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我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子集成灵巧象素器件。通过对光电特性测试表明 ,器件具有良好的光探测和光调制性能。 相似文献
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本文综述了超高速光电子取样耐量技术的发展状况以及它们在超高速半导体电子器件和光电子器件测试中的应用。 相似文献
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IR2 15 9是可调光荧光灯电子镇流器控制芯片 ,它集镇流控制器与 6 0 0V半桥驱动器于一体。可根据需要调整预热时间、预热电流、从触发到调光的过程时间、最小和最大的发光功率。具有模拟量调光输入接口、完善的故障自保护功能。文章介绍了IR2 15 9典型应用和预热、触发、调光、自我保护等基本工作原理。 相似文献
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为了应对新一代通信技术频谱危机,根据量子阱二极管发光谱和探测谱存在重叠区的物理现象,提出一种基于氮化镓集成光电子芯片的单通道全双工可见光通信系统。采用具有相同量子阱结构的一对蓝光、绿光氮化镓量子阱二极管器件,分别作为光发射器和光接收器,器件集成Ti O2/Si O2分布式布喇格反射镜(DBR),将入射光和发射光隔离,实现单通道全双工光通信。测试结果表明,该可见光通信系统通过集成氮化镓光电子芯片,节约了信道空间,对面向未来6G的可见光通信技术的发展具有重要意义。 相似文献
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本文以XTR101为例分析XTR系列产品的工作原理及其使用要点,并介绍XTR101与微差压传感器PS200组成的变送器电路。 相似文献
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1 前言硅基微电子技术是 2 0世纪最具有伟大成就的高技术之一 ,他的发展与成熟改变了人类的生活方式 ,极大地加快了社会发展的进程。光子技术的兴起又将信息的传输与处理过程提高到了一个新的高度。当前 ,全球信息化趋势的强烈市场要求 ,在推动微电子技术继续向前的同时 ,正促使光电子 ,光子集成技术迅猛发展 ,其中硅基光集成技术以其独特的优势 ,在信息化进展中所占据的地位无论怎样设想也不为过。光电子主要可以分为四大类(1)平面光波导光子集成芯片 (PLC)(2 )光电子集成芯片 (OEIC)(3)光源及光探测器件 (LD ,LED及PD ,A… 相似文献
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光电子集成电路(OEIC)是新一代光通信系统的理想的关键部件。文章详细介绍了单片OEIC对材料生长技术和集成器件的要求,以及单片OEIC的基本结构和类型,并提出了单片OEIC未来的发展方向。 相似文献
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《电子元件与材料》2018,(3):82-87
利用Au-Sn共晶合金反应实现硅基圆片-芯片(Die to Wafer)键合是一种可行的集成方案,通过优化关键实验条件改善圆片-芯片键合层质量及键合强度,探索出适合射频微系统应用的D2W集成工艺条件;使用扫描电子显微镜(SEM)观察各组圆片-芯片界面质量状态,分析其键合层元素组成;在常温及300℃高温下完成水平推力测试,分析了键合样片键合强度和耐高温水平。结果表明:键合压力、Sn浸润时间、Au-Sn共晶合金温度及时间、芯片键合前处理等条件对键合层质量影响较大;对芯片进行前处理,使用少量助焊剂,240℃浸润2 min,并在温度为290℃、压力为4 N的条件下键合6 min,可以得到具备良好键合层质量的键合样片,水平推力达到55 N。 相似文献
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光电器件和光电子集成及光子集成(OEIC及PIC)是光电子技术的基础,也是整机性能优劣的标志,所以提高OEIC器件性能水平是发展光电子技术的关键。OEIC的概念于1971年首次提出,多年来一直是热门研究课题。70年代末,OEIC进展取得一系列重大突破,1978年,美国第一次成功研制出无腔面的适合于集成要求的DFB激光器,并将一个0.85μm GaAs激光二极管(LD)和一个 相似文献
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Ryan Woodings 《电子产品世界》2006,(9):94-96
当你驾车回家按下车库开门按钮--车库门随之打开、走廊里的主灯点亮、中央空调打开、等离子电视调到了你喜欢的频道,你的各种自动装置陆续就位……虽然这一切并非现实,但是凭借当今的无线技术,以上情形的实现绝不是遥不可及的梦想.当802.11标准在无线局域网领域崭露头角的时候,一场新的革命正在线缆置换和传感器网络领域悄然进行.这些系统的核心由一个无线通信装置(通常采用Bluetooth或WirelessUSB技术)、一个微控制器(通常是8位)以及多种板载外部元件组成. 相似文献
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本文介绍了应用于光纤通信系统中的光电混合集成电路,包括光电集成开关、光电集成发射机和接收机,并探讨了其发展状况。 相似文献
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