光折变晶体的进展

评论光折变铁电氧化物ＬｉＮｂＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、钨青铜族晶体和软铋矿Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０晶体的生长、光折变性能和应用的现状，并着重于Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｂｉ１２ＴｉＯ２０系列的研究结果，讨论光折变响应时间、近红外敏感的光折变晶体和晶体质量等目前存在的问题，以利于进一步发展。     

KTa0.55Nb0.45O3薄膜的介电和铁电及热释电性能研究

在ＢＴ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用溶胶－凝胶法制备了ＫＴａ０．５５Ｎｂ０．４５Ｏ３（ＫＴＮ）薄膜,０．５μｍＫＴＮ－０．０８μｍＢＴ薄膜在２５℃,１．０ｋＨｚ时,其εｒ＝１１１４,ｔａｎδ＝２．５％;１２℃时,其中Ｐｒ＝２．１μＣ／ｃｍ＾２,Ｐｓ＝４．２μｃ／ｃｍ＾２,Ｅｃ＝５．８ｋＶ／ｃｍ,０．５μｍ厚ＫＴＮ膜的Ｃｕｒｉｅ温度为３５℃;１．０ＫＨｚ时,ＫＴＮ膜的εｒ＝１４１２,估算ＫＴＮ     

Bi4Ti3O12铁电材料的合成及结构分析

用溶胶－凝胶技术合成了到铋微粉和薄膜。研究了前驱体溶液的ｐＨ值对溶胶，凝胶，粉体特性的影响以及钛酸铋材料的晶相转变过程。研究表明，ｐＨ＝３．５的前驱体溶液制得的粉体和薄膜的性能较好，其于凝胶在晶化过程中出现三个中间相：Ｂｉ２Ｔｉ４Ｏ１１相，ＢｉＴｉ３Ｏｘ相和Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７焦绿石相；在８５０℃粉体全部转为单斜晶系的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构。     

ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究

对ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０＾－４，αｃ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０＾－５／℃。调整各组分，获得一系列αｃ〉０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０＾１３Ω，αｃ＝０±３０×１０＾－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低     

Bi2SiO5的亚稳定相平衡的研究

通过ＤＴＡ和ＸＲＤ研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统及其化合物Ｂｉ２ＳｉＯ５（１：１相）的亚稳定平衡，发现亚稳和Ｂｉ２ＳｉＯ５的析晶温度大约为８４５℃，在Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统的广泛区域内（ＳｉＯ２摩尔比数大于３０％）熔体冷却时易于自发成核析出Ｓｉ２ＳｉＯ５相，并且该相在进一步冷却时无其它相变产生，直到室温下也可稳定存在。     

SiC晶须对Al2O3／TiB2／SiCw陶瓷刀具材料高温断裂韧性的影响

研究了不同ＳｉＣ晶须含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷刀具材料的断裂韧性随温度的变化规律。结果表明：Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣＷ陶瓷材料的Ｋ１Ｃ在１０００℃内随温度的升高而增大；晶须含量越大，通过计算分析表明，随温度的升高粘裂时拔出的晶须大大增多，当晶须体积含量（下同）为２０％时，Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷在室温时只有长径比小于２．８７的晶须在断裂时才有可能产生拔出，而在９００℃时     

硅酸铋晶体的结晶习性与形貌

从结晶化学角度出发，研究了熔体提拉法生长硅酸铋（ＢＳＯ）晶体的结构与形貌，提出晶体的生长基元为［ＢｉＯ６］ｎ＾９－和［Ｂｉ１２ＳｉＯ３６］ｎ＾３２－负离子配位多面体的论点。研究了晶体中各族晶面的显露程度与［ＳｉＯ４］ｎ＾４－四面体结晶方位的对应关系，晶体中的正极面与硅氧四面体面平等；四面体的顶角正在对负极面。     

