快启动锑化铟红外探测器组件

本文报导了一种新型的红外探测器组件，该实用化组件具有无杜瓦结构，体积小，重量轻，快启动等特点。     

光伏型锑化铟多元红外探测器

本文简要介绍用箱法扩散成结,蒸发SiO_2钝化表面和金属化层作欧姆接触,热压焊等类似Si集成电路工艺研制的InSb多元红外探测器的情况,获得了高阻抗、无串扰的线列器件。并就工艺对串扰和均匀性的影响进行讨论。     

室温红外薄膜探测器

基于红外探测器在国民经济与军事上有重要应用，国内外学术界很注重对此的研究。一般最常用的是碲隔汞红外探测器，以及最近研究较多的量子阱红外探测器。这类器件虽然有较高的深测灵敏度，但它们必须在低温条件下使用．另一类是在室温条件下使用基于热电效应的铁电红外探测器．近年来，国外对铁电薄膜型的探测器研究更为重视，曾发表了不少论文．本文报道我们在研制室温薄膜红外探测器方面的工作。探测器样品以LaAlO3晶体为片基，在它上面通过沉积法依次制备高温超导薄膜层（YBCO）和掺来的铁电薄膜层PZT，再在其上面蒸镀一层金电极．…     

用于高灵敏度红外探测器的超薄硅膜的研制

超薄、平整的硅膜对于制作高灵敏度红外探测器是非常重要的。这种超薄硅膜的各向异性腐蚀技术，包括有机溶液EPW和无机溶液KoH及KoH IPA(异丙醇)。从腐蚀速率、腐蚀表面质量、腐蚀停特性、腐蚀边缘形貌及腐蚀工艺的角度分析比较了两种腐蚀系统，分别制作出了约1μm厚的平整超薄硅膜，并研究了不同掩膜材料在腐蚀液中的抗蚀性，为高灵敏度红外探测器的制作奠定了工艺基础。     

光伏锑化铟红外探测器的电容效应

在调制信号下工作的光伏锑化铟红外探测器的探测率和响应率受探测器的交流特性的影响，减小探测器的电容有利于提高其电压响应率和探测率。     

室温InAsSb长波红外探测器的研制

用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,霍尔测量得到的载流子浓度为1～3×1016cm-3,电子迁移率大于5×104cm2/Vs。用此材料制得了2～9μm波段的高灵敏度In-AsSb室温红外探测器。该探测器为浸没型光导元件,安装了镀有SiO或ZnS增透膜的单晶Si光学透镜。在黑体温度为500K、黑体调制频率为800 Hz和外加偏置电流为10 mA的测试条件下,测得293K下该探测器的最高黑体响应度达到168V/W,黑体探测率为2～6×108cm·Hz1/2·W-1,峰值探测率大于1×109cm·Hz1/2·W-1。     

室温锑化铟在探测器阵列靶中应用问题研究

锑化铟探测器阵列靶是红外激光光斑测量的重要仪器。仪器中的光导型锑化铟探测器对温度比较敏感,这容易使后级信号处理电路的静态工作点出现温度漂移现象,影响阵列靶探测精度。针对这一情况,设计了一个可以根据环境温度实时调整静态工作点的系统,有效地解决由于探测器静态阻值随温度变化而引起的静态工作点的漂移问题,为室温锑化铟红外探测器在各种环境下的应用提供了一套有效的解决方案。     

256元锑化铟光伏焦平面探测器

本文从几个方面简要介绍了２５６元锑化铟光伏焦平面探测器的研究情况，并从焦平面的角度讨论了长线列探测器的工艺及设计要求，另外也介绍了信号处理电路的研制情况以及如何完成焦平面的互连及测试工作。最后介绍了器件的测试结果及一些应用情况。     

优质锑化铟晶体和探测器组件

本文介绍采用（２１１）方向生长的ＩｎＳｂ晶体，在均匀性方面有明显的改善，用此晶体制造的３～５μｍ光伏探测器组件，有优越的性能，该产品已提供用户使用８年之久，性能一直保持稳定。     

