俄歇电子谱仪

自七十年代起,俄歇电子谱仪(Auger Electron SPectroscoPy)已逐渐成为十分广泛使用的表面组分分析手段。在基础科学研究和在应用领域,尤以微电子、能源、材料科学等方面应用最为广泛。它的优点为: ①对近表面5-20埃厚度范围内的元素有很高的灵敏度,分析速度快。②分析元素范围广,能分析氦以上的所有元素。③除了元素组分鉴定外,尚能获得一些化学环境的信息(Chemical Enviroment Information),如键合状况、电子态密度等等。     

俄歇电子能谱的奠基人—皮埃尔·俄歇

1978年11月28日,美国真空技术学会为表彰在真空科学与技术领域内取得杰出成果的科学工作者,在旧金山首次颁发为此而设的盖德——朗谬尔奖金。获奖者是法国科学院院士、巴黎大学教授皮埃尔·俄歇(Pierre Auger)。他由于奠定了俄歇电子能谱的基础理论,并使其成为真空科学与技术各学科广泛应用的重要的表面分析技术,而成为世界上第一个荣     

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题，内容包括：俄歇电子发射、表面灵敏性，俄歇电子谱的测量，定性和定量分析，深度剖析等，最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展，功函数测量，材料结构性能量和电子态密度测量。     

低能Ar^＋离子溅射合金表面组份变化的俄歇电子谱研究

用 AES分析了 AgCu、NiCr 合金受低能 Ar~+离子轰击后表面组份的变化,通过俄歇低能峰(LAES)和俄歇高能峰(HAES)的分析发现,离子轰击使合金表面组份达到相对稳定时,停止轰击后表面成分在短时间内有一个变化。离子轰击引起表面成分的变化发生在表面外层和以下数层内。随着轰击离子能量和束流密度的变化,表面最外层成分处于相对稳定和饱和的趋势,而亚表层内成分随之变化。对此,估算了这种变化对 AES 定量分析的影响,并对离子轰击诱导表面偏析和增强扩散效应进行了讨论。     

俄歇电子能谱的自动分析

本文介绍一种简便的自动测试系统。它是利用IEEE-488标准,由自制俄歇电子能谱仪,数台可编程仪器和一台微型计算机组成的。在微机控制下,经由IEEE-488接口总线,系统完成一系列功能:程控命令的传送与执行、数字化扫描电压的控制,数据的采集、传送、存贮、处理,以及对谱图的定性和定量分     

俄歇电子能谱定量分析的进展

本文扼要地评述了俄歇电子能谱定量分析的最新进展及其存在问题。首先评述了第一原理模型的俄歇电子能谱的物理基础,并分别对其中各种参数进行估算。同时,对以下专题进行了讨论。 1.利用俄歇电子能谱进行表面定量分析的方法;样品均匀性;强度的确定;带电效应;束流对样品的损伤。 2.对限制深度分布定量计算的各种现象进行了讨论。例如,溅射速率;表面原生粗糙度和束流引起的粗糙度;撞击和原子混合效应;择优溅射;离子束激发的俄歇电子能谱等。对于这些现象对深度分辨率的影响及其对溅射深度的依赖关系进行了讨论。     

利用微机提取俄歇电子信号

用四极栅能量分析器对样品进行表面分析,既可以得到表面的低能电子衍射图,又可以得到表面俄歇电子信息。但是由于四极栅能量分析器本身结构所限,其灵敏度和信噪比较之筒镜能量分析器为低。为弥补其不足,我们用微机及A/D、D/A技术对表面电     

俄歇电子能谱数据采集和处理

本文介绍了微型计算机与俄歇电子能谱仪的接口软硬件及在微机控制下得到的铜样品的俄歇电子能谱,讨论了一次束流、调制电压等实验参数对谱图质量的影响,并总结出最佳实验条件。文中还着重研究了平均法、光滑样条法、积分、微分、卷积及去卷积等数值方法在谱线平滑化、本底扣除和峰形恢复等方面的作用,并建立了一整套俄歇谱线数据处理的算法及程序。作为一个实例,文中还介绍了实测铜峰的峰形恢复过程及结果。     

