MOSFET继电器G3VM-21LR10

G3VM-21LR10是0MRON公司的产品,它是由红外发光二极管及光触发MOSFET组成的光电式继电器。与一般电磁式继电器相比较,光电式继电器尺寸很小（是贴片式的）、工作电流很小、通或断的响应时间快、工作温度范围宽、耐振动性能好。但由于它由MOSFET的导通时存在导通电阻（R陷。㈨）3Q左右,所以它的导通电阻比电磁式触头的接触电阻要大。     

扬长避短的世界继电器市场

1.少数大国主宰世界继电器市场 据《世界电子数据年鉴》统计的数字,90年代中期以来,世界主要国家和地区继电器年产值基本稳定在35亿美元左右,日本、美国、德国和法国为主要生产大国,四国的产值约占世界的70％,其中日本一国就占世界的38％。在继电器需求方面,美国、德国、韩国和法国四国继电器的消费量约占全球的56％。 日本不但是世界继电器的生产大国,而且也是出口大国。据日本通产省统计,1996年,日本继电器产值达1858亿日元,其生产的继电器约有一半出口到海外(以     

带辅助触点的小型继电器JQC-3FO及其应用

<正> 在普通小型电磁继电器的线圈回路中增加一个辅助触点便成为JQC-3F0型继电器。这种继电器的外形与普通继电器没有两样,其外形尺寸及引脚排列如图1所示。该继电器除了具有普通单转换触点(1Z)继电器的所有功能外,最大特点在于能够让辅助触点去控制线圈自保或信号指示、电平输出等,以便让出主触点去控制被控对象(负载),这比在相同条件下使用双转换触点(2Z)继电器价格要低,体积要小。     

基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取

器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义.本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K) BSIM3模型的参数提取.同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤.     

只用两只MOSFET的双线圈继电器驱动器

闭锁继电器在给线圈一个短电压脉冲时,会改变自己的状态。由于这些继电器不需要连续的线圈电流来保持状态,因此可以节省相当大的驱动电路功率。在一种闭锁继电器中,可以通过交换两个线圈的供能,改变继电器的状态。只需为一     

固态继电器的选择和应用

相对于传统的机电式继电器和干簧管继电器,固态继电器具有功耗低、体积小和可靠性高的特点,因而越来越受到设计师的认可。本文将着重介绍固态继电器和传统机电式继电器的区别、了解固态继电器的特性以及选择和使用固态继电器的技巧。     

光控MOS栅固态继电器的电路分析与模拟

光控MOS栅固态继电器是由MOS栅控晶闸管、开关三极管、光电耦合器、增强型MOSFET和齐纳二极管组成的新型开关器件。文章提出了光控MOS栅固态继电器的电路结构，详细分析了它的工作原理及其光电特性。     

基于CF的全集成MOSFET—C六阶低通滤波器的仿真分析

本文提出了以电流跟随器ＣＦ为基本电路元件的全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ精确连续时间六阶低通滤波器电路，并应用ＰＳＰＩＣＥ－Ⅱ通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了实用的结论。     

应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究

提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度的LDD NMOSFET。在器件性能研究和计算机模拟的基础上,得到PSSWS—LDDMOSFET的优化工艺实现条件;此条件下实现的有效沟道长为0.8μm的PSSWS—LDDNMOSFET,源漏击穿电压达20V,常规器件的小于16V;衬底电流较常规器件的减小约二个数量级。利用此优化条件,研制出高性能的1μm沟道长度的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的21级CMOS环振,LSI CMOS 2.5μm沟道长度的门阵列电路GA 300 5SD。结果表明:PSSWS—LDD MOSFET性能衰退小,速度快,可靠性高,适用于VLSI的制造。     

飞兆推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件

飞兆半导体公司推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6FLMP封装(倒装导模封装)中，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(VGS=2．5V)可简化采用3．3V总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。     

基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

在分析了功率MOSFET其结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。     

基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

在分析了功率MOSFET结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。     

一种新型的ωn和Q可编程MOSFET—C二阶滤波器

介绍一种新的ωｎ和Ｑ可编程ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ二阶滤波器的新技术，滤波器中的电阻人武部用ＭＯＳＦＥＴ代替，构成压控电阻，对滤波器的中心频率ωｎ可通过改变栅极直流控制电压来调节，并且在滤波器的反馈路径中引入非线性电路，使滤波器对Ｑ和ωｎ在很宽范围内编程，而且没有相位误差。     

安森美半导体推出便携式应用的μ Cool^TM功率MOSFET产品系列

安森美半导体为了满足业界对更小型、更轻薄、更快速、更散热及更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求，推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μ Cool^TM系列，新推出的首六款μ Cool^TM器件采用强化散热的超小型WDFN6封装。