热处理对Gd_(0.6)Dy_(0.4)Co_2和Gd_(0.6)Dy_(0.4)Co_(1.9)Al_(0.1)合金磁热性能的影响

用真空电弧熔炼炉制备Gd0.6Dy0.4Co2和Gd0.6Dy0.4Co1.9Al0.1合金,在900℃下进行4天、7天的热处理后,对其铸态和热处理态的相结构、居里温度、绝热温变、磁熵变等进行了研究。结果表明:经过7天的热处理后合金晶体结构基本变为单相GdCo2结构。热处理的结果使合金的最大绝热温变值比铸态合金有所升高,磁熵变值比铸态合金提高53.2%和33.1%,居里温度略有降低,说明热处理能有效提高该系列合金的磁热性能。     

Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4磁致冷材料的研究与发展

为了促进室温磁致冷技术的实用化,本文系统全面地介绍了室温磁致冷材料Gd5(SixGe1-x)4系金属间化合物近年来的发展概况,阐明了巨磁热效应与晶体结构、相变类型的关系,着重介绍了优化合金磁热性能的各种途径,最后针对合金实用化存在的问题提出了解决方法,并对其应用前景进行了展望．     

Ti对Gd1-xTix合金晶体结构和磁热效应的影响

用真空电弧熔炼炉制备Gd1-xTix(x=0.0005,0.001,0.002)系列合金,并对其晶体结构、居里温度、绝热温变进行研究.室温XRD分析发现:该系列合金仍保持与纯Gd相同的相结构;材料的居里温度比纯Gd的居里温度稍微降低;其最大绝热温变△Tad值有所上升;在低磁场下,Gd1-xTix系合金可以部分替代Gd作为室温磁制冷材料.     

Gd5(Ge2-xSi2-xM2x)化合物的晶体结构和磁性研究

研究了用稳定元素Mn、Mo、Al和V代替非磁性的Si和Ge对Gd5Ge2Si2化合物的居里温度的影响；并且研究了Gd5(Ge2-xSi2-xM2x)(M=Mn、Mo、Al和V)样品退火处理对居里温度的影响．结果表明少量的合金化元素替代会提高Gd5Ge2Si2化合物的居里温度；退火后居里温度随替代元素的含量变化比退火前更敏感．X射线粉末衍射分析表明少量的合金化元素(Mn、Mo、Al和V)替代不会影响母体Gd5Ge2Si2化合物的晶体结构．对样品的晶态显微组织和表面微结构研究发现退火后组织分布比退火前更均匀。     

Ho2Co17—xSix化合物的结构与磁性研究

研究了非磁性原子Ｓｉ 替代Ｃｏ 对Ｈｏ２Ｃｏ１７ 金属间化合物结构和磁性的影响－Ｘ 射线衍射表明,所有Ｈｏ２Ｃｏ１７ － ｘＳｉｘ（ｘ ＝ ０ ．５ ,１ ．０ ,１ ．５ ,２ ．０ ,２ ．５ ,３ ．０） 化合物都为Ｔｈ２Ｎｉ１７ 型六角结构;化合物的晶格常数和单胞体积都随Ｓｉ 含量的增加而线性降低－ 磁性测量表明,Ｈｏ２Ｃｏ１７ － ｘＳｉｘ 化合物的居里温度和饱和磁化强度随Ｓｉ 含量的增加而线性下降－ 对Ｈｏ２Ｃｏ１７ － ｘＳｉｘ 化合物,测量了补偿点温度下的磁化曲线－ 从热磁曲线测量观察到,Ｈｏ２Ｃｏ１７ － ｘＳｉｘ 化合物在ｘ ＝ ０ ．５ 时化合物呈面各向异性,当１ ．０ ≤ｘ ≤３ ．０ 时出现由易面到易轴的自旋重取向,自旋重取向温度Ｔｓｒ 随Ｓｉ 原子含量ｘ 的增加先下降,而后又上升,在ｘ ＝ ２ ．５ 处出现最低点     

磁热效应及磁制冷材料的研究现状

阐述了磁热效应的基本理论及测量方法。对各种测量方法的精度作出了分析。介绍了具有大的磁热效应并具有作为磁制冷工质的材料研究的进展,同时对我国在这方面的发展提出了建议。     

巨磁热效应合金Gd5Ge2(Si2-xMx)的结构和显微组织

通过用热稳定元素Mn和A l代替Gd5S i2Ge2合金中的(S i Ge)后对合金的晶体结构、显微组织和磁性能的影响研究表明,少量的掺杂量不会改变Gd5S i2Ge2的单斜型晶体结构,但它的晶格常数增大,体积膨胀,居里温度提高,然而掺杂样品的磁热效应降低.样品的显微组织随着热稳定元素Mn和A l掺杂量的增加,晶粒在长大,同时第二相析出量也在增加.     