化学气相沉积碳化硅薄膜的研究

在较低温度（１３６０℃）下采用化学气相沉积法分别在单晶硅和单晶碳化硅基体上成功地生成多晶和单晶碳化硅膜。用氢气作为载体，反应气相为硅烷为甲烷。当温度低于１３００℃时，生成膜的质量明显降低，易于脱离基体。１３６０℃温度下沉积生成的碳化硅膜与基体附着力强，不易被磨擦掉。ＸＲＤ和ＩＲ分析表明生成的ＳｉＣ膜为六方结构型的ａ－ＳｉＣ。运用同位素１２Ｃ和１３Ｃ进行了在Ｓｉ１２Ｃ单晶基体上外延生长Ｓｉ１３Ｃ膜层     

陶瓷复合体的抗热冲击性能研究

由陶瓷复合材料的抗热冲击实验，证明添加Ｗ（ＺｒＯ２）＝２０％时可使Ａｌ２Ｏ３复合陶瓷的热震温度达到３７０℃，如何添加Ｖ（ＳｉＣｗ）＝２０％可使Ａｌ２Ｏ３复合材料的热震温度达到４３０℃，使Ｓｉ３Ｎ４复合材料的热震温度达到６５０℃；如果采用Ｖ（ＳｉＣｗ）＝２０％，同时添加Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３等活性剂，由于强化晶界的作用，可使Ｓｉ３Ｎ４复合材料的热震温度达到７００～７５０℃，还对各添加剂使陶瓷材料抗热冲     

Bi4Ge3O12（BGO）微晶粒的水热法制备

以Ｂｉ２Ｏ３和ＧｅＯ２粉为起始物料，经水热反应制得Ｂｉ４Ｇｅ３ｏ１２（ＢＧＯ）微晶粒。晶粒粒度为５－２０μｍ；结晶完好的晶粒呈多面体状。文中对所用前驱物的形式、水热反应的物理－化学条件与产物物相，晶粒形貌关系作了总结。     

PZT薄膜的MOD制备及形成机理研究

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）工艺在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备锆钛酸铅（ＰＺＴ）薄膜。ＸＲＤ分析显示薄结晶状态良好,无焦绿石相存在。ＡＥＳ测量表明：薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅。分析了薄膜的形成机理,安性地解释了晶粒的生长过程。     

耐磨Ni－SiC复合电镀及其应用

含ＳｉＣ最高达１１％的Ｎｉ－ＳｉＣ复合镀层的镀液配方及操作条件为：Ｎｉ（ＳＯ_３．ＮＨ_２）_２·４Ｈ_２Ｏ４１０，ＮｉＣｌ_２·６Ｈ_２Ｏ１０，Ｈ_３ＢＯ_３５０，ＯＰ－１００．４及ＳｉＣ（３μｍ）２０－１２０ｇ／Ｌ，ｐＨ４，５５±２℃，５Ａ／ｄｍ￣２，需搅拌．     

专利介绍

含有橡胶混合物的ＳＢＲ凝胶专利号：联邦德国公开专利ＤＥ１９７０１４８８公开日：１９９８年４月２３日发明人：Ｏｂｒｅｃｈｔ，Ｗｅｒｎｅｒ；Ｓｃｈｏｌｌ，Ｔｈｏｍａｓ；Ｅｉｓｅｌｅ，Ｕｌｒｉｃｈ等申请人：ＢａｙｅｒＡ．Ｇ．，Ｇｅｒｍａｎｙ本专利介绍了一种含有橡胶混合物的ＳＢＲ凝胶的制备方法。该凝胶在低温和高温下分别具有较高和较低的动力阻尼，因此用于轮胎中具有较好的滚动磨擦阻力和抗湿滑性。其组分为１００份不饱和橡胶，１～１００份ＳＢＲ，适当的填料和添加剂。实施例：将浓度为３７．１％的ＳＢＲ乳液２…     

固载杂多酸催化剂PW_（12）／SiO_2复相催化合成二苯甲酸二甘醇酯

用自行研制的固载杂多酸催化剂ＰＷ１２／ＳｉＯ２复相催化酯化合成增塑剂二苯甲酸二甘醇酯（ＤＢＤＥ）。通过正交试验确定最佳工艺条件为：苯甲酸２５ｇ，二甘醇１２．０ｍｌ，带水剂甲苯１８ｍｌ，催化剂１．２５ｇ，反应温度（１３２±１）℃；反应时间３ｈ，在此条件下酯化率可达９９．８％。     

