GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究

分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。     

InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响

本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs／A1GaAs应变多量子阱，量子阱的厚度分别为3nm和6nm，对其光致发光谱(PL)进行了研究，二者的发光波长分别为843nm和942nm，用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs／A1GaAs量子阱带隙的改变，这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。     

Design and Characteristics of InGaAs/GaAs MQW SEED Arrays Structure

讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs／GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响．采用InGaAs／GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区,从而获得了980nm工作波长．设计和分析了InGaAs／GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构．多量子阱材料是用MOCVD系统生长,利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量,证明了器件结构的设计和分析是准确的．     

半导体激光器、集成光学激光器

9907300GaAlAs/GaAs 量子阱 LD 泵浦 Nd:YAG 激光器[刊]/王晓华//半导体光电.—1998,19(6).—407～408(EdD)利用分子束外延技术生长出了 GaAlAs/GaAs 折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对 Nd:YAG 激光器进行端面泵浦实验,在工作电流为3.3A时,LD 输出功率为2.7W,得到 Nd:YAG 激光器的输出功率达700mW,光-光转换效率达26％。参2     

硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器

采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11％.     

国外量子阱红外焦平面探测器的发展概况

以GaAs／A1GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面探测器因其成熟的材料生长和器件工艺技术,一直是与传统的HgCdTe红外探测器并驾齐驱的红外探测器。近十年来随着对器件结构、机理及器件工艺的不断改进,大面阵Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面器件发展显著。本文介绍了量子阱红外焦平面探测器的优越性及存在的问题,当前欧美国家量子阱红外焦平面探测器的最新研究发展、产品现状及应用前景。     

MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器的量子阱和 n-GaAlAs 限制层里均存在着一个浓度和俘获截面较大的高温电子陷阱,该陷阱可能与MOCVD生长工艺和质子轰击引进的损伤有关,它直接影响激光器的性能.DX中心和高温电子陷阱在量子阱里可能局域在GaAlAs/GaAs层的界面附近.     

匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且锐，每个阱的激子跃迁峰清晰可辨．当阱宽大于6nm时，阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好；当阱宽小于6nm时，实验值小于理论值；对阱宽相同的窄阱而言，我们样品的实验值高于Tsang的实验值，当阱宽小于4nm时，阱中激子跃迁谱峰的半高宽小于当量子阱界面起伏一个分子单层时所引起的展宽值，表明量子阱的界面具有原子级的平整度；与1nm阱相应的低温光致     

InGaAs／AlGaAs 941 nm高功率半导体激光二极管阵列

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs／GaAs／AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm，光谱的半高全宽(FWHM)为3．3nm，在400μs、50Hz的输入电流下，输出峰值功率达到67．9W，斜率效率高达0．85W／A(64％)。     

新型GaAs／GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器

提出一种新型GaAs/GaAlAs子带间光吸收的红外光电导探测机理,利用MOCVD系统进行器件材料的生长,研制了200μm×200μm的台面形式单管,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象,对器件的性能测试结果表明,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加,器件噪声比常规GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器低一个数量级.