高压IGBT芯片换流运行的热稳定性分析

为保证高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)器件换流运行时的热稳定性,需要根据IGBT芯片的电热特性和器件的散热设计,确定芯片运行的热稳定工作区,从而指导器件的运行条件控制。虽然针对芯片动静态损耗的热稳定性分析已经发展了许多年,但目前针对高压芯片的相关研究还较少。首先,通过实验测量了3.3 kV非穿通(Non-Punch Through, NPT)型和场截止(Field Stop, FS)型IGBT芯片的动静态特性,获得并分析了温度、电流及电压对动静态损耗特性的影响规律。在此基础上,给出了IGBT芯片的损耗拟合公式,通过对器件内部的热反馈过程进行分析,提出了具有解析形式且包含占空比、换流频率及电压电流等器件运行工况的IGBT芯片的热稳定性判据。根据所提的判据,分析了高压NPT型和FS型IGBT芯片的换流运行的热稳定性,可方便确定IGBT芯片在不同的换流条件下的最大工作频率和最大工作电流,简化了高压IGBT芯片的热稳定性分析,并可为高压器件的选型和损耗评估提供依据。     

压接型IGBT芯片动态特性影响因素实验研究

压接型IGBT器件内部具有复杂的电-热-力环境，直接影响了其内部IGBT芯片的动态特性，进而决定了整个器件的安全工作能力。为此，研究不同影响因素下的压接型IGBT芯片动态特性具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性，利用所研制的具有多因素解耦、灵活调节能力的双脉冲实验平台，针对一款3.3kV/50A压接型IGBT芯片，测量获得了不同母线电压、负载电流、驱动电阻、温度及机械压力下的双脉冲实验波形。分析了不同影响因素对双脉冲波形的影响规律，对比了不同影响因素对IGBT动态特征参数影响程度，结果表明母线电压主要影响关断过程，负载电流、驱动电阻和温度主要影响开通过程，机械压力对开通关断过程的影响很小，研究结果对IGBT芯片建模及压接型IGBT器件安全运行具有重要的指导意义。     

计算机与网络

我国 CPU卡芯片实现“中国制造” 　　上海华虹 NEC电子有限公司与中国华大集成电路设计中心在国家“ 909工程”产品设计、制造、应用成果汇报会上共同宣布,我国 CPU卡芯片结束了依赖国外制造的历史,已经可以全部自主实现 CPU卡芯片的设计、制造全过程。 上海华虹 NEC公司于去年 4月正式开展面向国内客户的委托加工业务,中国华大第一家向其转移自主设计的产品。在双方的密切配合下, 2001年 1月第一批由国内自主设计、加工的 0.35微米、 8英寸硅片 CPU卡芯片成功下线,经测试各项指标均达到国际同类产品性能要求。 据介绍,上…     

新型IGBT的混合IC驱动器的研究

详细介绍了绝缘栅双极性晶体管(IGBT)专用驱动芯片EXB841内部结构、功能及其应用.其独特的负压可靠关断IGBT和过流保护功能,经实验检验有效、稳定、可靠.     

发展微电子产业 促进通信行业技术进步

一、发展微电子产业势在必行 60年代以来,随着世界科技的发展,微电子技术水平和产业规模已成为衡量一个国家经济发展、技术进步和国防实力的重要标志。然而,我国集成电路产业的总体水平落后于国际水平15年左右。去年,我国集成电路产量仅占世界总产量的0.3％。在技术上,国外主流芯片生产技术早已以6英寸硅片、0.8微米为主,并向8英寸、0.5微米过渡。而我国芯片生产仍以4至5英寸硅片、2～3微米技术为主,刚开始向6英寸、1.2微米技术过渡。为此,国家每年不得不花10亿美元以上的外汇,进口国内所需要的集成电路。今后每年还会以20％的速度递增。如果不改变目前局面,今后10年国家将为进口集成电路花掉500亿美元以上的外汇,并使我国科技和经济发展无法摆脱受制于人的境地。     

基于1ED020I12FTA芯片的IGBT驱动电路研究

因输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好等一系列优点,IGBT在电机控制、逆变器、UPS等系统中有着广泛的应用。随着IGBT功率的增加,对其门极驱动电路的性能要求也日益增加。基于英飞凌公司的新型IGBT驱动芯片1ED020I12FTA设计了完整的IGBT门极驱动电路,经过实验验证,系统运行稳定可靠。     

能源与环保

国内首批碳化硅外延晶片厦门投产国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技(厦门)有限公司投产,并已接到首笔商业订单,填补了国内该领域空白。2013年,瀚天泰成还计划     

