用非对称屏蔽线实现LiNbO3光波导调制器

利用非对称微屏蔽实现了一种新型结构铌酸锂光波导调制。并将传统中用于鳍、微带线的谱域导抗法推广运用到这种以各向异性介质－－铌酸锂为基底的半封闭的传输线中，分析、计算了该结构的色散特性、半波电压和调制带宽。结果表明，利用该结构实现电光行波调制器可以在很宽的频带内有效地减小调制器的速度失配，增加了调制带宽，是一种可行的方案。     

用非对称微屏蔽线实现LiNbO_3光波导调制器

利用非对称微屏蔽线实现了一种新型结构铌酸锂光波导调制．并将传统中用于鳍线、微带线的谱域导抗法推广运用到这种以各向异性介质——铌酸锂为基底的半封闭的传输线中,分析、计算了该结构的色散特性、半波电压和调制带宽．结果表明,利用该结构实现电光行波调制器可以在很宽的频带内有效地减小调制器的速度失配,增加了调制带宽,是一种可行的方案．     

二次离子交换低损耗光波导调制器的研制

报导了二次离子交换玻璃光波导的制作及理论分析。为了便于定量分析,建立了一种合理的光波导系统的物理模型,得到了二次离子交换光波导的归一化折射率分布及不同交换时间形成的波导折射率分布。在此基础上,设计、制作Ｋ＾＋－Ｎ＾＋ａ二次离子交换热－光波导调制器,实现了低插入损耗的离子交换Ｍ－Ｚ型调制器。     

新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性

研究了新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性和馈电方式。针对N－I－N（P－I－P）型结构和P－I－N型结构的光波导阵列电光扫描器，导出了相应的馈电电压公式，提出了一种能最大限度降低驱动电压的新方法，并据此研制了4波导P－I－N阵列扫描器的控制电源，成功地进行了电光扫描实验。     

铌酸锂电光长周期波导光栅

该文对用铌酸锂制作电光长周期波导光栅的研究进展进行了综述.讨论了用铌酸锂制作长周期光栅的难点,介绍了解决此难点所用的特殊铌酸锂波导的制作原理和方法,再重点论述了对铌酸锂电光长周期波导光栅的研究,包括包层模阶数、铌酸锂波导的结构参数对光栅性能的影响以及光栅的谐振波长的温度灵敏度.研究表明铌酸锂长周期波导光栅的强度和谐振波长可分别由电压和温度调控,使该器件能进一步开发成为新型高速动态光滤波器或调制器.目前在最佳样品中实现25 dB光栅强度调控所需的驱动电压不超过49 V,其谐振波长的温度灵敏度为-1.0 nm/C.     

宽带集成光波导放大器的结构设计

对带薄膜滤波器宽带集成光波导放大器的结构进行了设计,并对单程、双程与多程三种放大器结构加以比较,单程结构的特点是结构简单、制作方便,不足之处是增益不高;双程结构特点是器件的整体增益较高但制作不方便,将两者优点结合得到多程波导放大器结构,分析表明多程宽带集成光波导放大器结构是一种较理想的结构。     

一种基于微型谐振腔的环形光探测器的设计

提出了一种基于微型谐振腔的新型环形光探测器,该探测器结构紧凑,较之RCE型光探测器具有高速、高量子效率、易于平面集成等优点．导出了该探测器的量子效率的表达式,分析了环形光探测器半径对光谱的半高全宽（FWHM）的影响;分析了吸收腔厚度、环形光探测器宽度及半径对响应带宽的影响．结果表明,谐振腔的半径越大,FWHM越小,量子效率的峰值间隔越小;吸收腔的半径和波导宽度越大,响应带宽越小．     

1.31μmAPE光波导及其相关器件研究

利用退火质子交换技术对工作波长为1.31μm的X-切、Y-传LiNbO3单模光波导进行了实验研究与分析;测试了不同交换时间(te)与退火时间(ta)条件下的光波导近场模光强分布曲线;通过与单模光纤模场测试比较,获得了与单模光纤模场匹配的退火质子交换(APE)光波导,其中光纤-波导-光纤的插入损耗最低达到3.2dB;同时利用所研制的光波导制作了相位调制器与M-Z型强度调制器,并对其低频调制特性进行了测试。     

一种紧凑型多频段手机内置环形天线的设计

设计了一种应用于GSM850/900/GPS/DCS1800/PCS1900/UMTS2100多频段移动通信制式的紧凑型手机内置环形天线.整个天线结构包括一个弯折线形的折叠环形辐射体和T型背面耦合单元,其中环形辐射体由连接至微带馈线的T型单元通过电磁耦合机制激励.整个结构尺寸为114 mm×61.6 mm×6 mm,其中环形辐射体仅占空间61.6 mm×15 mm×6 mm,结构紧凑,适合满足移动手机狭小的空间要求.使用HFSS仿真软件设计和优化天线,并构建一个实际的测试模型.测量结果和仿真结果吻合良好,表明此天线能够满足实际需求.     

