短新闻

东芝推出目前存储容量最大的嵌入式NAND闪存模块近日,东芝宣布推出128GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内同类产品的最大容量。     

美光在NAND竞争中独树一帜

美光科技公司于2006年推出了针对手机和其他便携式设备的Managed NADA闪存技术。Man-aged NAND闪存使用了美光公司的多芯片封装(MCP)技术,在一个小型的BGA封装中结合了高速多媒体卡(MMC)控制器和NAND闪存。     

Spansion公布未来三年发展规划ORNAND闪存初露锋芒

一直以来,闪存市场硝烟不断,形成了以NOR和NAND闪存相互对垒的两大阵营,关于NOR和NAND的争议也一直没有停止过。而以生产NOR闪存著称的Sparision公司在最近发布了一系列基于该公司MirrorBit技术的闪存产品发展战略和研发计划,其中最引人注目的就是ORNAND架构的推出。结合了NOR、NAND各自优势的ORNAND闪存似乎可以让我们暂时停止关于NOR、NAND架构熟优熟劣的争论。MirrorBit技术     

苹果预付5亿美元与东芝签闪存长期供货协议

苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。     

东芝NAND闪存市场传捷报

2006年第一季度，东芝公司在NAND闪存市场斩获颇丰。作为NAND闪存第二大供应商，东芝一季度的收益为8．01亿美元，比上个年度第四季的6．8亿上升18％。东芝的佳绩同时拉动日本NAND闪存芯片在全球市场占有率，由上个年度第四季的19．2％迅速攀升至一季度的24．6，增长了5．4％。     

Astoria大容量存储控制器加速手机连接

赛普拉斯(Cypress)半导体公司近日推出了一款支持多层单元(MLC)NAND闪存的新型West Bridge外设控制器Astoria.Astoria控制器最高可支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了三倍.     

三星东芝支持新一代NAND闪存标准

三星和东芝共同宣布,双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDRNAND闪存,即toggle DDR 2．0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准,被业界广泛接受使用。     

赛普拉斯West Bridge控制器适用于PMP、PND、无线网卡及其它嵌入式应用

赛普拉斯半导体公司推出了一款具备多层单元(MLC)NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器,可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持.这款West BridgeAstoria?控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了3倍.     

英特尔与美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技近日预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显着减小芯片的尺寸。     

存储器件

Numonyx NAND闪存恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gig- abytes)的eMMC存储芯片和高达8 GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储     

与NAND Flash正面交锋Spansion舞剑意在数据闪存市场

以往NOR闪存与NAND闪存的应用市场可说是泾渭分明,前者多为小容量、代码应用,后者则主要用于大容量数据存储.然而Spansion所推出的ORNAND闪存却极有可能打破这样的界线,因为它同时具备了NOR闪存的高可靠性和快速读写能力以及NAND闪存高容量、低成本特色,大有与NAND在数据闪存市场一争高低的能力.     

Spansion e.MMC存储新品提供更安全可靠的数据保护

近日,嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司宣布推出面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。新的e.MMC NAND闪存提供8GB和16GB存储密度,工作温度范围为-40℃到＋85℃,可满足上述市场对可靠、更高密度存储日益增长的需求。最新推出的Spansione.MMC闪存系列完善了Spansion领先业界的并行和串行NOR闪存以及面向嵌入式应用的SLC NAND闪存产品组合。     

第二季度NAND闪存销售额下降4．3％

据IHSiSuppli公司的闪存市场报告,由于一家大型厂商的销售额下降,第二季度全球NAND销售额为47亿美元,比第一季度的49亿美元下降4．3％。该市场降幅大于预期,主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21．4％至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商,仅次于韩国三星电子。东芝销售额大幅下降,拖累了整体市场。     

世界传真

三星NAND闪存龙头地位牢固受到次级放贷所引发的金融市场风暴影响,2007年4季度NAND闪存比3季度小幅下降了2.7%。就07年4季度营收排名而言,三星仍然居于龙头地位,东芝和海力士分居二、三位,但两者的占有率随着美光和英特尔的增长而呈小幅下滑,07年4季度前4品牌三星、东芝、海力士/ST和IMFlash的营收,合计约占整体品牌NAND闪存市场的98.7%,未来将形成四强争锋的新局面。总计2007年NAND闪存整体品牌厂商营收达到133亿美元。     

东芝Hynix了结闪存专利纠纷

近日，日本东芝和韩国Hynix宣布，已经签署一项交叉许可协议，了结一系列有关NAND闪存专利的诉讼和纠纷。     

美国应用材料公司发布专用蚀刻装置

正将存储单元沿三维方向层叠的三维NAND闪存终于要扬帆起航了。NAND闪存过去一直通过二维(水平)方向的微细化和多值化来增大容量,但已逐渐接近极限。为将容量增至TB级,东芝、三星电子及SKHynix争相开发三维NAND闪存,有报道称最早将于2012年底～2013年初制造出样品。果然,在2012年7月10～12日于美国旧金山举行的"SEMICON West2012"     

NAND闪存PK微硬盘

自2005年9月美国苹果电脑公司推出2Gb／4Gb NAND闪存替代微硬盘的ipod nano以来，在便携式消费类电子产品中NAND闪存替代微硬盘的呼声日益高涨，NAND闪存VS微硬盘的竞争日趋激烈，NAND闪存能PK掉微硬盘吗？这是NAND闪存和微硬盘业界共同关心的话题。业界普遍认为，NAND闪存与微硬盘将共存很长一段时间，正如希捷CEO Bill Watkins所说：“微硬盘与NAND闪存是一对好朋友”。当前微硬盘大规模向NAND闪存转变不太可能，或许也没有必要。从长远看，哪一种存储技术将占主导尚不明确。但是，2006年初三星电子半导体CEO黄昌圭放言：“硬盘时代”正逐渐结束，“闪存时代”即将来临。从短期看，2Gb／4Gb存储容量将成为双方争夺的对象，正如isuppli公司评论：”2006年微硬盘和NAND闪存两手都要硬”。在便携式消费类电子产品中到底采用哪一种存储器，由其存储容量、成本、尺寸、功耗和可靠性来决定。     

手机将会成为NAND闪存市场最大推动力

2005年,NAND闪存凭借面积小、容量大、成本低的优势在市场规模上首次超越NOR闪存,目前,NAND闪存已经被广泛应用于数码相机、MP3等需要大容量存储的产品中。美光NAND闪存产品经理BillLu表示,手机将会成为NAND闪存最大的市场推动力。他指出,目前大部分的2G手机中需要存储的数据量     

恒忆针对无线通信、嵌入式系统和存储器市场推出新系列NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品全部采用先进的41nm制造工艺。     

三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存

据外电报道,三星电子表示,该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性,比30纳米制程高50%左