Pi型电感耦合LTCC滤波器的寄生感性耦合研究

对二阶Pi型电感耦合LTCC滤波器中各个元件的电容及电感寄生效应进行了分析,提出了一种新的寄生电感耦合分析方法,并根据分析结果设计了一个二阶Pi型电感耦合和一个二阶Pi型电容耦合LTCC带通滤波器,其中,电感耦合滤波器的设计指标为:中心频率2.45GHz,相对带宽32.65%,带内插入损耗2dB,回波损耗18 dB;电...     

基于CRLH TL结构的带通滤波器设计与研究

基于复合左右手传输线（CRLH TL）原理,利用微带与共面波导组合的双层介质结构,设计了一种新型带通滤波器。其等效左手电容由金属 绝缘体 金属（MIM）耦合结构提供,等效左手电感由蘑菇型零阶谐振器（MZOR）中的短路通孔实现。通过研究MZOR中U型槽长度变化对滤波器性能的影响得知,该带通滤波器具有结构紧凑,带宽较大,插入损耗较小等优点。HFSS仿真结果显示,滤波器的通带为3.4~7.2 GHz,通带内插入损耗低于-0.5 dB,回波损耗小于-11.5 dB。因此,该滤波器可应用于超宽带无线通信系统。     

基于UWB应用的LTCC带通滤波器(英文)

以具有两传输零点二阶滤波器为原型。利用Π-T网络等效变换减小所需电感值,T型电感网络利用低温共烧陶瓷工艺很容易一层实现,并占据较小面积。同时,电感网络的变换简化了滤波器结构。引入T型开路线改善上边带截止特性,T型开路线几乎不影响通带特性。所设计滤波器中心频率7.65 GHz,具有1 GHz带宽,尺寸为4mm×3 mm×0.6 mm。将滤波器表贴于PCB测试,微带线、SMA、滤波器总的插入损耗小于1.8 dB。     

一种毫米波调谐微带滤波器的研制

该文基于金丝键合工艺和薄膜工艺,实现了一种低插损、小型化毫米波调谐微带滤波器。首先提出了一种加载矩形孔的半波长开路可调谐振器,通过在不同矩形孔上键合金丝来改变谐振器的等效电感值,从而改变谐振频率。然后利用所提出的可调谐振器实现了一种Ka频段五阶调谐带通滤波器,通过改变键合金丝状态来调谐频率,实现仿真和实测结果之间的偏差修正,解决了在毫米波频段由于介电常数批次性差异以及加工误差等因素造成的窄带滤波器频率偏移的问题。为了验证其可行性,对五阶调谐微带滤波器进行仿真、优化、加工及测试。结果表明,该滤波器的通带可调范围为35.35~35.95 GHz,插入损耗小于4.6 dB,能够实现所需通带。     

L 波段带双零点的窄带LTCC 滤波器设计

本文应用LTCC 技术设计了一个L 波段二阶Chebyshev 窄带带通滤波器。该滤波器集成在9 层LTCC 介质中,采用等效集总元件（电容电感)结构,充分利用LTCC 的三维封装结构减小滤波器体积,通过谐振单元中集总元件的串并联产生两个带外传输零点,同时调整谐振单元耦合间距控制带宽。滤波器输入输出利用金属通孔将带状线过渡到微带上。滤波器（带过渡结构）的仿真结果为：中心频率1.42 GHz,1 dB 相对带宽2.1%,插入损耗通带内最低0.5 dB, 回波损耗优于20 dB,整个滤波器体积为：4.5×4×0.87 mm3。     

一种中心和带宽可调VHFL 频段耦合滤波器设计

针对典型电调谐耦合滤波器的两种结构：电感耦合和电容耦合,对滤波器的带宽影响因素进行了理论分析,通 过改变电容耦合单元使得中心频率变化时带宽保持不变。选择了NXP 的BB131 作为谐振变容管,选择NXP 的BB132 作为 耦合变容管,设计了VHFL 频段中心频率及带宽均可调的双调谐耦合滤波器,利用ADS 软件进行了仿真。仿真结果表明此 滤波器在56.9~165.8MHz 的可调范围里,保持接近常数的带宽,矩形系数（30dB/3dB）小于7,具有很好的选择性。实际 电路的测试结果验证了设计的有效性。     

