MgTiO_3-CaTiO_3系微波陶瓷介电性能的研究

以分析纯的MgO、TiO_2、CaTiO_3为初始原料,采用固相法制备(1-x)MgTiO_3-xCaTiO_3(摩尔分数x=0.01~0.10)系列微波介质陶瓷材料,研究添加CaTiO_3后,体系的晶体结构、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着CaTiO_3掺杂量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数和谐振频率温度系数不断增大,而体系的品质因数呈下降趋势。当掺杂7%(摩尔分数)CaTiO_3时,陶瓷在1 400℃烧结4 h可获得近零的频率温度系数,τ_f=0.652×10~(-6)/℃,品质因数Q×f=38 753 GHz,介电常数ε_r=19.45。     

ZnO-B_2O_3掺杂陶瓷的微观结构和微波介电性能

研究了ZnO-B_2O_3(ZB_2)对(Ca_(0.254)Li_(0.19)Sm_(0.14))TiO_3陶瓷的烧结行为和微波介电性能的影响。结果表明:ZnO-B_2O_3添加质量分数为3%时,试样的相对密度达到最大值;烧结温度从1 300℃降低到1 100℃时,试样的微波介电性能没有衰减。添加3%ZB_2(质量分数)的(Ca_(0.254)Li_(0.19)Sm_(0.14))TiO_3陶瓷在1 100℃烧结3 h呈现出较好的微波介电性能,介电常数ε_r=108.2,品质因数Q_f=6 545 GHz,共振频率温度系数τf=6.5×10~(-6)/℃,表明ZB_2是一种有效改善(Ca_(0.254)Li_(0.19)Sm_(0.14))TiO_3陶瓷致密性和微波介电性能的烧结助剂。     

氧化物添加对BaO-TiO2-Al2O3-SiO2玻璃陶瓷介电性能的影响

采用烧结法制备工艺,成功制备了BaO-TiO₂-Al₂O₃-SiO₂玻璃陶瓷,以钛酸钡体系玻璃陶瓷为基础成分添加不同种类氧化物(Y2O3,Ni2O3,ZrO2),并采用X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),精密阻抗分析仪测试仪(LCR)对添加不同氧化物玻璃陶瓷样品的析出相成分、微观结构和介电性能进行表征,研究了氧化物添加对BaO-TiO₂-Al₂O₃-SiO₂玻璃陶瓷性能的影响。研究结果表明:添加不同的氧化物并未改变BaO-TiO₂-Al₂O₃-SiO₂玻璃陶瓷的析出相种类,但能够促进基体中钙钛矿结构钛酸钡结晶相的生成。同时添加不同氧化物后样品的致密度均随烧结温度的升高呈现先增大后减小的变化趋势,在最适烧结温度下,氧化物的添加提高了不同烧结玻璃陶瓷样品的致密度,并优化了样品的介电性能。通过添加不同种类氧化物获得了同时具有高致密度和良好介电性能的玻璃陶瓷成分,当添加0.5%(质量分数)Ni₂O₃时,样品在最佳烧结温度1230°C下烧结获得最大致密度为98.6%,提高了1.65%,样品室温下的介电常数高达1100,提高了139.5%。     

MNb2O6-NaNbO3-SiO2(M=Pb,Ba,Sr)体系玻璃陶瓷纳米复合材料的结构和介电性能研究

应用铸造快冷及可控结晶技术制备3种玻璃陶瓷纳米复合介电材料——PbNb2O6 +NaNbO3 +SiO2 (PNS),BaNb2O6+ NaNbO3+ SiO2 (BNS)和SrNb2O6+ NaNbO3+ SiO2( SNS).研究了这3种复合材料的结晶性能,微观形貌和介电性能.X射线衍射(XRD)的分析结果显示:PNS及SNS的玻璃在750℃可控结晶时,均形成中间相A2Nb2O-7(A=Pb,Sr),且该中间相在850℃时消失,此时形成MNb2O6+NaNbO3(M=Pb,Sr)的高介电常数相,而BNS则未经过中间相,在750℃直接析出MNb2O6+NaNbO3(M=Ba)的高介电常数相.在所有的样品中,随着退火温度的升高,晶粒均有逐渐长大聚集的趋势.同时,SNS玻璃陶瓷在750℃及850℃结晶退火处理时,均析出枝状晶粒,异于PNS和BNS的球状晶粒.由可控结晶技术制备的玻璃陶瓷介电性能受热处理过程中所形成的介电相组成及其体积分数和晶粒尺寸的影响很大.分析测试了这3种体系玻璃陶瓷的介电常数与结晶化处理温度之间的关系及介电常数的电场稳定性.在900℃结晶退火时,PNS玻璃陶瓷具有最高的介电常数( ～501,1 kHz),而BNS的介电常数在0～15 kV ·mm-1的测试范围内具有最好的电场稳定性(＜15％).     

