CH4检测元件中Pd/Al2O3催化剂的制备及反应性能

为提高矿井CH4浓度检测中催化元件的稳定性和可靠性，针对催化元件中催化剂性能这一核心问题进行研究是解决问题的关键．对催化剂结构的表征以及对催化元件工作性能和催化剂反应性能进行了测试，结果表明：经900℃焙烧处理的催化剂载体Al2O3具有适宜于反应的颗粒分散度与孔径分布，催化元件表现出较好工作性能．采用真空干燥处理制备的负载量为3％的Pd／Al2O3催化剂具有较高的反应活性；但助剂的加入使得反应活性有所降低；采用HCl作竞争吸附荆可使活性纽分均匀分布于Al2O3内孔；栽体的二次成型工艺在一定程度上降低了电桥的零点漂移，提高了催化元件的稳定性．     

甲壳质—钯加氢催化剂的催化性能研究

本文研究了高分子金属加氢催化剂，甲壳质的钯配合物，（以下简称ＣＴ－Ｐｄ）实验发现，在常温，常压下，ＣＴ－Ｐｄ配合物能对烯烃，芳香族化合物以及丙烯酸进行高效催化加氢。     

功能化SiO2负载钯催化剂用于交叉偶联反应的催化性能研究

研究了有机/SiO2杂化材料负载的钯配合物催化剂和对碘代苯与丙烯酸Heck交叉偶联反应的催化性能,考察了不同条件对该反应的影响.结果表明:催化剂具有较高的催化活性和立体选择性,可以高转化率、高产率地合成反式肉桂酸,且催化剂经过滤洗涤可回收再利用.同时探讨了催化剂对其他反应底物的催化性能.     

胶原蛋白负载钯催化剂的制备、表征及其催化性能研究

以胶原蛋白为载体制得了生物高分子负载钯催化剂,利用XPS、XRD等手段对其进行了结构表征.研究了该催化剂对碘代苯与丙烯酸交叉偶联生成反式-肉桂酸的催化性能.考察了不同反应因素(溶剂、温度、原料比、缚酸剂及其用量、催化剂用量、反应时间)对反应的影响,确定了该催化剂对碘代苯与丙烯酸交叉偶联生成反式-肉桂酸的适宜反应条件.     

利用负载钯催化剂合成肉桂酸月桂酸酐

介绍了在负载钯（Ｐｄ／７１７强碱性阴离子交换树脂）催化下,二月桂酸二丁基锡与肉桂酰氯发生偶联反应,合成肉桂酸月桂酸酐的方法。同时对溶剂、催化剂用量、反应时间的选择进行了实验。得出了合成反应的最佳条件：反应溶剂是丙酮,催化剂用量２ｇ,反应时间２５ｈ。产率可达８５％。并对合成产物进行了元素分析。     

La对CH_4-CO_2重整反应催化剂性能的影响

采用等体积浸渍法制备了Ni/γ-Al2O3和Ni/La2O3-γ-Al2O3系列催化剂,通过固定床反应、热重分析等方法,考察了催化剂的性能。结果表明：Ni质量分数为10%的Ni/γ-Al2O3催化剂具有较高的活性;稀土元素La的加入,提高了催化剂的抗积炭性能;在相同的反应条件下,10%Ni/3%La2O3-γ-Al2O3催化剂的积炭量比10%Ni/γ-Al2O3催化剂积炭量降低了40%,稳定性大大提高。以Ni/La2O3-γ-Al2O3催化剂中Ni质量分数10%,并且La质量分数3%为最佳,实验条件下制得的合成气CO/H2接近1/1。     

甲壳质─钯加氢催化剂的催化性能研究

本文研究了高分子金属加氢催化剂：甲壳质的钯配合物．（以下简称ＣＴ－Ｐｄ）．实验发现，在常温、常压下，ＣＴ－Ｐｄ配合物能对烯烃、芳香族化合物以及丙烯酸进行高效催化加氢．     

钯氮膦配体络合物催化剂均相催化氯苄双羰基化反应研究

文章研究了用钯单膦配体络合物催化氯苄双羰基化反应生成苯基丙酮酸甲酯的催化反应。考察了反应温度，反应压力及催化剂用量对反应产率和选择性的影响。结果表明反应压力达6.0MPa后产率无明显变化；反应温度在373K时，产率和选择性都达到最大值；催化剂用量有一定最适宜值，配体不同此值也不同。并探讨了体系的双羰基化反应机理。     

负载型钯催化剂完全氧化性能的研究

研究了以含有稀土的Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金为载体的铂催化剂的制备及其催化燃烧性能。实验表明：在苯蒸汽浓度为３２４０ｍｇ／ｍ３，空速为３００００／ｈ的催化燃烧实验条件下，经特殊工艺制得的最优催化剂，在９００℃高温下于空气中的烧后，完全燃烧温度为２４０℃，取得了令人满意的结果，同时，提出了催化剂制备的最优方案，并对其催化活性机理进行了初步探讨。     

加氢裂化催化剂硫化的研究

用程序升温硫化的方法研究了ＮｉＯ－ＭｏＯ３／ＵＳＹ型加氢裂化催化剂。探讨了程序升温过程对催化剂硫化效果的影响。硫化后,催化剂的总活性增加,加氢裂化反应的转化率提高幅度为７．５８％～６２．３８％。催化剂加氢活性的提高尤为明显,这对加氢产物的生成十分有利。在实验开始和实验结束时,催化剂的活性都相当稳定。     

Pd/GNPs-CNTs催化剂的制备及甲醇电氧化性能

以石墨烯纳米片(GNPs)和碳纳米管(CNTs)的混合物为载体,利用微波辅助合成法制备Pd/GNPs-CNTs电催化剂,考察Pd在混合载体上的分散效果及电催化性能。结果表明,混合载体的使用改善了Pd粒子的分散性,提高了甲醇氧化反应的电流密度。同时甲醇氧化起始电位也发生了一定程度的负移,动力学性能得到改进。     