140GHz空腔滤波器设计及加工工艺研究

设计并实现了一种采用进口电火花技术加工的D波段电感膜片耦合的矩形波导空腔滤波器。采用等效电路法设计了一个140GHz矩形空腔带通滤波器。采用有限元仿真软件HFSS分析了腔体个数对滤波器主要性能的影响,最终成功设计了一个性能优良的四阶空腔滤波器,中心频率（140±3）GHz,带内插入损耗S21在-3dB以内,回波损耗S11在-20dB以下。采用电火花微加工技术成功加工出了四阶滤波器的主体部分,相应完成了结构键合等关键工艺,首次制作了基于电火花技术的D波段矩形波导空腔滤波器。测试结果为中心频率（138.5±3）GHz,带内插入损耗最好达到了-4.4dB。结果表明滤波器在140GHz具有带通特性和滤波功能,尽管与理论上的-3dB有差异,但考虑到加工误差、夹具损耗等情况下,样品主要技术指标与设计值较为一致。     

电控双调谐四阶电流模式CCCⅡ带通滤波器

以传统的双调谐带通滤波器为原型,先利用CCCⅡ设计出V-I变换器、模拟电阻、接地和浮地模拟电感,再用这些基本电路模块分别代替滤波器原型中的端接电阻、接地和浮地电感等,从而设计出了电控双调谐四阶电流模式带通滤波器。讨论了弱耦合、强耦合和临界耦合三种现象。在临界耦合条件下,滤波器的中心频率为10.916080MHz,3dB带宽为2.828MHz。电路的参数可电控调谐,所有电容接地,没有无源电阻,因而适宜集成。计算机仿真与理论分析一致。     

一种高抑制电调滤波器的设计与实现

针对超外差接收机中前端预选宽频段、低损耗与高带外抑制度的需求,文中在电感耦合方式的LC电调滤波器基础上,增加了寄生通带抑制滤波器,设计了一款基于20~800 MHz调谐范围的电调滤波器。通过实际测试得到在调谐范围内,滤波器插入损耗<1.5dB,1 dB相对带宽约20%~30%,输入输出端口驻波<1.5,二倍频处抑制度>40 dBc,寄生通带抑制滤波器能将二次谐波和三次谐波寄生通带的抑制度分别提高40 dBc和30 dBc以上,从而利于滤波器在预选部分实现中频、镜频和本振反向等抑制作用。     

基于LTCC工艺的低通滤波器设计与实现

为了实现具有高Q值电容电感的小型化滤波器,本文采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺分别构建了垂直螺旋式电感和垂直直插式电容,利用电容电感的参数提取公式并结合HFSS软件进行优化仿真,获得具有高Q值的电容电感模型,并根据此模型来设计一款DC-500MHz小型化低通滤波器。最终经过实际测试结果表明该低通滤波器性能为：在0~500MHz插入损耗优于-0.5dB,回波损耗优于-18dB,带外抑制在1GHz处有-30dB,在1.5GHz处有-50dB。 关键词：低通滤波器;低温共烧陶瓷工艺;高Q值;小型化     

多口三环CSRR微带低通滤波器的研究与设计

提出一种新型的多口三环CSRR结构,利用CSRR谐振器的单极点低通特性和环与微带线之间的耦合,构成低通滤波器.分析该结构的等效电路模式,指出谐振频率的计算公式.使用HFSS适当优化参数,可以得到性能良好的低通滤波器.其-3 dB截止频率8.76 GHz,通带内插入损耗小于0.3306 dB,通带内回波损耗小于-13.810 2 dB,衰减15 dB以上阻带带宽达到10.31 GHz.为了改善通带内的回波损耗,在微带线两侧加载并联开路枝节.其-3 dB截止频率8.385 GHz,通带内插入损耗小于0.174 7 dB,通带内回波损耗小于-19.707 7 dB,衰减15 dB以上阻带带宽达到10.7 GHz.     

空军总医院全军临床航空医学中心简介

通过建立声表面波(SAW)匹配滤波器的等效能量结构,利用交叉场电路等效模型,在频域上对SAW匹配滤波器进行分析.对于中心频率为60 MHz、抽头数32位的SAW匹配滤波器,采用上述方法得到的插入损耗和-3 dB带宽的计算值和测试值分别相差小于1 dB和1 kHz,证明了其正确性和有效性.     

