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本文介绍了在Si(100)衬底上异质外延生长超导薄膜过渡层的方法,研究了过渡层的晶体性质和表面形貌。在Si(100)衬底上外延生长的过渡层依次为Y_2O_3(110)、ZrO_2(100)和Y_2O_3(100)/ZrO_2(100)。最上层生长的即是YBa_2Cu_3O_(7-x)超导膜层,其T_c值达88K。 过渡层用真空蒸镀的方法。首先蒸镀金属钇,并以氧等离子体将其氧化,制成Y_3O_3过渡层。采用ZrO_2晶拉电子束蒸发沉积制成了ZrO_2过渡层。生长器中基础压力为1.33×10~(-5)Pa,生长过程中压力 相似文献
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一、前言复杂的模拟电路、数字电路和光电器件的单片集成,使人们越来越注意开发混合半导体材料工艺,这方面最杰出的例子是在硅单晶衬底上生长 GaAs 外延层。GaAs/Si 工艺研究已成为固态电子学和异质结电子学中重要的研究领域。 相似文献
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日本科学技术厅金属材料研究所最近已使AlInSb/GaInsb/AlInSb双异质结外延生长获得成功。它是通过用AlInSb抑制保护层将GaInSb活性层由两侧夹住以构成双异质结,然后在晶格常数不同的衬底上外延生长成薄膜而实现的。目前在2～3μm波段的中红外光范围内振荡的半导体激光器,因缺乏能使GaInSb、AlInSb外延生长且晶格常数又相匹配的衬底材料而无法实现。该研究所通过将GaInSb作为松弛晶格应变的缓冲层而解决了上述 相似文献
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超细碳化钨的制备及其性能研究 总被引：3，自引：2，他引：1
用正交试验法研究了用程序升温法制备碳化钨粉末过程中不同碳化温度、 碳化时间和甲烷气体流速对产品粒度和比表面的影响,优化出较佳的工艺条件:即在800 ℃,甲烷气体流速为10 ml · min-1条件下反应12 h,可制得超细碳化钨粉末,其粒度D50和比表面SBET分别为0.60 μm和4.08 m2 · g-1. 该样品粒度小、比表面大. 通过激光粒度仪、比表面测定仪、 XRD对样品的粒度、比表面、晶相组成等进行了分析,并在CO2重整CH4反应中研究其催化性能. 相似文献
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