透明导电材料Cd_2SnO_4的制备Ⅱ—热压烧结

将2:1摩尔比的CdO与SnO_2混合粉体进行原位热压烧结,制备Cd_2SnO_4。采用XRD衍射仪、四探针电阻测试仪和扫描电镜,分析热压气氛,Sb掺杂元素以及热处理工艺对Cd_2SnO_4靶材的物相结构和导电性能的影响。结果表明:900℃原位热压烧结时,由于温度低,扩散反应发生不完全,生成部分Cd_2SnO_4化合物,少量Cd和Sn元素仍以氧化物的形式存在,未出现第二相CdSnO_3;氩气烧结比真空烧结更有利于扩散和化合反应发生;掺杂1%(质量分数)Sb元素的靶材电阻率降低至0.5×10~(-3)Ω·cm。高温退火热处理时扩散反应得以继续,靶材中Cd_2SnO_4含量有明显增加。为了克服原位热压温度和保温时间的限制所引起的化合反应不完全,优化热压工艺如下:采用单相Cd_2SnO_4复合粉体为原料,热压温度为1050℃,保温时间2小时,所得靶材均匀且晶粒细小,致密度达到92%,电阻率低至3×10~(-4)Ω·cm,第二相CdSnO_3含量低于2%,满足了镀膜用Cd_2SnO_4靶材的性能要求。     

ITO和SnO_2透明导电膜的用途与制备

本文综述了ITO和SnO_2透明导电膜的用途、性能、透明导电机理及其主要的制备方法。     

固相烧结反应法制备IGZO粉末

以高纯度的ZnO、In2O3和Ga2O3等氧化物粉末为原料,经过球磨充分混合并细化后,采用固相烧结反应法制备IGZO(indium gallium zinc oxide)粉末,利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)对该粉末的物相组成、颗粒表面形貌与粒径等进行观察与分析,研究烧结温度、保温时间及球料质量比对IGZO粉末形貌与结构的影响。结果表明:在保温时间为6 h的条件下,烧结温度为1 100℃时,Ga2O3和ZnO反应生成ZnGa2O4,所得粉末以ZnGa2O4相为主,仍有In2O3未发生反应;在1 200和1 300℃下烧结均可得到表面形貌不规则的In Ga ZnO4单相粉末,1 200℃下烧结的粉末粒径明显小于1 300℃烧结粉末的粒径。1 200℃下烧结4 h及以上即可保证固相反应完全,得到InGaZnO4单相粉末。随球料质量比增大,粉末颗粒细化。球料质量比为10:1和15:1条件下制备的IGZO粉末粒径相近,但明显比球料质量比为5:1条件下制备的粉末更细。     

固相法制备BaPbO3导电陶瓷粉末

对加热 过程中 铅的氧化 物及碳 酸钡发生 的变化进 行了研 究;采用固 相法,以 Ｂａ Ｃ Ｏ３ 和 Ｐｂ３ Ｏ４为原料制 备了 Ｂａ Ｐｂ Ｏ３ 陶 瓷粉末; 对焙烧粉 末进行了 Ｘ 射线衍射 检测及 扫描电镜 观察,分 析了不同 焙烧温度、不 同升温 速度下粉 末的相 组成,从而 确定了 固相法制 取 Ｂａ Ｐｂ Ｏ３ 的 合成温度 。     

高温固相分段反应制备LiMn2O4的研究

研究了高温固相分段法制备锂离子电池正极材料尖晶石型LiMn2 O4 的工艺 ,克服了传统高温固相合成法由于原料不能充分混匀 ,制备的LiMn2 O4 电化学性能较差的缺点。在制备的过程中 ,对原料进行分段焙烧 ,每段焙烧前都对反应物进行研磨、球磨 ,使反应物混合均匀、充分接触 ,制备的LiMn2 O4 物相较纯 ,粒度分布均匀 ,电化学性能良好。此法操作简单 ,反应条件易于控制 ,是一种较好的合成LiMn2 O4 的方法     