电调谐滤波器的研究与设计

介绍了可调谐滤波器的电路结构,解释了设计中采用电感耦合并联谐振电路的具体原因。给出了变容二极管的等效电路,并对由变容二极管构成的滤波器的最大频率可调范围进行了分析。设计制作了一个VHF频段的电调谐滤波器,并使用安捷伦公司的微波电路仿真软件ADS进行仿真,测试表明,此滤波器的频率可调范围为100～260 MHz,插入损耗小于3.8 dB,驻波系数小于1.65。同时在频率的可调范围内对滤波器的插入损耗和矩形系数的变化进行了分析,实验结果和理论分析吻合较好。     

宽范围可调MEMS集成滤波器的设计与制作

基于MEMS平面螺旋电感和MEMS可调平行板电容设计并制作了一种宽可调范围的集成可调带通滤波器。理论分析并计算了可调滤波器电感和可调电容的取值范围,利用HFSS设计得到各元件结构参数,并使用AnsoftDesigner分析软件对可调滤波器电路进行了模拟仿真。设计得到的可调滤波器中心频率调节范围为400～700MHz,可调率达75%,实现了宽范围可调,3dB相对带宽范围为5%～10%,插入损耗小于5dB,芯片尺寸为20mm×6mm×0.4mm。给出了一套基于MEMS平面工艺的MEMS集成可调滤波器的制作流程,实现了MEMS集成可调滤波器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的可调滤波器实现了通带频率宽范围可调。     

一种具有边带陡峭特性的超窄带滤波器

应用LTCC技术,设计了一款带通滤波器。采用开口环谐振结构作为基本谐振单元,利用谐振级之间的耦合产生传输零点,实现边带抑制。给出了开口环谐振结构的等效电路分析,滤波器的通带中心频率为23.2 GHz,3-dB带宽为600 MHz,具有很窄的相对带宽,3-dB相对带宽仅为2.6%。对滤波器进行仿真和优化,结果表明,通带22.9~23.5 GHz内插损小于3 dB,低阻带10~21.1 GHz的衰减大于45 dB,高阻带25.3~40 GHz的衰减均大于30 dB。该滤波器的尺寸为4 mm×3.5 mm×0.45 mm,具有非常好的窄带特性和边带抑制特性。     

低插损极窄带声表面波滤波器设计

利用集总参数等效电路模型计算了声表面波双模耦合谐振滤波器的频响．通过改变谐振器各个参量使滤波器指标满足要求．在ＳＴ石英基片上成功研制出中心频率２２８ＭＨｚ，△ｆ－３ｄＢ＝１５０ｋＨｚ，插损为３ｄＢ，阻带抑制小于－５０ｄＢ的铁路专用寻呼机用滤波器。理论计算与实验结果一致。     

A miniaturized Wilkinson power divider with CMOS active inductors

A miniaturized Wilkinson power divider implemented in a standard 0.18-/spl mu/m CMOS process is presented in this letter. By using active inductors for the circuit implementation, a significant area reduction can be achieved due to the absence of distributed components and spiral inductors. The power divider is designed at a center frequency of 4.5GHz for equal power dividing with all ports matched to 50/spl Omega/. Drawing a dc current of 9.3mA from a 1.8-V supply voltage, the fabricated circuit exhibits an insertion loss less than 0.16dB and a return loss better than 30dB at the center frequency while maintaining good isolation between the output ports. The active area of the miniaturized Wilkinson power divider is 150/spl times/100/spl mu/m/sup 2/, which is suitable for system integration in monolithic microwave integrated circuit (MMIC) applications.     

低温共烧陶瓷(LTCC)四级低通滤波器设计

提出了一个结构紧凑,具有两个传输零点和优良频响特性的四级LTCC低通滤波器,并用场路结合的方法完成其设计。在经典切比雪夫四级低通滤波器的并联电容支路中增加一个电感,并进一步在1、3级串连电感支路之间引入交叉耦合,成功地在滤波器的通带附近产生了两个传输零点,形成了陡峭的衰减曲线。传输零点的位置可以通过改变谐振支路的L、C值或控制1、3级串连电感的间距来灵活移动,实现了通常需要五级椭圆函数低通滤波器才能达到的频响特性。提出的电路结构减少了电路元件的个数和复杂性,降低了滤波器的插入损耗。在分析集总参数等效电路的基础上,最后用电磁场仿真软件完成了整个电路的设计和频响分析。     

CMMB用滤波器的仿真设计

报道了一种具有宽带宽和高阻带抑制比的中国移动多媒体广播(CMMB)用滤波器.采用了梯形声表面波(SAW)陷波网络和LC高通滤波网络的综合设计结构,运用SAW谐振器的XTAL2等效模型和Murata电感元件构建原理电路,在ADS 2009中进行综合优化仿真得出滤波器的频响曲线,使滤波器的通带插损小于2.0 dB,阻带抑制大于43 dB,能很好地进行选频.