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本交报道精心外延及光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低闽值电流I_(th)=17mA,外微分效率η=25%(单面),最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过40mW。采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性。器件在25℃时的中值寿命为26万小时。 相似文献
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本文叙述了光纤通信中用作光源的半导体激光器寿命试验情况。实验是以DC-PBH型结构1.3μm激光管为对象,在高温下进行加速寿命试验,试验过程中均未出现偶然失效现象.其外推室温寿命MTTF值为2.6×10~5小时(σ=1.06),并给出了失效率λ(t)与时间t的关系曲线,以备通信系统工程设计查用。 相似文献
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InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文针对P-N-P-N埋区结构中的漏电流,用广义P-N-P-N三端器件的理论模型,细致地分析和模拟计算了P-N-P-N掩埋型BH激光器的漏电流特性,并据此给出了优化设计器件的数据曲线.通过具体的激光器工艺,我们做出的FBH激光器的漏电流大大减小,激光器的线性输出光功率可高达20mW,室温寿命超过10万小时. 相似文献
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本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的1.3μmInGaAsP/InP脊形波导(RWG)结构的激光器。用有源区向上的装架方式,在25℃时,激光器最小连续波(CW)阈值电流为23mA,且均匀性较好;最大单面光电转换效率为0.18mW/mA;在65℃的环境温度下其最大发射功率仍大于10mW;用标准单模光纤耦合,25℃下阈值电流为20mA的入纤光功率大于1.5mW。 相似文献
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通过对1.3μmInGaAsP/InPRWG型激光器的加速老化寿命试验,证明了此种结构激光器的可靠性,它在环境温度为50℃、100mACW及环境温度为80℃、100mACW的条件下加速老化,经过3220h的实际测试共计193200器件小时,在测试过程中没有一支器件失效。在这样的条件下其50℃下的外推寿命MTTF为20万h,其统计标准偏差为σ=1.016;80℃下的外推寿命MTTF为3.8万h,其统计标准偏差为σ=0.804,从而推算出该结构激光器的退化激活能Ea=0.543eV,其25℃下的寿命MTTF为103万h。 相似文献
6.
本文介绍InGaAsP/InPDC—PBH型LD单管寿命试验、初期筛选老化及高低温循环实验情况。其结果是50℃时MTTF大于4000小时,采用0.9eV激活能外推室温(20℃)下,中值寿命大于10万小时,所观察到的寿命模式符合对数正态分布。 相似文献
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通过优化有源层和采用具有高反射涂层的短腔体,对于1.3μm InGaAsP/InP应变MQW激光器在室温下(25℃)获得了0.56mA这一创记录的低阈值。 相似文献