局域电子态密度的俄歇电子谱分析

采集GaAs／Si界面的各个深度剖面的俄歇线形（Augerlineshape），试图获得局域态密度变化的信息。俄歇信号经过小心处理和一系列修正以消除失真，同时俄歇线形分析藉助因子分析（factoranalysis）来进行。发现在界面中两种化学态并存，某些Si原子与As原子健合，并且每个Si原子将有0．3个p电子转移至As原子上，而其他Si原子保持纯Si元素的Si－Si键。由于Si－As成键而使Si的价带顶稍稍位移，局域态密度（LDOS）幅值明显下降。     

采用隔离放大器的俄歇电子谱仪

1.前言当前,作为表面研究手段的俄歇电子谱仪已经确定了牢固的地位。光电子谱法与质谱法的谱线可分别表示为能量分布E—N(E)关系和质量分布关系,通常俄歇电子谱是用能量分布的微分曲线E—dN(E)/dE来表示的。由于通常的俄歇电子峰是一个在相当大的二次电子本底上叠加的很弱的峰,因此要用能量分布的方式把它检测出来是异常困难的。虽然微分法在俄歇谱仪中是不可缺少的技术,但对时间的能量分布要比微分分布更为有用。例如,在考虑定量分析的情况下,因为前者意义明确所以更为优越。此外,由于二次电子本底是反映     

用于表面分析的俄歇电子谱仪

1.前言近十年来,人们对与表面研究有关的技术呈现了日益浓厚的兴趣。60年代,真空技术的进展已使获得～5×10~(-8)帕并使表面维持1个多小时的超清洁条件成为实际可能。低能电子衍射(LEED)最先用于确定单晶面的结构及其所吸附原子的排列。接着,这类装置也用于检测俄歇电子,从而用来鉴别晶面上的元素。与此同时,对于确定表面原子的化学特性感到兴趣的科学家正研制 x 射线光电谱仪(XPS)新技术,即化学分析电子谱仪(ESCA)。还研制了多种表面分析技术,如:出现电势谱仪(APS)、x 射线出现电势谱仪     

局域电子态密度的俄歇电子谱分析

采集ＧａＡｓ／Ｓｉ界面的各个深度剖面的俄歇线形，试图获得局域态密度变化的信息。俄歇信号经过小心处理和一系列修正以消除失真，同时俄歇线形分析藉助因子分析来进行。发现在界面中两咱化学态并存，某些Ｓｉ原子与Ａｓ原子键合，并且每个Ｓｉ原子将有０．３个Ｐ电子转移至Ａｓ原子上，而其他Ｓｉ原子保持纯Ｓｉ元素的Ｓｉ－Ｓｉ键。     

俄歇电子能谱仪高能量分辨率的获得

一、引言 俄歇电子能谱仪(以下简称俄歇谱仪)是本世纪六十年代末出现的表面分析仪器。主要用于表面几个原子层内组成元素的定性、定量、价态和能级密度分析。它利用一束低能电子辐照固体,使其表面发射背散射 电子,随后分析其中的俄歇电子和等离子损失电子的能量和数量,获得上述信息。 由于有些元素俄歇电子能量相差很小, 浓度、价态和能级密度变化引起上述两种电子能量和数量的变化一般也较小,因此要求俄歇谱仪有较高的能量分辨率(以下简称分 辨率)。 俄歇谱仪的分辨率以试样表面发射的某一能量电子在N(E)～B(电子数量～能量)曲线上形成的…     

