线缆X射线瞬态响应的电路模型计算

建立了同轴电缆和腔体内带保护层导线、裸导线X射线瞬态辐照响应的电路计算模型,该模型考虑了X射线辐照线缆时电子的运动规律及瞬态响应的产生机理,适用于瞬态响应的规律研究和工程预估。结合实例,介绍了计算模型中电流源、电容参数的物理意义及其计算方法,采用该模型计算了同轴屏蔽电缆的X射线瞬态响应,并与数值计算结果进行了比较。结果表明,电容的计算是采用电路模型计算响应的关键,采用衰减法计算的电子射程更适合计算电容。     

直流X射线模拟电缆X射线响应的可行性

本文对电缆X射线辐照响应的机理和模拟方法进行了研究,分析了电缆直流和脉冲X射线辐照响应的异同。建立了带状电缆X射线辐照响应一维计算模型,该模型包含电缆屏蔽层和介质层间隙、介质层瞬态辐射感应电导率等计算模型,模拟了带状电缆直流和脉冲X射线辐照电流响应。模拟结果表明,在X射线注量相同的条件下,电缆直流和方波脉冲X射线响应具有类似的波形特征及相同的间隙电压。因此,在该计算模型描述的电缆X射线辐照响应机制下,可利用直流X射线开展相应的脉冲X射线辐照响应机制模拟。     

不同能量光子辐照电缆响应规律研究

利用时域传输线(TL)方法计算了不同能量光子辐照同轴屏蔽电缆时的响应规律。计算结果表明：光子能量不同时,电缆介质层中沉积电荷分布不同导致电缆响应极性发生了变化;光子能量增大到一定值后,响应变化幅度很小;1MeV的单能电子经钽靶发生韧致辐射后在电缆上的瞬态辐照响应是前向电子和光子在电缆上响应的综合,两者在电缆上的电压响应均为负值,幅度差别在1.8倍以内;钽靶后面增加一定厚度的铝材料,可明显减小前向电子在电缆响应中的比例。     

pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应

对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳ场效应管进行了Ｘ射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验；通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳ场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。     

成像板对X射线的能量响应

作为X射线探测器,成像板的光激发光子信号对X射线的能量响应是非常重要的数据。利用同步辐射光源的单能X射线照射成像板,得到成像板对低能光子的能量响应曲线,并与MCNP程序计算结果进行对比分析,得到成像板响应函数的衰减模型。计算结果与实验结果一致,为进一步开展成像板在辐射测量领域的研究工作提供了参考。     

线缆瞬态辐照响应的数值研究

应用Holland细线模型和时域传输线模型,并结合实验结论,对裸线、带保护层导线以及同轴电缆3种线缆的瞬态响应进行了数值研究。结果表明：对于裸线,负载较小时,负载的变化对负载电压电流、负载功率和负载能量的影响不大,负载较大时,对响应的影响较大;负载增大时,负载电流响应脉宽增加、幅度减小,负载功率存在最大值,但负载吸收能量却一直增大;负载响应与导线半径成正比、与光子能量成反比。对于带保护层导线,变化保护层厚度时,负载响应存在峰值。相同光子能量和芯线半径条件下,带保护层导线比裸线的响应小,同轴电缆比带保护层导线的响应小,减小幅度与光子能量有关。     

治疗水平电离室剂量计X射线能量响应的研究

通过中能X射线(60～250 kV)照射量国家基准,研究电离辐射治疗水平电离室剂量计的能量响应。对有代表性的三种类型电离室剂量计在中能X射线标准辐射场中进行校准,获得X射线能量响应的平均值和标准偏差,结果显示两种类型的电离室能量响应小于4%,能够满足治疗水平电离室国家计量检定规程的要求。     

稳压器隔室压力短期瞬态响应的计算

本文首先用ＣＡＴＥＭ７程序对大亚湾核电站在稳压器波动管双端断裂事故情况下器隔室力短期瞬态变化进行了计算，并与大亚湾核电站最终安全分析报告给出的计算结果进行了比较，两者计算结果一致然后，再用ＣＡＴＥＭ７对秦山二期核电厂在稳压器波动管双端断裂事故情况下稳压器隔室压力短期瞬态变化进行了计算，给出了计算结果。     

一种X射线变像管能谱响应特性研究

建立了X射线变像管能谱响应特性的理论模型，介绍了一种测量能谱响应的实验方法，得到了理论结果和实验结果，实验值和理论值基本吻合。还分析了理论值和实验值之间的误差来源。     

嫦娥一号X射线谱仪定标

介绍了嫦娥一号X射线谱仪实验室定标,主要包括能量响应(能量与能道关系、能量分辨率)和角度响应,这些定标结果对于环月运行获得的X射线数据的反演与分析是必不可少的.     

基于X射线探测技术的电路设计

主要研究的是基于X射线探测技术的电路.设计电路中包括了输入级、线性放大电路、脉冲幅度分析电路等.同时也研究了高压电源,高压电源为探测器提供高电压,对X射线能级探测有很大的作用.     

DC Arc Plasma Disposal of Printed Circuit Board

A new solid waste disposal technology setup with DC arc plasma is presented. Being different from conventional combustion or burning such as incineration, it is based on a process called controlled high-temperature pyrolysis, the thermal destruction and recovery process. The results of vitrification of the circuit board is presented. The properties of vitrified product including hardness and leaching test results are presented. The final product (vitrified material) and airemission from the plasma treatment is environmentally acceptable.     

用多丝正比室测量低能X射线

我们用一个2mm丝距的正比室对X射线的能响应进行了测量,并用一个侧窗多丝正比室对X射线在多丝室工作气体中的吸收系数进行了测量及讨论。得到的一些实验结果可供设计制作多丝室时参考。     

CPR1000设计瞬态计算中的RETRAN建模

介绍了中国改进型压水堆1000MW核电站(CPR1000)设计瞬态计算中的RETRAN程序建模方法.首先对核岛主设备几何参数进行计算;然后按照应力计算的要求,对CPR1000主设备进行了详细地模拟,建立了大量的控制容积和导热构件.分别进行了稳态调试以及事故瞬态计算,并与珐玛通公司的计算结果进行了比较.结果表明,RETRAN程序模型基本满足设计瞬态分析和设备应力分析边界条件的模拟要求.     

体硅CMOS电路瞬时电离辐射下的自洽防闩锁机理分析

体硅互补型金属-氧化物-半导体集成电路含有寄生4层可控硅结构, 当工作在瞬时γ射线脉冲辐射环境下时易发生闩锁, 导致电路失效, 甚至烧毁,所以电路防闩锁研究意义重大。本文通过求解寄生晶体管中少数载流子连续性方程的方法, 分析了辐射光电流在寄生4层可控硅结构中的持续时间, 提出了集成电路自洽防闩锁的条件, 并得到了自洽防闩锁条件随γ射线剂量率的变化关系。对4层可控硅等效电路和体硅集成电路分别进行了瞬时辐射实验,实验结果与理论分析结果基本一致,验证了理论分析的正确性。     

高温与核环境下大功率电路板散热改进研究

针对高温与核辐射环境下,电子系统经过抗核辐射加固后处于有限密闭空间的大功率电路板散热问题,提出有限密闭空间内强制对流与热流循环通道交叉散热的方法,改变密闭空间内的热量分布,增强电路系统对环境的辐射能力和加快密闭系统内部与环境的热交换过程,有效解决密闭空间内大功率电路板的散热问题。该改进散热方法采用Ansys有限元模拟仿真和实验验证,结果表明,改进的散热方法能够很好解决密闭空间内大功率电路板的散热问题,为实际的工程应用奠定基础。