基于改进型混沌映射窗函数的忆阻器模型研究

忆阻器被认为是除了电阻,电感,电容外的第四种基本的电路元件,是一种具有记忆功能的非线性电阻。目前,忆阻器原理及其应用是电路学研究的热点和前沿问题之一。本文总结了忆阻器在不同环境下的常见的几种模型,并对模型进行了改进,另外对忆阻器在滤波电路上的应用进行了仿真。     

蔡氏电路的仿真研究

从理论分析和仿真两个角度分别研究非线性电路中的混沌现象。蔡氏电路是一个典型的混沌电路,只要改变其中一个元件的参数,就可产生多种类型混沌现象。在Matlab的平台上编制相关系统和蔡氏电路数学模型的计算机仿真程序,就可实现双蜗卷和单蜗卷状态下的同步。研究结果表明在相同的混沌行为下,仿真实验与理论分析结论十分吻合,能准确地观察到混沌吸引子的行为特征。     

大功率忆阻器的实现方法及应用

由于纳米尺度的忆阻器件不能直接用于电路研究,目前仍通过搭建等效电路的方法实现忆阻元件的功能。有别于采用模拟器件的忆阻器等效电路模型,本文提出了几种基于电力电子变换器的大功率忆阻器实现方法,这些方法的共同特点是电路模型的功率等级由功率半导体器件参数决定。接着,本文制作了一台磁控型忆阻器原理样机,仿真和实验结果证明该忆阻器电路模型具有功率调节范围大、忆阻特性易于调整等优点。最后,本文探讨了忆阻器在直流断路器等大功率场合的应用,为拓展忆阻器今后的应用提供了参考。     

微腔介质阻挡放电忆阻特性分析

为了研究微腔结构介质阻挡放电的非线性电阻特性,搭建微腔结构介质阻挡放电的仿真模型,研究其放电过程中的电压和电流关系从而得到其伏安特性曲线.根据忆阻器数学模型及忆阻器物理模型,建立忆阻器的MATLAB仿真平台.应用阻变机理对忆阻器的伏安特性进行分析并与介质阻挡放电的伏安特性进行比较,发现微腔介质阻挡放电过程中的伏安特性与忆阻器的忆阻特性相似.从电荷转移角度进一步分析微腔介质阻挡放电过程中的忆阻特性.     

受控变压器的研

本文提出了另一种新的受控元件——受控变压器。文中仅在压控、流控、磁控、荷控变比情况下导出八种自控的双口变压器与四种他控的三口变压器的端口方程,用线性双口受控源。单口线性电容元件与模拟乘法元件来综合的电路模型和目前考虑到的一些应用:单口非线性具有立方规律的电阻(电导、忆阻、亿导)元件、具有反比规律的电阻(负忆阻、负忆导)元件,Ⅲ、Ⅳ、Ⅸ、Ⅹ型三口联接器等。     

基于忆阻器材料的人工神经突触的研究进展

忆阻器是一种结构简单、功耗小和操作速度快的新兴非线性存储器,兼具记忆和逻辑运算的功能,忆阻器与生物大脑的神经突触类似,是一种极具潜力替代当前计算系统的电子材料。简述了忆阻器的基本原理与特性、忆阻器在模拟突触可塑性方面的研究现状和忆阻器材料在人工神经突触应用方面的最新研究进展,并展望了忆阻器材料在人工神经突触研究中的发展趋势。     

变型蔡氏电路的混沌保密通信

为了产生更复杂的混沌系统,使通信更安全可靠,设计了一种产生丰富混沌行为的变型蔡氏电路,并进行了理论分析和计算机仿真.在此基础上根据驱动-响应同步原理设计了混沌保密通信电路,以方波作为输入信号进行了相应的硬件实验研究,给出了通信系统中各元件的参数和各部分的波形.结果表明:电路实验结果与计算机模拟结果完全符合,并且在响应电路和驱动电路的元件参数一致,其相对误差小于1%的条件下,当输入方波信号频率在约8 kHz～9 MHz时,该变型蔡氏电路的混沌保密通信系统可以实现保密通信.     

改进型忆阻退化jerk系统初值敏感的动力学和瞬态行为

针对忆阻非线性动力学系统出现初值敏感的超级多稳态行为问题,提出在退化jerk系统的基础上引入理想有源磁控忆阻器,建立了四维改进型忆阻系统.系统具有无穷多线平衡点,理论分析其稳定性,并通过数值分析进行了分岔行为研究,发现改进型忆阻系统具有随初始值变化的无穷多吸引子共存行为.此外,在特定的初始条件下,不仅存在瞬态混沌和瞬态...     