耐高温低膨胀玻璃的研制

本文采用溶胶－凝胶法制备了ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３系凝胶玻璃，研究了硼酸，酸度，温度对凝胶温度的影响，用红外光谱分析了不同组分及不同热处理制度的ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３二元系凝胶玻璃，在该系统中，硼皆以Ｓｉ－Ｏ－Ｂ状态存在于玻璃网络中，采用熔融凝胶玻璃的方法制备了ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３玻璃，Ｂ２Ｏ３含量大于１０ｗｔ％，具有软化点大于１０００℃膨胀系数在１５×１０＾－７／℃左右的物理性能，可用于氪灯钨杆     

液相沉淀法合成超细SiO2的工艺研究

用液相沉淀法成功地合成了ＳｉＯ２超细粒子。研究了不同反应时间、反应物初始浓度、溶液ｐＨ值、反应温度等操作条件对合成过程和粒子性能的影响规律，确定了最佳工艺条件。考察了ＳｉＯ２粒子的晶型转变规律。结果表明，合成的ＳｉＯ２超细粒子为球形，粒径小（＜１００ｎｍ）单分散性能好（ＧＳＤ＝１．３～１．６）。合成的无定形ＳｉＯ２约在９４０℃下转变为英石相。     

MgO—B2O3—SiO2三元系1100℃等温截面的应用

采用粉末烧结方法制备ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系不同组成的样品，用Ｘ－射线衍射、岩相和化学分析方法结合研究了１１００℃４０≤ＭｇＯ％〈６０组成范围内的相关系，结果表明可用３ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３－２ＭｇＯ．ＳｉＯ２－２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３，２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３－２ＭｇＯ．ＳｉＯ２－ＭｇＯ．ＳｉＯ２，２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３－ＭｇＯ．ＳｉＯ２－ＳｉＯ２三个三角形表示各平衡相的相关系。应用重心规则计算平衡相量与组成     

一次低烧SrTiO3基晶界层电容器的研究

研究了以Ｌｉ２ＣＯ３为助烧结剂、Ｓｒ（Ｌｉ１／４Ｎｂ３／４）Ｏ３为施主掺杂剂、Ｂｉ２Ｏ３和ＳｉＯ２为晶界绝缘剂的ＳｒＴｉＯ３基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ｔｉ／Ｓｒ比值、施主掺杂剂、绝缘剂对显微结构及介电性能的影响。在１１５０℃烧成温度下，获得了εａｐｐ〉３．５×１０＾４；ｐ〉１．０×１０＾１１Ω·ｃｍ；ｔｇδ〈１．０％；ΔＣ／Ｃ〈±５．０％（－２５￣＋８５℃）的ＳｒＴｉＯ３基晶界层     

高纯非晶质氮化硅纤维的结晶性能

本文研究了高纯聚合物衍生非晶质Ｓｉ３Ｎ４纤维的结晶性能。对非晶质Ｓｉ３Ｎ４纤维进行热处理（１４００℃、１４２５℃、１４５０℃、１４７５℃和１５００℃，于Ｎ２气中加热１￣１００小时）后，用Ｘ光衍射照片测定其结晶度。通过扫描电子显微镜观察到了生长在纤维表面上的六方体结晶晶粒。该结晶似乎是依据气相生长机理产生的。在非晶质纤维和结晶晶粒之间，ＳｉＯ气体作为Ｓｉ载体存在。然而，以往ＢＮ（氮化硼）粉末被当作粉     

ZnO－B_2O_3－SiO_2系统的介电性能研究

对ＺｎＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０－４，αＣ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０－５／℃。调整各组分，获得一系列αＣ＞０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０１３Ω，αＣ＝０±３０×１０－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低介热稳定多层陶瓷电容器