Ca(OD)2:Cu2+局部结构及自旋哈密顿参量研究

利用离子簇模型,建立了3d9离子在四角对称下的高阶微扰公式,并计算了Ca(OD)2:Cu2+的自旋哈密顿参量g因子g||、g⊥和超精细结构常数A||、A⊥。在所得的微扰公式中,杂质中心四角畸变对g因子的贡献用四角晶场参量DS和Dt表示。由于晶体中顺磁杂质中心的自旋哈密顿参量与其缺陷结构密切相关,计算获得了Cu2+杂质中心缺陷结构信息,即由于Jahn-Teller效应配体氧八面体沿着四次轴方向的伸长约0.008 3 nm。计算结果表明理论与实验符合较好。     

PHZS:Cu2+的EPR谱和局域结构研究

采用Cu2+离子正交对称电子顺磁共振（EPR）参量的高阶微扰公式计算K₂Zn（SO₄）₂·6H₂O:Cu2+的EPR参量g因子（g_x,g_y,g_z）和超精细结构常数（A_x,A_y,A_z）。研究结果表明,K₂Zn（SO₄）₂·6H₂O中[Cu（H₂O）₆]2+基团的Cu2+-H₂O键长分别为R_x ≈ 0.197 nm,R_y ≈ 0.213 nm,R_z ≈ 0.224 nm;中心金属离子基态波函数混合系数分别为α ≈ 0.978和β ≈ 0.209。所得EPR参量理论值与实验符合很好。     

LaSrAlO4中Cu2+的自旋哈密顿参量的理论分析

根据晶体场理论,利用3d9离子在四角对称(伸长八面体)中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微扰公式,对掺Cu2+的LaSrAlO4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析。其中的四角晶场参量Ds、Dt由重叠模型和杂质中心的局部结构计算,A因子公式中的芯区极化常数κ≈0.286。所得到的计算值与实验符合较好,并从理论上确定了A//为负值。     

LiF和AgCl中四角的V2+中心的缺陷结构研究

基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离△Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。     

K2PdX4:Cu2+超超精细参量研究

利用离子簇模型,建立了四角伸长八面体中3d9体系超超精细参量的微扰公式;在理论上得到了轨道混合系数、未配对自旋密度、平均共价因子等参量的关系,并应用于K2PdX4(X=Cl,Br)中的四角[CuX4]2-中心,理论与实验比较符合。与文献[4]相比,该文在计算公式上有所简化,并且调节参量数目进一步地减少,因而具有较好的适用性。     

电子顺磁共振仪的参数最佳选择

通过测定ZrO2电子顺磁共振谱,对各种不同参数情况下的实验谱线进行分析,得到了电子顺磁共振仪测谱的最佳参数(微波频率、扫场宽度和扫场时间、调制幅度、时间常数、放大倍数)方案.     

锐钛矿中填隙V4+的EPR参量的理论研究

采用离子簇模型,通过分析配体轨道和旋轨耦合作用的贡献,建立了改进的3d1离子在四角畸变八面体中电子顺磁共振(EPR)参量的微扰公式,能级间距可由重叠模型和局部结构数据给出。将该公式应用于锐钛矿(TiO2)中填隙V4+离子的EPR谱,讨论了配体轨道和旋轨耦合作用以及共价效应对EPR参量的贡献。理论结果与实验符合得很好,且比前人的计算,尤其是g//和A//有明显的改进,说明对这类共价性较强的体系,配体轨道和旋轨耦合作用的贡献不能忽略。     

CaTiO3中Co2+离子各向异性g因子的理论研究

利用基于离子簇模型的正交对称中3d7离子g因子微扰公式,计算了CaTiO3中Co2+的各向异性g因子gx、gy和gz,与此相关的晶场参量由杂质局部结构和重叠模型得到。研究发现,由于杂质Co2+与母体Ti4+存在电荷和离子半径的差异,将引起两个方向的键长发生5.6%的相对改变,从而导致明显的正交畸变。由此得到的g因子理论值与实验较为符合。     

中国高煤级煤的电子顺磁共振特征：兼论煤中大分子基本结构单元“…

主要基于我国华北及华南的高煤级煤样品，剖析了煤的电子顺磁共振演化特征，进而对高煤级煤演化的化学机理进行了探讨。结果表明：我国高煤级煤电子顺磁共振信号呈阶段性演化，自由基浓度、线宽和兰德因子分别在镜质组反射率４．０％，８．０％及１０．５％处出现转折或突变，反映出煤化作用的化学机理发生了重大转换；拼叠作用是镜质组最大反射率６．０％之后大分子基本结构单元急剧增大的主要化学机理，化学键的均裂是这种机理得以     

基于电子顺磁共振的银杏叶自由基含量的分析

通过研究银杏黄酮粉在电子顺磁共振仪不同测试参数条件下的EPR谱线的变化得出：银杏黄酮粉末中黄酮类物质自由基信号的相对强度随温度的升高而下降,亦随微波功率的升高而下降。     

α-Al2O3中三角Ru3+中心的g因子研究

基于晶体场模型,采用三角对称下4d5离子各向异性g因子微扰公式,对α-Al2O3中三角Ru3+中心的电子顺磁共振实验结果进行了理论研究。计算中利用较新的Ru3+自由离子旋轨耦合参数,考虑了轨道缩小因子和旋轨耦合参数对杂质Ru3+中心g因子的影响,讨论了Ru3+中心的局部结构性质,结果表明理论与实验符合得很好。     

