浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。通过针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理,电流产生,危害,防静电工艺要求等。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理,电流产生,危害,防静电工艺要求等。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。文章针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电放电（ESD）就是一定数量的电荷从一个物体（例如人体）传送到另外一个物体（例如芯片）的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35％以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电放电的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。针对ESD机制和防护作了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

本文阐述了静电的有关知识,详细讨论了在电子制造过程中,静电对电路板元器件造成的危害以及我们所采取的防静电措施。     

电子企业制造过程中的静电防护研究

随着近几年电子企业制造业的发展,大部分生产企业都已经对静电防护有了一个深刻的认知,静电防护对电子产品的品质与寿命有着重要的影响。首先,从静电防护的管控重点出发,指明了如何在制造过程中以尽可能小的成本投入做到有效的静电防护,并展示了目前电子企业的一些防护现状,包括存在的一些薄弱环节。然后,从静电防护管理的体系和具体的静电管控标准两方面引出了具体的改善思路。最后,结合一家开关供应商的改善具体案例,完整地表述了怎样真正地把静电防护做到位。为静电防护的应用提供了一些实践的方法与启示,期望能引导我国电子企业通过完善的静电防护达到提高电子产品质量的目的。     

静电在LCD制造过程中的危害及防护

通过介绍静电对电子产品的危害形式及特点,提出了静电防护的基本原则及方法,详细介绍了LCD制造过程中静电防护的要求及注意事项,并以LCD高精度偏光片贴片机为例,分析了LCD制造设备上的静电防护设计,实践证明,这些都是行之有效的方法.     

电子工业中的静电防护

一、电子工业中静电危害 电子工业中的静电危害大体分为两类：这就是由静电力引起的浮游尘埃的吸附和由静电放电引起的元器件的击穿或伤害。     

浅谈静电及静电防护

介绍了静电的基本知识,简单分析了静电产生途径和静电对小体积多功能、快速度的集成电路（如手机电路板）的危害以及本公司所采取的有关防静电措施。     

CMOS射频集成电路ESD保护的挑战

随着集成电路(IC)T艺进入深亚微米水平,以及射频(Radi0.Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护设计越来越成为RF IC设计的挑战.产生这一挑战的关键原因在于ESD保护电路和被保护的RF IC核电路之间存在着不可避免的复杂交互影响效应.本文讨论了RF ESD保护的研究和设计领域的最新动态,总结了所出现的新挑战、新的设计方法和最新的RF ESD保护解决方案.     

一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路

根据伞芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新犁结构保护电路,采用0.6μm标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证.通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下,本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%,静态电流更低,而抗ESD电压提高了近32%.该保护电路通过了5kV的人体模型测试.     

CMOS射频集成电路ESD保护的挑战

随着集成电路(IC)T艺进入深亚微米水平,以及射频(Radi0.Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护设计越来越成为RF IC设计的挑战.产生这一挑战的关键原因在于ESD保护电路和被保护的RF IC核电路之间存在着不可避免的复杂交互影响效应.本文讨论了RF ESD保护的研究和设计领域的最新动态,总结了所出现的新挑战、新的设计方法和最新的RF ESD保护解决方案.     

一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路

根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新型结构保护电路,采用0.6μm 标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证. 通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下,本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%,静态电流更低,而抗ESD电压提高了近32%. 该保护电路通过了5kV的人体模型测试.     

CMOS集成电路中ESD保护技术研究

分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点,选择合适的器件(如MOS,SCR,二极管及电阻)达到电路需要的ESD保护能力;电路方面采用栅耦和实现功能较强的ESD保护。     

静电放电(ESD)在电子装联中的危害及防护

通过对静电及静电放电(ESD)的简单介绍,提出了在电子装联中进行静电防护的必要性和基本思路.