俄歇电子能谱仪在材料科学中的应用

材料科学是三大前沿学科之一。它的发展不仅直接影响国民经济的发展,而且也影响着其他学科的发展。所以,它一直得到人们的垂青。在材料研究中,人们用光学显微镜,继而用电子显微镜来研究材料的显微结构,在冶金和陶瓷行业中都已取得了显著进展。应用这些技术,可以确定相变、晶粒大小及形状;加上电子显微探针,在成分分析中又取得一大进步。但这些手段主要的不足之处在于缺乏深度分辨率,因此不能直接得到结构和组分在深度分布上的信息。而如回火脆性、腐蚀性、摩擦、     

俄歇电子谱术(续)

5　俄歇电子谱术的应用5 .1　定性分析[8]定性分析的目的是根据测得谱的位置和形状以识别元素种类。常用的方法是根据测得的峰的能量(在微分谱中以负峰为准 )与标准的《手册》[8,16 ] 进行对比。以下以微分谱为例进行说明。标准图谱手册提供各元素的主要俄歇电子能量图和标准俄歇谱图 ,给出各元素的俄歇峰的出峰位置、形状和相对强度。在定性分析中 ,同时采用上述两种图谱 ,将使分析工作变得快捷。定性分析的步骤[8] :(1)首选一个或数个最强峰 ,利用主要俄歇电子能量图 ,确认数个可能的元素。然后利用标准俄歇图谱进一步对这几种可能元素进…     

俄歇电子谱仪专用单频锁定放大器

为俄歇电子谱仪专用而研制的单频锁定放大器,工作频率6299Hz,灵敏度为1 μV_(FS),最小可检信噪比S/N为1/50。本文讨论了其中的主要技术问题。     

俄歇电子谱仪筒镜分析器的设计

本文从我们的实际情况出发,介绍了CMA的设计,并讨论了分析器的聚焦特性,分辨率和几何参数的关系,给出了设计程序和主要参数。使用“环电阻”于陶瓷基体上对边缘场畸变作了修正,静电屏蔽消除了外界电磁场的影响。整个CMA与同轴电子枪采用无磁不锈钢Cr16Ni14Mn2制造。整个光学系统和电子倍增器使用μ值高的金属屏蔽。本文中还给出了CMA加工精度的要求。我们设计的CMA已用于AES中,其分辨率为0.3％,信噪比(对银351峰)为430:1。     

俄歇电子全息的计算机模拟研究和数值重现

原子的芯能级电子吸收能量后被激发 ,经过退激发过程发射出的俄歇电子波在传播过程中被周围的原子散射 ,带有周围原子结构信息的散射波 (物波 )与未被散射的电子波 (参考波 )相干涉形成的衍射图即俄歇电子全息图 ,通过全息图的重现 ,可获得原子级分辨率的三维结构信息。本文在合理的物理模型下 ,以Cu单晶以及高温超导YBCO中的Y原子近邻的一些原子簇为计算实例 ,首次就受激原子周围单层近邻原子散射和多层原子散射产生的俄歇电子全息进行了计算机模拟和数值重现 ,获得了三维晶格结构参量 ,并讨论了不同原子序数的原子在全息图形成及重现中的作用。本工作有助于材料微结构的研究     

俄歇电子全息的计算机模拟研究和数值重现

原子的芯能级电子吸收能量后被激发,经过退激发过程发射出的俄歇电子波在传播过程中被周围的原子散射,带有周围原子结构信息的散射波（物波）与未被散射的电子波（参考滤）相干涉形成的衍射图即俄歇电子全息图,通过全息图的重现,可获得原子级分辨率的三维结构信息。本在合理的物理模型下,以Ｃｕ单晶以高温超志ＹＢＣＯ中的Ｙ原子近邻的一些原子簇为计算实例,首次就受激原子周围单这邻原子散射和多层原子散射产生的俄歇电子全     

俄歇电子能谱仪在氧化铜定量分析中的应用

将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中,基于Monte Carlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均自由程的计算,对氧化铜标样在相同条件下重复10次进行俄歇能谱试验。将修正因子引入到氧化铜标样的俄歇定量分析中,基体效应修正后,氧化铜中各元素含量的相对误差大大减小,俄歇定量分析的精确度有很大提高。