汽车与车辆

国内首条重型车纵梁辊型生产线建成国内首条重型车纵梁辊型生产线在东风商用车公司车架厂建成投产。据介绍,辊压成型线来自意大利STAM公司,3台数控3面冲压由比利时SOENEN公司生产,采用瑞典ABB公司联合开发的等离子切割机、丹麦迪砂公司制造的抛丸设备等,汇聚了当今世界车架纵梁加工技术中最先进的顶级装     

一种三电平高压变频器IGBT驱动电路的实现

三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管（IGBT）驱动电路有特殊的要求，比如：高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求，采用美国UNITRODE公司生产的UC3726／3727驱动IGBT芯片对，两芯片可组合使用，从而可以达到理想的驱动效果。测试结果表明了该方法的可行性。     

我国首台真空波荡器研制成功

中国科学院上海应用物理研究所自行设计和研制出国内首台用于硬X射线微聚焦及应用光束线站(BL15U1)的真空波荡器。BL15U1是上海光源工程首批光束线站中,第一条进行调试的真空波荡器光束线站。真空波荡器是决定中能第三代同步辐射光源能否产生可与高能光     

深圳高新技术重大项目引进获突破性进展

深圳市在高新技术重大项目引进方面获突破性进展．近3年来,深圳成功引进了集成电路和平板显示重大项目14个,投资额达67亿美元．其中,在集成电路项目方面,引进了中芯国际8英寸及12英寸芯片生产线、方正微电子6英寸锗硅芯片生产线、世纪晶源化合物半导体产业基地、深爱半导体5英寸功率器件生产线、意法半导体龙岗封装测试、沛顿科技封装测试和华润微电子封装测试等一批大型项目;在平板显示领域,     

国内首批碳化硅外延晶片厦门投产

国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技（厦门）有限公司投产，并已接到首笔商业订单，填补了国内该领域空白。2013年，瀚天泰成还计划试生产6英寸规格的碳化硅外延品片；到2016年，将实现年产碳化硅外延晶片2万片，产值有望达到4．2亿元。     

IGBT驱动模块的研究

介绍了IGBT的驱动特性,对IGBT专用集成驱动芯片EXB841和M57962AL作了比较研究.根据EXB841在应用中存在的问题,提出了一种优化设计电路.并介绍了IGBT与M57962AL两种驱动模块的优缺点.     

多路输出型单端反激式开关电源设计

从单端反激式开关电源、单端反激式变压器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动电路3个方面,对开关电源电路进行了细化分类与设计.利用UC3844芯片设计了单端反激式开关电源电路,利用316J芯片设计了IGBT驱动电路.结果表明,所设计的开关电源电路能解决高频开关电源的控制问题.     

我国酋台真空波荡器研制成功

中国科学院上海应用物理研究所自行设计和研制出国内首台用于硬X射线微聚焦及应用光束线站（BL15U1）的真空波荡器。BL15U1是上海光源工程首批光束线站中，第一条进行调试的真空波荡器光束线站。     

拥有自主知识产权的CA6DM柴油机生产线建成

国内首条拥有自主知识产权并具有国际先进水平的CA6DM（11升）柴油发动机生产线在一汽解放汽车有限公司无锡柴油机厂建成。     

基于有限元法的半桥IGBT混合模块的可靠性分析与优化设计

为了避免过高的温度和热应力使IGBT模块内部材料疲劳失效,建立了硅基IGBT与碳化硅基JBS组成的半桥IGBT混合模块的有限元仿真模型,通过改变芯片排列位置、各层结构的厚度,以及焊料和陶瓷基板的材质,研究模块结温及最大热应力变化规律,并对模块封装结构进行优化。优化后模块的结温与最大热应力分别下降18 ℃和80.2 MPa,提高了模块的可靠性。     

汽车与车辆

<正>我国首条完全自主知识产权中低速磁浮铁路试运行2015年12月26日,我国首条完全自主知识产权中低速磁浮铁路在长沙开通试运行。该磁浮快线总长1 8.55km,连接长沙火车南站与黄花机场,主要用于小运量运输,是目前世界上最长的中低速商业运营磁浮铁路线,是全球第4条磁浮快线、第3条中低速磁浮快线,一旦顺利通过试运行,有望成为全球第2条投入试运营的磁浮快线。     

高速智能球型摄像机

天津三星电子有限公司生产的SCC-641P／643AP高速智能球型摄像机，采用1／4英寸CCD芯片与数字信号处理技术(DSP)，内置3．6mm～79．2mm非球面镜头，具备22倍光学变焦，10倍数码放大；实现了智慧型、高清晰、夜视功能，可360度全方位监控现场，并可高速旋转，最大水平旋转240度／秒，     

国内首艘溢油应急清污船

国内首艘配有内置式收油机的专业溢油应急清污船，通过了有关部门审查，由长江船舶设计院进行设计，预计2008年可投入使用。