添加剂Si对纯Fe粉末触媒合成金刚石的影响

研究了添加剂Si对纯Fe粉末触媒合成金刚石的影响.实验中将一定比例的无定形Si粉直接添加到Fe-C粉末体系中并均匀混合,利用高温高压条件,进行掺Si合成金刚石的研究.实验结果表明,由于体系中Si的掺入,合成金刚石的最低压力点及温度明显降低,"V "形区发生了移动;并且考察了Fe-C、Fe-Si-C两种体系中合成金刚石的情况;借助于光学显微镜,发现Fe-Si-C体系合成出的晶体晶形完整,且多为八面体,颜色比Fe-C体系合成的晶体要浅,经红外光谱检测,Fe-Si-C体系合成出的晶体含氮量明显低于Fe-C体系所合成的晶体.     

合成金刚石用触媒合金粉末的开发应用

触媒合金粉末材料的需求量呈快速增长的趋势，我们就其开发应用做介绍： 触媒合金粉末的开发背景 自人造金刚石问世以来，超硬材料行业得到了迅猛发展，它不仅拉动了相关行业的快速发展，也改变了人们的生活。人造金刚石作为一种超硬材料，它硬度高、耐磨性好，用其作钻切磨工具可广泛用于地质、     

粉末触媒合成金刚石体系的温度稳定性问题

就不同粉末触媒、石墨粉配比体系的金刚石单晶在高温高压条件下生长过程中,合成腔体内温度场的变化进行分析,指出合理的粉末触媒合成金刚石体系的粉末触媒及石墨粉的分布状态。     

合成金刚石用触媒合金粉末的开发应用

粉末法合成人造金刚石相比片状合成的相同体积的金刚石来说，产量、质量均有大幅度提高，而材料消耗大幅度降低，用触媒合金粉末材料合成人造金刚石已经得到国内各生产厂家的认同，合成高品级人造金刚石用的触媒合金粉末材料正处于方兴未艾的阶段，触媒合金粉末材料的需求量呈快速增长的趋势。     

铁基触媒的组织结构对合成金刚石的影响

采用粉末冶金铁基触媒在六面顶压机上高温高压合成金刚石.使用高性能金相显微镜,扫描电子显微镜和X射线衍射仪对合成之后触媒的组织结构进行系统的表征.试验发现,触媒组织主要由粗大的板条状初生渗碳体和细密的共晶莱氏体构成;金刚石生长效果不好时,触媒组织中夹杂有团絮状石墨.分析认为,初生渗碳体极有可能就是金刚石生长的直接碳源,即高温高压下溶解于触媒熔体的石墨首先与触媒合金形成碳化物,在触媒的催化作用下,碳原子自渗碳体脱溶,沉积到金刚石表面,完成金刚石的生长.     

超薄NiMnCo合金触媒片对合成金刚石的影响

在研制厚度在０．３ｍｍ以下的ＮｉＭｎＣｏ片状触媒的基础上，就该触媒材料在六面顶压机上合成金刚石的效果进行了研究。实验结果表明：片状触媒材料的薄化，不仅能减少合成金刚石触媒材料的消耗，增加触媒与石墨之间的作用面积。而且还能适当提高合成金刚石高强料的比例；结合上述实验结果，就片状触媒的厚度对合成金刚石效果进行了分析，讨论。     

触媒合金渗硼对合成人造金刚石性能的影响

本文研究了触媒合金渗硼对合成人造金刚石性能的影响。结果表明，采用渗硼触媒合成金刚石，可提高金刚石的抗压强度、耐热性和优质粗晶粒百分比，但却使金刚石的单次合成产量降低。     

不同形态触媒材料合成金刚石产量因素比较

通过实验,实现了石墨转率在７０％、８０％、９０％等较高水平的粉末媒金刚石合成,并就此与片状触媒进行了对比分析;在此基础上,通过计算出得出粉状触媒和片状触民金刚石的理论产量; 这些结果有助于加强对粉末触媒应用潜力的认识。     

大尺寸掺硼宝石级金刚石单晶的高温高压合成及电学性质研究

在5.4GPa、1200～1400℃条件下,进行掺硼金刚石单晶的合成研究。成功合成出了重0.2g,径向尺寸达6.0mm的优质掺硼金刚石单晶。考察了合成体系中硼添加量对晶体透光度的影响。利用伏安特性和霍尔测试,得到了掺硼金刚石单晶常温电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率和合成体系中硼添加量的关系。研究发现,随着合成体系中硼添加量的增加,晶体的电阻率和霍尔迁移率都呈下降趋势;霍尔系数随硼添加量的增加先下降后上升。随着硼添加量的增加:晶体常温电阻率下降,表明硼杂质已进入到金刚石晶体中。霍尔迁移率的下降,可能是晶体缺陷增多对载流子散射所致。霍尔系数先减小后增大,这可能与进入金刚石的硼元素量增大及晶体缺陷增多有关。     

高温高压合成含硼金刚石单晶制备工艺初探

本文以掺入不同含量硼铁的铁基合金为触媒,以石墨为碳源,在高温高压条件下合成了含硼金刚石单晶体.利用扫描电镜(SEM)观察了金刚石及触媒的组织形貌;利用金相显微镜观察了金刚石颗粒的颜色和形态;利用拉曼光谱仪(RS)确认了人造金刚石单晶体中硼的存在;利用低温电阻测量仪验证了合成的含硼金刚石单晶颗粒具有半导体性能.实验结果表明,在金刚石的合成中,触媒中硼铁含量为2wt%的合成效果相对最好.     