高温超导红外探测器

本文描述了红外探测器用高温超导体的性能与制备,高温超导红外探测器的种类、特性、优越性及其制作,并且展望了高温超导红外探测器的应用前景。     

低温光导型InSb红外探测器研究

文中讨论了决定光导型探测器性能的主要因素。在理论分析的基础上，对低温单元光导InSb探测器的主要工艺参数进行了分析和估算。简单介绍研制结果。     

InSb红外探测器组件的无输出问题研究

研究了InSb红外探测器组件的无输出问题。通过故障分析确定探测器的失效部件为InSb芯片。结合器件结构和工艺,对InSb器件的失效机理进行了研究。发现器件在去胶工艺中有光刻胶残留,在后续的钝化工艺中会生成难以腐蚀去除的沾污层,导致电极膜层存在可靠性隐患。经历高温、振动等环境试验后电极浮起,导致了探测器组件的无输出问题。     

高灵敏度单片集成W 波段功率检波器*

介绍了一款高灵敏度W 波段功率检波器芯片的设计及其封装测试结果。该检波器电路采用标准0. 1 μm GaAs pHEMT 工艺设计加工制造完成。封装测试结果显示,当射频输入信号功率为-15dBm 时,检波电路在90 ~ 95GHz 频率范围内的电压灵敏度大于6000mV/ mW。该电路具有很好的宽带特性,可以工作在86 ~ 100GHz 频率范 围内,几乎覆盖了W 波段的所有常用频率。此外,该检波器电路芯片结构紧凑,面积仅为2×1mm² ,适合高密度的射 频前端集成。     

W 波段宽带高灵敏度功率检波器

在对肖特基二极管等效电路模型精确建模的基础上,设计并制作了W 波段宽带高灵敏度功率检波器。根据GaAs 低势垒肖特基二极管的物理结构,建立了二极管等效电路模型,并通过对W 波段检波器试验模块的研制和测试提取了准确的电路模型参数。最后,针对宽带工作要求,根据二极管等效电路模型,优化了射频阻抗匹配网络,使检波器工作频率能够覆盖78～98 GHz。测试结果表明,当输入功率为-30 dBm 时,82 GHz 处检波灵敏度达到了7000 mV/ mW,78～98 GHz 范围内检波灵敏度高于1500 mV/ mW,实测正切灵敏度优于-36 dBm。实测和仿真结果一致,验证了二极管等效电路模型的准确性。     

光伏InSb探测器R_0A值的测试与分析

对所生产的光伏 In Sb器件 R0 A值进行了测试 ,结面积为2 .9mm的单元器件 R0 A值在 5.71× 1 0 4～ 5.75× 1 0 6Ω cm2之间 ,50× 1 0 0 μm2的线列器件典型 R0 A值为 3× 1 0 4 Ωcm2 ,对测试结果进行了分析。讨论了器件表面漏电对 R0 A值的影响。     

高Tc超导红外探测器的发展

较全面地阐述了国内外高T_C(>77K)超导红外探测器的发展水平,它包括红外探测机理,探测器的结构和工艺以及今后的发展趋势,特别评估了高温超导红外焦平面的潜在应用价值。     

基于可靠性试验的InSb红外探测器失效机理研究

对于芯片加速寿命可靠性试验来说,温度是其中最重要的一环。首先,立足于芯片可靠性试验中温度的变化,探究高温烘烤对InSb红外探测器芯片光电性能的影响;然后对盲元的类型进行了分类,并总结出了像元损伤的可能原因;最后利用有限元分析软件对探测器结构进行了热应力仿真和分析,进一步明确了芯片碎裂的机理。由仿真结果可知,芯片中心位置受力较大,其值在680 MPa左右,这与InSb探测器中心位置易发生疲劳失效现象相吻合。提供了一种研究InSb探测器失效机理的新思路,对于高性能InSb红外探测器的研制具有一定的实际指导意义。     

量子响应高温超导薄膜红外探测器

基于超导探测器具有量子响应的实验论据，用量子理论导出高温超导薄膜探测器的，表明超导探测器的正比于超导薄膜长厚比的平方根，而与宽度无关。因此，采用超导薄膜（减小厚度），同时将薄膜光刻成弯曲线条或蛇形，增加其长度，将获得高Ｄ＊值的超导探测器。这是具有量子响应的超导探测器的重要结论。它为超导红外探测器的研制、设计提供了重要的理论依据。