铁电随机存取存储器技术的发展近况

熊猫电子集团公司 岳云铁电随机存取存储器（FRAM）因为兼有RAM和ROM存储器的性能,自其问世以来便引起了人们的极大关注,并已在各种公用事业用表（如电表、水表、煤气表等）、测量和医疗仪表、非接触式智能卡、门禁系统和汽车黑匣子当中得到了日益广泛的应用。在此背景下,2001年11月,ITRS（InternationalTechnology Roadmap forSemiconductor）首次公布了FeRAM的发展计划（参见表1）。FeRAM的发展方向主要是精细化和低电压化,本文将着重介绍铁电电容器技术以及相关的电路技术方面的一些近期动向。一、铁电电容器技术从产品…     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

ＦＲＡＭ是一种新型非易失性存储器，这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制，本文介绍其基本工作原理和结构及其特点，并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

富士通和爱普生将联合开发下一代FRAM非易失性存储器技术

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）非易失性存储器技术。     

铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中的应用

FM24C16是美国Ramtron公司以铁电晶体为材料生产的铁电存储器(FRAM)，和一般的EEPROM比较，其具有无写延时、超低功耗、无限次写入等超级特性，特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合，而且其与单片机接口电路简单，应用方便．本文对FM24C16的工作原理、应用电路及应用程序做了比较详细的介绍．     

铁电存储器FM1808

铁电存储器是Ramtron公司近年来推出的一款掉电不挥发存储器，它结合了高性能和低功耗的操作，能在没有电源的情况下保存数据。FRAM克服了EEPROM和Flash写入时间长、擦写次数少的缺点。其价格又比相同容量的不挥发锂电SRAM低很多。已在工控仪表、办公复印机、高档服务器等系统中应用，具有广阔的应用前景。     

带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

1 概述 随着DS32X35系列产品的发布,Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器.这些器件采用铁电随机存取存储器(FRAM)技术,FRAM是非易失存储器,其读/写操作与RAM类似.     

铁电存储器研究进展

近几年来,铁电存储器研究取得了很大进展.铁电存储器因其所具有的许多优越性和良好的应用前景而受到人们的广泛关注和重视.本文介绍了铁电存储器的工作原理及设计与制作方法.并对其研究现状及进一步发展趋势作了简要的评述.     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

FRAM铁电存贮器的技术原理

铁电存贮器是一种全新的存贮器，它的核心技术是铁电晶体材料，铁电存贮器的最大特点是可以跟随总线速度无限次的写入，而且写入功耗板低，文中给出了FRAM铁电存贮器与普通存贮器的性能比较，指出了FRAM的主要应用领域，最后列出了RAMTRON串行和并行铁电存贮器的主要型号和参数。     

基于铁电存储器的高速和高保真汽车事故实时数据记录仪

汽车行驶状况的记录对分析、鉴定道路交通事故、提高交通管理执法水平和运输管理水平、保障车辆运行安全具有重要作用.采用铁电存储器（FRAM）作为汽车行驶实时数据存储设备,可以显著提高汽车行驶状况记录的速度和密度,减少汽车事故发生时恶劣环境对数据记录的影响,准确地记录并且长时间地保存事故发生过程数据,延长实时数据记录仪的使用寿命,为事故鉴定提供准确可靠的现场原始数据.     

铁电存储器FM3116在工程机械监控系统中的应用

铁电存储器是一种新兴的非易失性存储器，FM3116是RAMTRON公司新推出的铁电存储器芯片，该芯片具有非易失性存储、实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器等功能。文章在简要介绍了FM3116芯片的基础上，给出了一个基于FM3116和80C196单片机的数据记录系统的设计方法，该系统已成功应用于某工程机械安全监控系统中。     

基于IAR EW430开发环境的FRAM应用研究

本文基于TI的MSP-EXP430FR5739 LaunchPad硬件评估套件和IAR EW430 IDE开发环境,研究了MSP430FR5739型MCU的FRAM分区配置方法,分别采用程序代码关键字声明法及面对复杂应用满足更高定制要求时修改XLINK配置文件法共两种方法实现了分区调配,编写了相应测试程序进行实验,验证结果达到了预期.同时对实际应用中FRAM分区后应进行MPU保护做出阐述,本文提出的方法可用于MSP430FR系列其他型号MCU器件的FRAM调配.     

铁电存储器在存储测试系统中的应用

为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序编写简便的优点,非常适合在此类存储测试系统中使用。     

用于1T1C型铁电存储器的一种可提高分辨窗口的非对称型分辨结构

本文提出了一种用于单管单电容型铁电存储器的新型非对称信号电流模分辨放大结构,该结构的创新点在于非对称的输入管及在灵敏放大器的参考信号端增加的NMOS反馈管。与参考文献[8]中的传统对称型电流模分辨放大结构相比,该结构可将读出电流的分辨窗口提高53.9%并将数据分辨放大过程的功耗降低14.1%,而分辨放大电路部分的面积仅因此增加7.89%。采用本文所提非对称结构的实验型原型样片基于0.35微米3层金属工艺已获得流片及功能验证成功。     

FM20L08型铁电存储器的原理及应用

本文主要介绍了铁电存储器FM20L08的原理及应用.该存储器不仅克服了EEPROM和Flash存储器写入时间长、擦写次数少等缺点,而且增加了电压监控器和软件控制的写保护功能,1MB的存储容量足以替代静态随机存储器.介绍FM20L08的引脚功能和工作原理,并在此基础上给出基于FM20L08的高速数据存储系统的设计方案及与单片机的接口电路.     

基于FRAM和Flash混合数据存储方案的氨气检测仪研究与设计

针对某些嵌入式系统中数据存储量大且改写频繁,以及Flash存储器寿命有限的问题,结合氨氮检测仪的实际应用,提出了一种基于铁电存储器和Flash的混合数据存储方案。给出了基于主控制器STM32F407的氨氮检测仪的整体设计,着重分析了混合数据存储系统的软硬件设计,并在此基础上制订了数据存储协议,提高存储效率。同传统的存储方案相比,基于FRAM和Flash的混合数据存储系统提高了仪器的数据存储速度和效率,延长了使用寿命,提高了仪器整体的稳定性和可靠性。     

Flash存储器的冗余实现

Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体非挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和系统的电可擦除性等优点,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对Flash存储器的发展现状及发展趋势进行了介绍,分析了Flash存储器的工作机理;并针对Flash存储器是一种数据正确性非理想的器件,在使用中可能会有坏损单元,探讨了Flash存储器冗余技术的种类和实现方法。     

硅吸除技术

本文详细地叙了各种硅吸除技术;阐明了非本征吸除、本征吸除和综合吸除的机理和工艺。举例说明了吸除技术的应用。