壁电荷及带电粒子分布的演变情况.讨论了复合放电驱动波形维持期寻址电极电压对放电特性的影响,计算了维持期真空紫外辐射功耗、放电效率的变化趋势以及电子平均浓度随时间的变化关系,并与传统表面放电驱动波形比较.结果表明复合放电驱动波形在响应频率、放电强度和放电效率等方面均优于传统表面放电驱动波形.     

掺氢溴化亚铜激光器动态阻抗的研究

重点用固定比例的氖氢混合气体研究和比较了掺H前后激光器的光电脉冲波形和等离子体动态阻抗.实验装置采用普通倍压充电通过闸流管放电电路.放电电压用Tektronix P6015A高压探头跨接于激光放电管电极测量(阳极接地),放电电流用Pearson Model 410 脉冲电流转换器套接在激光放电管阳极引线上探测,快响应光电二极管测光脉冲波形.实验分别在纯氖气和掺H 2%、2.5%的氖氢混合气体稳定流动的情况下进行,激光器稳定工作时,测量激光管电压和电流波形,以及激光脉冲波形,同时记录采样数据.实验结果表明,掺入2%的氢使放电激励的电压幅度增加了约34%,而电流脉冲幅度却下降了约23%,激励阶段激光放电管的等离子体阻抗增加了约3倍;光脉冲宽度明显增大. 我们认为H的加入改变了放电的微观过程,使得激光放电管中等离子体阻抗增加.再深入的研究表明 H对电子有很强的可剥离吸附作用,在放电余辉期,H吸附了大量的电子,导致电子密度减少,等离子体电阻增加,使激发态原子和离子能快速地消激励.(PC1)     

多带外传输零点微带带通滤波器设计

设计了一种梳状微带平行耦合线窄带带通滤波器,仅应用两腔结构就实现了带外5个传输零点.通过微带线开路枝节,平行耦合线结构,以及馈电位置和两个梳状线谐振器之间的耦合,在通带附近引入了3个传输零点;四分之一波长平行耦合线接地短路结构,在带外高频产生额外两个传输零点,进而可有效抑制零点频率附近的杂波干扰.实测结果表明,设计的滤...     

倒装结构大功率蓝光LEDs的研制

从器件制作角度入手，对基于Ⅲ族氮化物的功率型蓝光LEDs结构和电极体系进行了优化设计。采用梳状结构、高反电极体系及倒装焊技术，研制出大功率蓝光LEDs，在350mA工作电流下，工作电压为3．3～3．5V，输出功率达137．71mW，反向5V电压下的漏电流小于1μA。     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用真空蒸镀法和有机半导体材料酞菁铜,制作Au/CuPc/Al/ CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管.该三极管导电沟道垂直于CuPc薄膜,与采用MOSFET结构的有机薄膜三极管相比导电沟道大幅缩短,有利于克服有机半导体电学性能的缺点.实验结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性.其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构.通过合理设计、制作梳状铝电极,获得了良好的三极管静态、动态特性.     

带有声表面波梳状滤波器的电视调谐系统

从新的途径成功地研制出了两种采用SAW梳状滤波器的电视调谐系统。一是自动频道指示系统;另一是频率合成器。这种SAW梳状滤波器的梳状峯值位于信道频率处。对调谐器本振信号所通过的梳状峯值进行计数就可识别信道数。这种梳状滤波器的电极最小宽度只有1微米。它有制作在单片上的四组叉指换能器,可以复盖全部电视频道。     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用真空蒸镀法和有机半导体材料酞菁铜,制作Au/CuPc/Al/ CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管.该三极管导电沟道垂直于CuPc薄膜,与采用MOSFET结构的有机薄膜三极管相比导电沟道大幅缩短,有利于克服有机半导体电学性能的缺点.实验结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性.其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构.通过合理设计、制作梳状铝电极,获得了良好的三极管静态、动态特性.     

放电感应稳定的高效HF化学激光器

目前对大体积激活介质 HF( DF)化学激光器的兴趣很活跃。增大化学激光器激活体积的难度在于预电离 ,因为它要求提高抽运源的电压 ,从而导致电感增加 ,同样会增加放电的持续时间 ,使稳定性降低。为此迫切需要研制一种简单的电极组件结构 ,它可以形成均匀稳定的放电 ,而不需要专门的预电离装置。这一问题在用碳氢化合物 (碳化氘 )为基础的混合物中很快得到解决 ,取代了 H2 ( D2 )使体放电相当稳定。在不同的激活介质中 ,用半导体材料制成的电阻电极、平衡电阻及电感器来控制放电电流可以自持放电稳定 ,应用于各种气体激光器 [HF,Kr F( Xe…