Gd5(SixGe1-x)4合金磁热效应的直接测量

为了选择自适应的磁致冷材料,确立更准确的测量方法,利用永磁体作磁场,采用高灵敏温度传感器,直接测量了Ｇｄ５（ＳｉｘＧｅ１－ｘ）４合金样的△Ｔａｄ－Ｔ曲线,并与文献中相同成分的样品间接测量的结果进行了比较,分析了测量结果以及存在的误差。     

金属间化合物Sm_3(Fe_(1-x)V_x)_(29)的结构及其微观机制研究

利用X射线衍射,金相显微镜,能谱分析以及差示扫描量热(DSC)等手段对金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29(x=0.01,0.03,0.05,0.08,0.1)的结构及其微观机制进行了研究.结果表明,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29(x=0.01,0.03,0.05,0.08,0.1)的结构均为3:29型结构,并且随V含量增加,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29的晶格常数和晶胞体积V均呈减少趋势.当x>0.05时,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29中的杂质相明显呈现出来.随着V含量的增加,居里温度(TC)呈单调上升趋势.     

La_(1-x)Pr_xFe_(11.4)Si_(1.6)(x=0.1,0.2,0.3)金属间化合物的晶体结构和磁熵变研究

通过X射线和磁性测量等手段对所制备的金属间化合物La1-xPrxFe11.4Si1.6(x=0.1,0.2,0.3)的结构和磁性进行了研究.结果表明,在1 373 K温度下,经过50 d退火所得的化合物均形成了单相立方NaZn13型结构;部分Pr替代La原子后,会引起晶格畸变;另在外磁为1.5 T时,Pr含量为x=0.1,0.2,0.3时的最大磁熵变|ΔS(T,H)M|max分别为15.06,37.08和15.22 J/kg.K.大的磁熵变来源于TC处磁化强度的陡峭变化和TC以上磁场诱发的巡游电子变磁转变.     

水热法合成RMn2O5(R=Eu,Tb,Dy,Ho)微纳米粉体

采用水热法,以KMnO4和Mn（NO3）2为锰源,在250℃反应18 h合成了EuMn2O5、TbMn2O5、DyMn2O5和HoMn2O5微纳米粉体,利用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所制备的RMn2O5（R=Eu,Tb,Dy,Ho）均为正交相结构,反应时间对产物的形貌和尺寸有重要的影响.此外,通过实验结果分析了微纳米结构的形成机理.     

A位无序掺杂锰氧化物La2/3-xYxCa1/3-ySryMnO3的微结构和居里温度研究

采用固相反应法制备了A位无序掺杂锰氧化物La2/3-xYxCa1/3-ySryMnO3系列样品;利用Rigaku Dmax-rB 12 kW转靶X-ray衍射仪和振动样品磁强计Lakeshore7300对样品进行表征,并通过Rietveld方法对X-ray衍射谱进行结构精修。讨论了A位掺杂无序度σ2对样品的相、微结构（Mn—O键长、Mn—O—Mn键角等参数）和居里温度的影响。结果表明：随着掺杂浓度x和无序度σ2的增加,样品仍然保持单相性较好的钙钛矿正交结构,晶格常数a,b,c和晶胞体积V没有发生大的变化;Mn—O—Mn键角增加和Mn O键长减小;样品的居里温度下降,但x=0.20时,La2/3-xYxCa1/3-ySryMnO3居里点反而拉伸增大。     

Re_2Fe_(17)型稀土—过渡族金属化合物磁制冷性能的研究

通过理论分析与预测 ,发现Re2Fe17型稀土—过渡族元素形成的化合物具有明显的制冷效果 .在此基础上将其制成合金试样 ,并在自行设计的测定退磁制冷温差ΔT值的测量装置上进行测试 ,结果为 :Ce2Fe17 -xCox 及Er2Fe17 -xNix(x=0 3～2 0)稀土铁磁金属化合物在外加磁场H=2T ,t=20℃时 ,即室温附近有明显的制冷效果 .前者退磁后制冷温差ΔT=4 75K ,后者为ΔT=4 51K ,基本与目前室温附近制冷效果最好的纯金属Gd接近 (ΔT=5 25K) ,但其价格约为Gd的1/3 ,可取代Gd作为室温磁制冷材料     

