英特尔和美光合并NAND业务 将在新加坡建设300mm工厂

英特尔和美光科技宣布,计划在新加坡建设NAND闪存工厂。将作为300mm晶圆工厂于2007年上半年开工建设。预定2008年下半年投产,将采用50nm工艺技术生产。该工厂将通过两公司成立的合资公司建设。英特尔和美光于2006年1月成立了开发、生产NAND闪存的合资公司IM Flash Technologies     

英飞凌与TSMC携手开发汽车和芯片卡应用所需的65nm嵌入式闪存工艺

英飞凌科技与台湾积体电路制造股份有限公司共同宣布．双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车。芯片卡和安全应用的65nm嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65nm工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器（MCU）。     

东芝和NEC合作开发32nm工艺

继东芝和NEC从2006年2月共同开发45nm工艺技术后，两公司又于2007年11月底达成协议，合作开发下一代32nm工艺。开发工作将仍在东芝公司设在横滨的先进微电子中心进行。这次开发工作仅就32nm基础技术达成了协议，其他技术将另作协议。     

三星量产70nm 4Gb闪存

日本经济新闻引述韩国新闻报导指出，在NAND型闪存(Flash)市占率高达54％的三星电子日前公开宣称该公司将采用70nm工艺技术制造4GbNAND型Flash，三星旗下的12英寸晶圆厂Fab 14已较原订进度提前投产，未来该厂将以70nm工艺量产4Gb NAND型Flash，年底月产能可望达1．5万片。     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

SMIC年内投产65nm制程 明年转向32nm

据DigiTimes网站报道,尽管在65nm制程上落后于竞争对手,中芯国际（SMIC）并不想放弃向先进制程转移。公司某高管表示,今年年底公司将完成向65nm的转移,此外2009年公司将进一步转向32nm制程。SMIC微制版技术部主管Eric Guo表示,公司将在2008年内投产65nm制程。     

Spansion与XMC半导体宣布开展32nm闪存合作

日前,Spansion公司与武汉新芯(XMC)共同宣布,双方将进一步扩大合作,开发与生产Spansion誖32nmNOR闪存。XMC根据Spansion现有在300mm工艺授权生产65nm和45nm的闪存基础上,双方将进一步扩大业已成功的合作。基于Spansion的32nmMirrorBit电荷捕获技术,由XMC生产的并行和串行NOR产品将在2015年正式面世。近期,Spansion还推出了业界首个采用45nm技术的8GbNOR闪存,在     

资讯快递·要闻

英特尔继续走摩尔定律路线 英特尔公司在前不久召开的新闻发布会上介绍了半导体制造工艺的发展方向。该公司技术开发和制造工艺事业部负责人表示,英特尔在2009年已顺利开始了32nm工艺的量产,并提高了成品率。公司表示会继续依据摩尔定律推进工艺发展。另据了解,英特尔公司计划将在2015年引入11nm工艺。     

联电试制采用high-k金属栅极的45nm工艺SRAM

台湾联华电子采用high—k栅极绝缘膜和金属栅极技术,试制出45nm工艺的SRAM,至此,实现32／28nm工艺用high—k／金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了28nm工艺的SRAM,加上此次的成果,预计2010年能够开发32／28nm工艺技术。     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月-6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于2006年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。     

中芯国际向ASML订购4.5亿欧元光刻设备

中芯国际集成电路制造有限公司SMIC在2014年底前实现28nm批量投产。SMIC在上海与ASML签订了价值4.5亿欧元的光刻设备批量购买协议,以适时提升自己先进工艺代工能力。根据协议,ASML将向SMIC提供为32nm以及更为先进工艺节点而设计的300mm规格Twin Scan NXT系统,晶圆高生产效率、高对准精度、高成像分辨率     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月～6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。     

英特尔完成下一代32nm工艺过程开发工作

英特尔公司完成了下一代制造工艺的开发工作，进一步把芯片电路缩小至32nm。英特尔计划将于2009年第四季度推出基于高能效．更密集的晶体管的产品。     

日本Elpida完成90nm 512Mb XDR DRAM量产准备

日本Elpida于2005年3月开始100nm工艺XDR DRAM的出货。由于看好市场前景，当时也同时进行了90nm工艺产品的开发。日本Elpida日前表示，该公司已成功开发采用90nm工艺技术生产的512Mb XDR DRAM，并已完成量产的准备。和100nm相比较，采用90nm工艺可将生产效率提升20％以上。     

存储器件

Numonyx NAND闪存恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gig- abytes)的eMMC存储芯片和高达8 GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储     

Numonyx NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元（MLC）NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案     

Spansion为SIM市场推出安全MirrorBit闪存

闪存解决方案供应商Spansion公司宣布，为了使SIM卡制造商能够制造出新的解决方案以更好地管理移动内容的发布、加强应用的安全性以及保护数字内容的版权（DRM），它将开发一种新型的高容量安全SIM卡芯片。目前，Spansion公司正在开发第一个结合了90nm MirrorBit ORNAND产品与M-Systems的加密、逻辑和闪存文件系统技术在一起的集成式解决方案。MirrorBit HD-SIM解决方案是Spansion公司安全闪存战略的一部分，目的是将各种加密、鉴权和其它安全特性嵌入到Spansion闪存产品中。     

东芝开发43nm CMOS的16Gb NAND闪存

东芝宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43nm工艺技术制造。新型芯片大小约为120mm^2.存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，并且受其控制，存储单元的数量是56nm产品的一倍，两端均配有一个虚设的字线单元，用于避免程序干扰。同时，通过在电路中加入高压开关，减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量。     

飞利浦推出基于ARM9的90nm MCU

飞利浦电子公司日前推出首个基于ARM9系列的90nm 32位微控制器系列。LPC3000系列基于飞利浦的Nexperia平台，采用飞利浦、飞恩卡尔半导体和意法半导体在法国建立的Crolles2鞋盟先进的300mm试验设备开发的90nm工艺技术制造。通过采用90nm工艺技术和ARM926EJ-S内核，飞利浦可以降低生产成本，减少功耗，并提高其先进的32位微控制器的运行速度。     

Spansion与SMIC达成新代工模式

如何提高产能、并且降低制造成本一直是存储行业厂商的竞争力所在.Spansion 继宣布量产300mm65nm工艺MirrorBit闪存的消息之后再度发出消息,宣布与SMIC(中芯国际)签署晶圆代工协议,使得Spansion 300mm晶圆厂增加到3家,并且spansion在会上也宣布了此次合作将与以往的代工合作有所不同.