低温固相反应法制备铈酸镧粉体及其烧结性能研究

以六水合硝酸镧和六水合硝酸铈为原料,一水合柠檬酸为络合剂,通过低温固相反应法制备铈酸镧前驱体,经不同温度煅烧制备铈酸镧粉体。利用红外光谱和综合热分析研究前驱体的结构和热分解过程,并通过X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察、透射电子显微镜分析和体积密度测试等手段对不同煅烧温度合成的粉体物相、形貌及烧结性能进行表征。结果表明:当煅烧温度达到600 ℃时,前驱体开始生成铈酸镧晶体,且随着煅烧温度的提高,晶体发育不断完善,晶粒逐渐长大。经800 ℃煅烧可获得单相的铈酸镧粉体,再经1600 ℃烧结,试样的相对密度达到95.5%。     

高速切削钛合金的硬质合金材料低温固相烧结技术研究

由于传统的低温固相烧结技术,没有通过在硬质合金粉体中添加游离碳来消除脱碳相,因此导致制备出的硬质合金刀具材料硬度低。针对这一问题,进行高速车削钛合金的硬质合金刀具材料低温固相烧结技术研究。通过分析硬质合金刀具材料低温固相烧结机理,保证其致密化开始温度总是低于共晶温度;结合硬质合金刀具材料低温固相烧结的脱碳现象,采用尝试法在硬质合金粉体中添加游离碳来消除脱碳相。设计洛氏硬度试验,结果表明,设计的烧结技术制备的硬质合金刀具材料硬度最高可达1870HV3,实验对照组为1654HV3,设计的烧结技术制备的硬质合金刀具材料硬度更高,可以制备出高硬度的高速切削钛合金的硬质合金刀具材料。     

固相烧结辅助高温球磨合成LiNi_xMn_(2-x)O_4

以氢氧化锂、硝酸镍、二氧化锰为原料,用固相烧结辅助高温球磨方法,合成了具有Ni掺杂的LiMn_2O_4正极材料。研究了Ni在不同掺杂量时对材料的相结构、形貌和充放电性能的影响,并与未掺杂Ni的LiMn_2O_4进行对比。结果表明,掺Ni后材料的放电比容量随着掺杂量的增大逐渐减小,而材料的容量保持率相比未掺杂时略有提高;当掺杂量x=0.05时,所得产物的充放电性能最佳,首次放电容量达到122.9mAh/g,充放电容量保持率在40次循环后为97.48%。     

固相法制备Mg^2＋掺杂锂离子电池正极材料LiMg0.02 Mn1.98O4

介绍了一种利用固相法制备Mg^2＋掺杂锂离子电池正极材料LiMg0.02Mn1.98O4的方法.该方法简单有效地提高了锰酸锂材料的循环性能与倍率性能,所制备的正极材料性能优异,适用于大规模工业化生产.     

纳米SnO_2粉体的洗涤与团聚现象研究

以SnCl_4和尿素为主要原料,采用化学共沉淀法制备Sn(OH)_4前驱体,前驱体经煅烧处理后得到纳米SnO_2粉体,探讨了前驱体的洗涤条件和表面分散剂及干燥方式对SnO_2粉体团聚现象的影响。     

AZO透明导电薄膜的性能和制备

AZO薄膜是一种应用广、发展快的高导电率、透光率的金属氧化物薄膜。文章基于国内外的发展情况,概述了AZO薄膜的光电性能、应用领域和不同的掺杂对AZO薄膜的性能影响。归纳了AZO薄膜的制备方法,着重介绍了磁控溅射沉积法制备AZO薄膜的几个工艺参数可能对AZO薄膜性能的影响。     

固相法合成锂离子电池正极材料LiFePO4

橄榄石型LiFePO4是近年发展起来的一种锂离子电池正极材料,它的理论容量为170 mA·h/g,具有价格便宜、环境友好、无毒、无吸湿性、热稳定性好等优点,越来越受到人们的重视.通过固相法制备LiFePO4,分别考察了锂铁摩尔比与烧结时间对于LiFePO4的电化学性能的影响.结果表明,最佳的锂铁摩尔比为1.05,最佳的烧结时间应为24h,在0.1C倍率下放电,初始放电容量为140.4mA·h/g.     