Nd2-xCexFe17(x=0.5,0.8,1.0)合金磁热效应的研究

用真空高频磁悬浮炉制备了Nd2-xCexFe17(x=0.5,0.8,1.0)合金,并用直接测量法测量了样品在1.3 T磁场下的磁热效应.研究表明,合金的居里温度和绝热温度ΔT ad最大值均随Ce原子分数x的增加而逐渐降低.     

退火温度对Nd4.2Dy0.8Pr4Fe85Nb1B5纳米复合材料磁性能的影响

用熔体快淬和晶化处理的方法制备了Nd4.2Dy0.8Pr4Fe85 Nb1B5纳米复合材料,研究了退火温度对材料磁性能的影响.结果表明,经不同退火温度进行退火处理得到的Nd4.2 Dy0.8Pr4Fe85Nb1B5纳米复合材料的磁性能不同,在580℃下退火处理3 min得到的样品具有最佳磁性能,即Hci=6787.0 ...     

(1-x)Ca_5Zn_4(VO_4)_6-xCa_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3陶瓷微波介电性能研究

采用传统固相法制备(1-x)Ca5Zn4(VO4)6-xCa0.8Sr0.2TiO3(0.5≤x≤0.8)系陶瓷,并研究其烧结特性、晶相组成、显微组织和微波介电性能变化规律。用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析陶瓷的晶相组成和显微组织,采用闭腔法测量其微波介电性能。研究表明,随着Ca0.8Sr0.2TiO3含量增加,陶瓷的εr和τf值逐渐增大,而Q×f值逐渐减小。875℃/5h烧结0.3Ca5Zn4(VO4)6-0.7Ca0.8Sr0.2TiO3名义陶瓷具有最佳微波介电性能,即εr=13.5,Q×f=12 800GHz,τf=3ppm/℃。     

R(Fe0.95Mn0.05)x合金的显微结构与磁致伸缩的研究(R=Dy0.6Tb0.3Pr0.1,1.7≤x≤2.0)

采用金相、X射线衍射、电子探针显微分析和标准应变测试技术研究了电弧浇铸的R(Fe0.95Mn0.05)x(R=Dy0.6Tb0.3Pr0.1,1.7≤x≤2.0)合金的显微结构与磁致伸缩.结果表明,合金的基体为MgCu2型立方结构的(Dy,Tb,Pr)(Fe,Mn)2相, 当x≤1.8时,第二相为富稀土相,当x>1.85时,变为(Dy,Tb,Pr)(Fe,Mn)3相.合金的磁致伸缩测量表明,当x≤1.80时,磁致伸缩随x的增加而增加,当x>1.85时,磁致伸缩随x的增加而降低.对于采用提拉技术制备的R(Fe0.95Mn0.05)x取向样品,当x=1.85时磁致伸缩呈现出一个峰值.相对于电弧浇铸的样品,取向样品的磁致伸缩特性得到改善.     

金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29的结构及基微观机制研究

利用X射线衍射,金相显微镜,能谱分析以及差示扫描量热（DSC）等手段对金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29（x=0．01,0．03,0．05,0．08,0．1）的结构及其微观机制进行了研究．结果表明,金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29（x=0．01,0．03,0．05,0．08,0．1）的结构均为3：29型结构。并且随V含量增加,金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29的晶格常数和晶胞体积V均呈减少趋势．当x〉0．05时,金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29中的杂质相明显呈现出来．随着V含量的增加,居里温度（R）星单调上升趋势．     

Na_5Y_(1-x)Cr_xSi_4O_(12)导电材料的研究

用固相反应法制备了Na_5Y_(1-x)Cr_xSi_4O_(12)导电陶瓷。用x-射线衍射,红外光谱,透射电镜研究了晶相和显微结构。用导纳电桥测定了样品室温至350℃的电导率,得出最佳组分X=0.05,该样品电导率σ300℃=1.80×10~(-1)(Ω·cm)~(-1)。证明简单跳跃模型在高温下是合理的。