介质阻挡放电忆阻特性分析

为了研究介质阻挡放电放电间隙的伏安特性,搭建同轴介质下介质阻挡放电的电路模型,研究其放电过程中的电压和电流关系从而得到其伏安特性曲线,对放电过程中的气体电压、放电电流和电荷变化进行分析。搭建忆阻器Matlab仿真模型,仿真得到忆阻器的伏安特性曲线,对忆阻器电气特性进行分析。通过分析比较发现介质阻挡放电过程中具有忆阻特性。     

开设“非线性电路混沌效应”实验的实践与探索

利用九孔板套件研究了非线性负阻的伏安特性,解释了混沌产生的原因,并且实现了对混沌现象的观测;在突出了非线性负阻在产生混沌过程中所起的决定性作用的同时,简化了电路的连接,有助于学生更形象地理解非线性电路和混沌效应。     

低压配电用浪涌保护器试验中的几个问题分析

介绍了以拥有大通流容量的开关型SPD为代表的Ⅰ级试验品进行动作负载试验预处理试验时,IEC 61643-1:2005规定应用8/20μs电流波进行触发续流试验,是因为RLC结构的10/350μs冲击装置的电容量相对8/20μs很大,容抗相对试品导通阻抗较小,续流发生时,试验回路可等效成容抗和试品导通阻抗的并联结构,工频电源产生的续流更容易从阻抗小的支路中流过,且此时主电路开关会发生严重的拉弧现象,严重影响开关的使用寿命,试验论证了上述观点。对氧化锌压敏电阻(MOV)残压测试时,流过MOV的电流为零时,测得的残压仍会维持一段时间后归零,可能是受电容器上的残余电荷的影响所导致的,利用试验并结合二阶电路理论,对测试时电路的工作状态分析了该问题。     

万能式断路器抗冲击和防回弹问题研究

运用高速摄像仪对某万能式断路器（ACB）的分闸过程进行研究分析。介绍了一种用于舰用ACB的抗冲击和防回弹两用装置,并对加载该装置的样机进行了试验验证。试验结果表明,该装置能有效地解决ACB的抗冲击和防回弹问题。     

智能变电站同杆双回线保护功能优化的探讨

同杆双回线的线路保护一般按单回线路独立配置,在保证可靠性的同时,往往牺牲了保护灵敏度。文中在同杆双回线保护按单回线路独立配置的原则下,通过站内通信网络共享两回线路的交流量和开关量信息,提出了双回线路保护性能优化的具体方法,为双回线跨线故障选相、零序互感影响、故障测距、距离保护等提供了新的解决思路。     

射频微波功放器件非线性记忆效应测量与行为建模技术的新进展

将综述具有记忆效应的射频微波功放器件非线性表征、测量和行为建模的最新进展。首先通过比较连续波和脉冲射频大信号测量实例,揭示自热与电器记忆效应对射频微波功放器件性能的影响。然后介绍如何将X参数行为模型扩展到考虑了射频微波器件强非线性及长期记忆效应的动态X参数行为模型理论、实验方案和模型记忆核辨识实例。最后展望了非线性长期记忆效应测量与行为建模技术的未来发展研究方向。     

基于单片机的大电感参数动态测量研究

测量如电力变压器、发电机、电抗器等大电感设备的直流电阻和电感参数意义重大,是对这类设备检测和检修不可或缺的工作。提出了一种可以同时测量大电感直流电阻和电感的动态测量方法,这种可方法只需要在测量回路中串联一个已知的电感和电阻,进行两次采样便可快速得到电感直流电阻和电感值,通过单片机进行采样和计算,能方便地同时得出大电感和其电阻值,而且测量的准确性很高,有很高的实用价值。该方法在单片机的仿真软件Proteus中得到了验证。     

托克托电厂阻塞滤波器引发机组异步自励磁的分析

针对托克托电厂阻塞滤波器(blocking filter,BF)运行中出现的异步自励磁现象,从电路原理、特征值分析和电磁仿真3个方面分析了其机理。在电路原理上,分析了BF非线性阻抗频率特性,阐明BF在特定频率段内呈强容性和弱阻性是其与机网形成串联型参数谐振进而导致异步自励磁的内在原因。然后采用特征值方法定量分析了异步自励磁的稳定性,以及机、网和BF参数对自励磁风险的灵敏度的影响。最后基于详细电磁仿真复现8号机BF投运试验中出现的异步自励磁现象,对比仿真和现场试验结果,验证了电路和特征值分析的正确性,为进一步修正BF设计、解决托克托电厂次同步谐振问题奠定了基础。     

大型发电机灭磁及转子过压保护分析

通过目前国内外普遍采用的灭磁方案比较及存在的问题,重点介绍了新型PTC线性电阻配合非线性电阻灭磁的动作原理,提出了一种新颖可靠的发电机灭磁方案。     

基于微处理器和IGBT模块的单稳态永磁机构控制器设计

介绍了一种以MSP430F149单片机为核心,基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）的单稳态永磁机构控制系统。设计了硬件电路及主控软件,提出了保证IGBT驱动电路可靠工作的实现方法,该控制器采用RS一485通信实现了与上位监控系统的数据交互,实现了永磁机构真空断路器的智能控制。     

利用泄漏电流递归分析法研究绝缘子雾凇闪络

绝缘子的运行状态直接关系输变电线路的安全运行.由于泄漏电流贯穿于绝缘子运行始终,能够直接反映绝缘子表面状态及放电特征.在实验条件下模拟雾凇环境,以硅橡胶绝缘子为试样,将其悬挂于雾凇环境下不同时间,雾凇即在绝缘子表面凝结,然后分别施加电压至发生闪络.通过高速摄像机记录闪络现象和过程,采用递归分析法研究泄漏电流的非线性特征,将闪络发展过程中泄漏电流的内在变化在递归图及其定量指标中表征出来,结果表明泄漏电流的非线性特征变化与闪络过程中绝缘子表面放电现象具有很好的一致性,有效揭示了绝缘子雾凇闪络过程的发展以及闪络发生的机理,从而提高户外绝缘子运行的可靠性与准确性.