高频等离子体制备超细ZrO2、ZnO粉体材料

以高频等离子体（HFP）为高能，纯净热源，采用高温离解-气相冷凝沉积新工艺制备出亚微米级ZrO2及纳米级ZnO等超细粉体材料，调动了同步热分析仪（STA-1500），电子探针（EPMA-1600），X-射线衍射（XRD）及比表面测定仪（ST-03）等手段对获得的产品进行了相关参数的考查和测定。     

反应烧结制备TiC-Ti3SiC2梯度材料

采用Ti、Si、TiC粉末为原料,通过放电等离子反应烧结制备TiC-Ti<,3>SiC<,2>梯度功能材料.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS)等手段,分析梯度材料的相组成和微观结构特征.结果表明,采用放电等离子烧结,升温速度为100℃/min时,在1 350℃保温15min、加压40MPa...     

烧结温度对高速压制制备弥散强化铜材料导电率的影响

弥散强化铜材料具有高强度和高导电性的特性,孔洞是影响导电率的重要因素.本文采用高速压制成形技术,对Al₂O₃质量分数为0.9%的弥散强化铜粉压制成形,研究了压制速度对生坯的影响.当压制速度为9.4 m·s^-1时得到密度为8.46 g·cm^-3的生坯.研究了烧结温度对烧结所得Al₂O₃弥散强化铜试样导电率的影响.当生坯密度相同时,烧结温度越高,所得试样的导电率也越高.断口与金相分析表明:烧结温度为950℃时,烧结不充分,颗粒边界以及孔洞多而明显,孔洞形状不规则;烧结温度为1080℃时,颗粒边界消失,孔洞圆化,韧窝出现,烧结坯的电导率为71.3%IACS.     

石墨烯银纳米线透明导电薄膜的制备进展

透明导电薄膜是触摸器件以及液晶显示器等的重要组成部分,制备透明导电薄膜的材料主要有金属氧化物、导电聚合物、碳材料、金属材料和复合材料等。其中,一维银纳米线和二维石墨烯材料制备透明导电薄膜具有光电性能优异、化学性能稳定和柔韧性好等特点,有望应用于柔性电子设备中。介绍了石墨烯银纳米线透明导电薄膜常用的制备方法:旋涂法、真空抽滤法、棒涂法、喷涂法、滴涂法等5种以及各种制备方法的优缺点;总结了石墨烯银纳米线复合薄膜的应用领域;展望了石墨烯银纳米线透明导电薄膜的发展前景。     

高纯超细电子陶瓷粉体材料的制备

概述高纯超细电子陶瓷粉体材料的主要制备方法，详细阐述了固相法，液相法和气相法的原理与特点及国内陶瓷粉体材料生产情况。     

纳米钛酸钡粉体材料的制备方法

本发明公开了一种纳米钛酸钡粉体材料的制备方法。该方法是以氯化钡BaCl2、钛酸H2TiO3为主要原料，经强氧化剂催化，加氨水调整pH值为12左右进行过滤，获得BaTiO3溶液，置入高温高压反应釜内，处理温度为300～400℃，压力为15～22MPa．冷却后，进行真空干燥，获得纳米级的钛酸钡粉末材料。本发明提供的方法成本低廉，生产效率高，成品率高，杂质少，从而更适应产业化发展的要求。     

高纯超细电子陶瓷粉体材料的制备

概述高纯超细电子陶瓷粉体材料的主要制备方法，详细阐述了固相法，液相法和气相法的原理与特点及国内陶瓷粉体材料生产情况。