我国人造金刚石用石墨材料的研究

石墨材料是人工合成金刚石的直接原料.回顾我国人造金刚石用石墨材料的发展历程,介绍目前金刚石工业专用石墨材料的种类、制备工艺及其相关性能.同时,概要介绍掺杂石墨和采用其他种类石墨材料合成金刚石的研究进展,并对今后人造金刚石用石墨材料的发展进行了展望.     

基体预处理对氧化铍基金刚石膜性能的影响

通过改变氧化铍基体的预处理方法,研究了热丝化学气相沉积系统中金刚石薄膜与氧化铍基体的结合情况,及其对导热性能的影响.分别利用金相显微镜和扫描电镜观察薄膜的剥落程度和其表面形貌,利用激光热物性测试仪测量基体和金刚石膜/氧化铍复合体的热扩散系数,并计算其热导率.实验结果表明:水磨砂纸研磨和氢氟酸处理均能有效提高金刚石薄膜与基体的结合情况;氢氟酸处理时间10min时可得到致密连续、表面均匀的金刚石薄膜,此时复合体的热导率较原来的氧化铍基体可提高31.4%.     

高压熔渗金刚石/铜复合材料的低温导热特性

为研究高压熔渗金刚石/铜复合材料导热率在低温区的变化规律,采用高压熔渗（HRF）的方法分别制备了不同粒度（100 μm,250 μm,400 μm）的金刚石/铜复合材料,利用扫描量热法分析评价了高压熔渗法制备的不同粒度金刚石/铜复合材料的低温导热特性,采用扫描电子显微镜（SEM）分析其显微组织。研究结果表明：由于高压熔渗制备的金刚石/铜复合材料中的部分金刚石发生聚晶反应,导致金刚石颗粒间晶界传热的热阻远小于界面传热热阻;高压熔渗条件下,金刚石颗粒内部变形破碎导致缺陷增多,且100~150 K低温下以声子为主要热载子的传热对裂纹和间隙等缺陷敏感,导致在较低温区内金刚石/铜复合材料的导热率低于普通压力熔渗（PF）所制备的金刚石/铜复合材料的导热率。     

系统压强对微波等离子体化学气相沉积金刚石成核的影响

为了在氧化铝上制备（100）定向织构的金刚石薄膜,必须先提高金刚石的成核密度,在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,采用低压成核的方法,在氧化铝陶瓷上沉积出高成核密度的金刚石薄膜,扫描电镜显示其成核密度可达10^8cm^-2。在此基础上,沉积出（100）织构的金刚石薄膜。     

纳米金刚石颗粒的长大实验研究

本文研究了炸药爆轰合成的纳米金刚石粉的小颗粒在高温 (～ 10 0 0K)和高压(5 2GPa)条件下的长大行为。将纳米金刚石粉放入特制的模具中压制成小圆片 ,将纳米金刚石小园片相互叠加起来放入钼套中 ,压实。然后将钼套置于石墨套中再放到叶蜡石块中 ,于高温高压下进行长大实验。实验结果表明 :在此高温高压条件下 ,纳米金刚石粉没有石墨化 ;纳米金刚石粉的纳米颗粒长大 ,可长成 1微米尺寸的金刚石颗粒 (温度为 10 0 0K左右 )。这一现象表明 ,纳米金刚石颗粒表面的活性使得它可以在较低的温度长成较大的金刚石颗粒     

Ⅱb型金刚石单晶的制备和半导体特性研究进展

Ⅱb型金刚石由于具有极佳的半导体性能，适合于制造高性能电力电子器件，可以在更高的温度和恶劣的环境下正常工作，是一种有发展前途的高温、大功率半导体材料。本文从结构、合成方法、半导体特性和应用等方面阐述了Ⅱb型半导体金刚石的研究现状，在此基础上提出了今后的研究方向。     

硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响

合成了适于半绝缘碳化硅单晶生长的高纯度SiC粉料.实验发现,不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌、组成和产率有影响.合成产物的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)观察,结构通过粉末衍射法(XRD)测定.结果表明,合成产率与Si粉的表面积有十分重要的关系,表面积越大,合成产率越高.合成温度和时间则决定了合成产物中岐睸iC和猹睸iC的比例.辉光放电质谱(GDMS)测量了合成产物的杂质含量,表明合成产物符合半绝缘SiC单晶的生长要求.