基于PSO模式搜索法的硅基光波导相控阵光束优化

为了解决硅基光波导相控阵的光束优化问题,提出了一种基于粒子群算法的模式搜索的优化算法.该算法在分析不等间距对硅基光波导相控阵在栅瓣抑制方面的效果后,通过优化相邻阵元间距,改善阵内相邻阵元间相位差,从而起到抑制栅瓣的效果.仿真结果表明,基于PSO模式搜索法的优化效果良好,峰值旁瓣电平(PSLL)的最大值能够有效降低,并且运算时间和迭代次数与单个算法相比都有明显提升.采用该算法对远场光强分布图进行的优化,能够有效地抑制栅瓣,并在光束优化方面具有应用潜力.     

磁力轴承旋转电磁场的有限元计算及分析

建立了磁力轴承旋转电磁场的二维有限元模型并进行求解,对不同转速和线圈电流条件下的磁力线分布以及气隙磁通密度进行了分析。结果表明:在NNSS型磁极布置形式中,转子旋转时,涡流场引起磁力线变形,导致一对磁极内的磁力线非对称分布,一极增磁,一极退磁,并在磁极对之间产生较强的磁耦合;当转子旋转时,气隙磁通密度同时受到线圈电流激励的主磁场和转子转速的影响。     

环形电流在非均匀磁场中的漂移

从非均匀磁场对于圆电流作用力的观点,运用矢量方法分析了非均匀磁场中作拉摩旋进的荷电粒子在垂直于磁场方向的漂移运动,得到的结果中包括熟知的由磁场梯度决定的漂移速度,并得出另一个与磁场旋度有关的新的漂移项,其对于分析磁约束中的高温等离子体的漂移不稳定性将有所帮助.     

LiNbO3光波导输出光场分布的测量

介绍了用二维扫描振镜测量LiNbO3光波导输出光场分布的方法。分析了影响测量准确性与空间分辨率的因素。同CCD摄像法比较,该方法具有更广的波长适应性。     

磁场气隙元有限元分析法

针对常用的有限元分析法在处理含空气隙磁场分布时，若忽略气隙将导致较大误差，或将气隙分划分成很小的三角单元会使有限元方程系数矩阵数增大等缺陷，引入了“气隙元”概念，描述了气隙元法的原理，导出了有限元计算公式，讨论了该法的应用范围及误差产生的原因，并给出了应用实例。     

基于电磁场理论对井下对讲机环天线的发射距离的研究

井下对讲机的环天线发射距离远近与天线的效率有关。基于电磁场理论对环天线电磁辐射场辐射功率的分析和集肤与邻近效应的分析,设计井下对讲机时应该采用增加天线匝数和加粗天线半径的方法来提高其的发射距离。     

磁场有限元计算微机软件的研制

本文介绍了最新研制成功的二维磁场有限元计算软件,该软件可计算平面场和轴对称场,可计算线性场和非线性场,可选刑矢量磁位或标量磁位,软件具有网格全自动生成和网格自适应功能,省去了使用者网格部分工作。软件对计算结果能进行直观的图形显示,软件能在IBM PC微机及兼容机上运行,适宜于推广使用。     

真空波导磁场控制型ECR溅射法的实验研究

微波电子回旋共振（delectroncyclotronresonance．ECR）等离子体溅射法是能在低温下制备高质量薄膜的最新镀膜技术．在该技术中,微波输入窗口易受金属粒子污染,导致微波在窗口反射,从而影响装置的正常工作。本文初步探讨了在ECR溅射装置中．采用真空波导与共振腔连成一体,在连接处配置磁轭（纯铁）．通过改变共振腔与波导连接处的磁场分布,能有效的避免微波窗口污染的技术途径,并较细致的研究了该装置的放电特性。     

磁场在硅集成电路制造工艺中的应用

分析了磁控直拉法技术和磁场增强型反应等离子刻蚀技术在现代半导体集成电路制造工艺中的应用．简要论述了学科交叉的重要意义．     

磁致液面变形及其光学测量

为获取磁场中气液界面的特性参数,提出基于镜面反射成像与结构照明相结合的方法对磁致液面变形进行测量.根据图像映射和条纹灰度矩阵提取条纹图的相位差进行液面变形量的计算,并重建三维变形液面.得到了结论:液体表面附近处的梯度磁场将引起表面张力的不均匀而使其发生变形,变形量及方向与磁场强度和梯度的空间分布有直接关系,为浮力-热毛细对流的相关研究提供一种新的途径.