制备条件对磷化钼催化剂重整性能的影响

研究了络合剂、溶解反应时间、还原温度等因素对磷化钼催化二氧化碳重整甲烷制取合成气重整性能的影响。结果表明：还原温度较低时,催化剂晶型不够稳定,温度太高催化剂容易聚集均影响催化剂的活性;以柠檬酸为络合剂,溶解12 h,还原温度923 K时催化剂有较好的反应活性。     

疏水缔合水凝胶对CH4的储气性能研究

以丙烯酰胺（AM）为亲水单体,与两种单体（丙烯酸十八酯C18、两性单体二甲基乙酰胺DMAC）、三种表面活性剂（十二烷基硫酸钠SDS、四丁基溴化铵TBAB、十六烷基三甲基溴化铵CTAB）采用自由基溶液聚合法制备得到5种疏水缔合水凝胶,并测量了5种水凝胶对CH4的储气性能及吸水性能。结果表明,两种表面活性剂（TBAB、CTAB）的添加,对水凝胶的储气性能有明显的影响,其中,水凝胶HC⁃SDS/TBAB对CH4的储气性能最好;两种表面活性剂的添加,对水凝胶的溶胀率也存在明显的影响,添加有两种表面活性剂的水凝胶溶胀性能明显低于单一添加SDS的水凝胶溶胀性能。     

超细铜基催化剂上CO2加氢合成甲醇催化性能研究

用溶胶-凝胶法制备得到超细Cu—ZnO／TiO2-SiO2催化剂。考察了在CO2加氢合成甲醇反应中，还原温度、反应温度、反应压力和体积空速对催化剂活性和选择性的影响。确定了该体系催化剂的适宜反应工艺条件，并对催化剂组成与催化活性的关系进行了研究。     

Pd/HZSM-5催化剂异构化反应特性的研究

为了筛选适用于异构化 /吸附分离工艺的催化剂 ,考虑到ZSM -5分子筛对直链烷烃的择形催化作用 ,以其为载体 ,采用离子交换法对其改性 ,并负载了不同含量的贵金属Pd。在此基础上 ,利用微反 -色谱系统考察了不同Pd负载量、氢压和反应温度对HZSM -5催化剂异构化活性的影响以及Pd对该类催化剂异构化选择性和稳定性的影响。结果发现 ,HZSM -5催化剂负载Pd后可以有效地提高反应的稳定性及异构化选择性 ;金属分散度的提高有利于改善催化剂的异构化选择性 ;反应温度过高将导致金属的加氢裂化活性增强 ,使异构化选择性下降 ,因此以中温 2 50℃为好 ;在中温下操作时 ,为保证一定的异构化活性 ,氢压不宜太大 ,应控制在 1 .5MPa左右。     

Tren缩三(邻苯甲酰基乙基醚)胺穴合物的合成及表征

为了进一步研究和分析新型配体过渡金属穴合物的结构及性质，以tren和三（邻苯甲酰基乙基醚）胺为原料，在冰浴条件下，以无水甲醇为溶剂，通过席夫碱缩合反应，成功的制备了tren缩三（邻苯甲酰基乙基醚）胺席夫碱穴合物配体，并通过金属的原地置换反应，制备了相应系列Ni(Ⅱ）、Cu(Ⅱ）、Mn(Ⅱ）、Zn（Ⅱ）和Cd（Ⅱ）的穴合物。并通过元素分析、FT－IR、NMR、UV等谱学手段对所制备的配体和配合物的结构及性质进行了分析研究。     

Ni/MgO-Al_2O_3催化剂的制备及在CO_2重整CH_4反应中的应用

采用溶胶-凝胶法制备了纳米催化剂的载体复合氧化物MgO-Al2O3,然后采用浸渍法制备出纳米Ni//MgO-Al2O3催化剂,并将其应用在CO2重整CH4反应中,结果表明,在适宜的反应条件下,纳米Ni//MgO-Al2O3催化剂具有很好的活性和稳定性.     

Na2WO4·2H2O催化氧化环己醇/环己酮合成己二酸反应的研究

对环己醇/环己酮氧化合成己二酸的钨酸钠催化剂及加入的配体进行筛选.选择可变因子设计正交试验,对结果进行方差分析,找出主要影响因素:配体种类、配体用量、反应时间和催化剂用量,同时优化了反应条件.磺基水杨酸为配体且用量为1.8mmol、醇/酮为1/2、催化剂用量为2.0mmol、反应时间为8h时,己二酸收率达到76.6%.     

30℃时K_2SO_4和（NH_4）_2SO_4在CH_3OH－H_2O溶液中的共饱和度研究

本研究测定了３０℃时Ｋ２ＳＯ４－（ＮＨ４）２ＳＯ４－ＣＨ３ＯＨ－Ｈ２Ｏ四元体系的共饱和度，分析了ＣＨ３ＯＨ含量对Ｋ２ＳＯ４及（ＮＨ４）２ＳＯ４共饱和度的影响，得出了以ＣＨ３ＯＨ为盐析剂，从Ｋ２ＳＯ４和（ＮＨ４）２ＳＯ４的水溶液中晶析Ｋ２ＳＯ４的规律，为Ｋ２ＳＯ４和（ＮＨ４）２ＳＯ４的分离提供理论依据。     

H2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.通过提高H2稀释度,使得SiC薄膜的质量得到了改善.选取高H2稀释度,利用原子氢在成膜过程中的刻蚀作用稳定结晶相,可在较低的衬底温度下,沿Si(102)择优取向异质生长出晶态SiC薄膜.