天然高分子吸附剂吸附水中的 Cu2+和Ni2+

为了更有效地去除水中的Cu2+和Ni2+,采用壳聚糖、泥炭和海藻3种吸附剂对Cu2+和Ni2+进行吸附性能研究。考察了溶液pH、吸附时间、吸附剂的质量浓度和金属离子的质量浓度对Cu2+和Ni2+吸附率的影响。结果表明,采用壳聚糖作为吸附剂,pH为6,吸附剂的质量浓度为3 g/L,吸附时间120 min的条件下,对Cu2+的吸附效果最好,吸附率可达98%。采用泥炭为吸附剂在pH为6,吸附剂的质量浓度为1 g/L,吸附时间为120 min时,对Ni2+的吸附效果最好,吸附率达80%。     

棱形AB2链的电子结构及铁磁基态稳定性

对准一维有机聚合物棱形链AB2结构的磁性机理进行了研究。详细考虑该体系中的电子跳跃和电子关联,在平均场理论框架下,自恰地计算了其能带结构和自旋密度分布。结果表明,在半满情况下,体系显示磁有序,能级对自旋劈裂,基态是稳定的铁磁态。     

Zn2+掺杂TiO2纳米粉体的结构特性及光催化活性

利用酸催化的Sol-gel法制备纯的和不同掺杂量的Zn2 掺杂TiO2纳米粉体,并用XRD、BET、XPS、SPS等技术对样品进行表征.考察Zn2 掺杂量和焙烧温度对样品的光催化降解亚甲基蓝活性、相结构、晶粒尺寸和表面织构特性的影响,并结合表面光电性质和表面组成等探讨Zn2 掺杂对纳米TiO2光催化活性的影响机制.结果表明:适量掺杂Zn2 可以提高纳米TiO2的光催化活性;当Zn2 掺杂量为0.75%,焙烧温度为500℃时,制备的Zn2 掺杂TiO2纳米粉体的光催化活性最佳.Zn2 掺杂TiO2纳米粉体的光催化活性的提高应归功于Zn2 掺杂促进了光生电子和空穴的分离,抑制相变和晶粒长大从而增强光生e-/h 的氧化还原能力,增加表面羟基,改善样品表面的吸光性能.     

N掺杂和Cu沉积TiO_2纳米管紫外光光电响应研究

研究了用阳极氧化法在钛基底表面上生长致密有序的TiO2纳米管阵列,然后用湿法掺杂N、光化学方法沉积Cu对TiO2纳米管阵列进行改性,并研究改性纳米管对紫外光光电响应的影响.用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）进行晶型和形貌表征.结果显示,改性前后纳米管都为锐钛矿;其内径约90 nm,管壁厚约12 nm,是中空的管状结构;掺杂N和沉积Cu对二氧化钛纳米管的晶型和形貌没有显著影响.测试改性前后TiO2纳米管在紫外光照射下的恒电位电流—时间（—It）关系曲线表明：掺杂N使TiO2纳米管光电性能降低,沉积Cu使TiO2纳米管的光电性能增强.     

兼容性Cu2+溶液改性EP基材催化铜导电线路沉积

印制电路板(PCB)基材预设位置活化是选择性化学镀铜法制作导电线路的关键工艺。以乙酸铜为催化剂前驱体、硫脲为络合剂、双酚A二缩水甘油醚为环氧树脂(EP)预聚物、试剂593为固化剂和丙二醇甲醚为溶剂,设计出一种基于EP兼容的Cu2+溶液,借助喷墨打印机把兼容性Cu2+溶液印刷在EP基材表面,采用选择性化学镀铜法加成制备了铜导电线路。基于量子化学密度泛函理论,模拟兼容性Cu2+溶液中硫脲分子与Cu2+之间的络合反应,利用红外光谱和拉曼光谱对兼容性Cu2+溶液中特殊官能团进行表征。结果表明:铜线路中晶粒结晶度良好且堆积致密,其电阻率低至2.62×10?6 Ω·cm;在改性层的帮助下,铜线路与EP基材之间的结合力达到5B级别。因此,EP基材兼容性改性催化铜导电线路沉积具有工艺简单、经济环保的优点,这对其他常用树脂基材兼容性改性加成制备PCB具有一定的参考价值。     

十二胺在Fe2+掺杂高岭石层面吸附的密度泛函研究

为探究Fe²⁺掺杂对十二胺分子(DDA)及其阳离子(DDA⁺)在高岭石层面吸附的微观影响机制,对DDA和DDA⁺在Fe²⁺掺杂高岭石(001)及(■)面的吸附进行了密度泛函理论(DFT)计算.结果表明：DDA和DDA⁺在Fe²⁺掺杂高岭石层面的吸附机理为氢键和范德华静电引力共同作用.DDA在Fe²⁺掺杂高岭石层面吸附以氢键作用为主,范德华静电引力作用为辅;DDA⁺在Fe²⁺掺杂高岭石层面吸附以范德华静电引力作用为主,氢键作用为辅.Fe²⁺的杂质缺陷增强了高岭石(001)面的表面活性,对(■)面的表面活性影响较小.研究结果可为进一步研究煤泥水中黏土颗粒表面的真实吸附状态及煤泥水高效处理药剂的设计提供理论依据.