烧结助剂中CaO质量分数及烧结温度对氧化铝基微波陶瓷性能的影响

选用CaO–SiO_2–TiO_2作为氧化铝陶瓷的烧结助剂,在空气气氛下经过常压烧结制备Al_2O_3陶瓷。研究了烧结助剂中CaO质量分数以及烧结温度对Al_2O_3基微波陶瓷的相组成、微观结构和介电性能的影响。结果表明:添加含CaO烧结助剂的Al_2O_3陶瓷中,出现了CaAl_(12)O_(19)第二相,相含量随着CaO质量分数的增加而增加;随着烧结助剂中CaO质量分数的增加,Al_2O_3陶瓷试样介电常数增大,品质因数先升高后降低。随着烧结温度的升高,Al_2O_3陶瓷相对密度和品质因数先升高后降低,介电常数和谐振频率温度系数增大。当烧结温度为1450℃、烧结助剂中CaO质量分数为0.4%时,烧结体的相对密度达到最大值98.61%,介电常数为9.88,品质因数值为21957GHz,谐振频率温度系数为-21.353×10~(-6)/℃。     

氧化铝基微波陶瓷材料的制备及性能研究

采用常压烧结法制备氧化铝陶瓷样品,通过添加CaO-MgO-SiO2(CMS)烧结助剂来降低氧化铝陶瓷的烧结温度。通过设计实验改变烧结助剂的配比来研究其对氧化铝陶瓷性能的影响,以制备出高致密度、介电常数稳定、介电损耗低的氧化铝陶瓷。利用D/MAX-2000/PC型X射线衍射仪来分析氧化铝陶瓷的相组成,利用S-4800型场发射扫描电子显微镜来观察氧化铝陶瓷的微观形貌,利用6500B精密阻抗分析仪测试氧化铝陶瓷的介电性能。结果表明:当MgO的添加量为0.3%(质量分数,下同),当CaO的添加量为1.0%时,样品的介电性能最好(介电常数εr≈9.5,介电损耗tanδ10-4),其致密度也较高(表观密度达3.7 g·cm-3)。     

Y~(3+)掺杂高介低损耗钛酸锶钡陶瓷的研究

为获得高介电常数低介电损耗的钛酸锶钡陶瓷,采用固相反应法制备了Y~(3+)掺杂BST_(60),BST_(65),BST_(70)陶瓷。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪,对陶瓷的微观结构和介电性能进行了测量。研究发现,Y~(3+)的掺入并未改变陶瓷母体结构,Y~(3+)在BST中形成了连续固溶体。最佳烧结温度处,随Ba/Sr比增大,晶粒尺寸增加;同一Ba/Sr比下,掺杂Y~(3+)能促进晶粒生长,由开始的平均1μm增大为3μm~4μm,尺寸连续分布,致密度提高。适量Y~(3+)掺杂有利于提高材料介电常数,降低介电损耗。当烧结温度为1450℃,Y~(3+)掺杂量为0.3%(摩尔分数)时,BST_(70)陶瓷相对密度为95.7%,介电常数最大为27891;此时BST_(65)介电常数为17811,损耗最小为0.00869,频率稳定性最好。     

MnO_2掺杂BaTi_4O_9陶瓷微波介电性能研究

采用传统固相反应法合成BaTi_4O_9粉体,复合掺杂质量分数为0~0.16%MnO_2,在空气气氛下常压烧结制备BaTi_4O_9陶瓷。研究了MnO_2对BaTi_4O_9陶瓷的相组成、微观形貌、烧结特性及介电性能的影响。X射线衍射分析和扫描电子显微镜观察表明,Mn完全固溶到BaTi_4O_9陶瓷中;随着MnO_2掺杂量的增加,晶粒更加均匀,BaTi_4O_9陶瓷更加致密,介电常数略微降低,品质因数和谐振频率温度系数先显著提高继而降低;MnO_2掺杂BaTi_4O_9陶瓷发生Ti位取代,高温烧结时在一定程度上抑制了Ti~(4+)还原为Ti~(3+),从而改善BaTi_4O_9陶瓷微波介电性能。在烧结温度1250℃,保温时间4 h,掺杂MnO_2质量分数为0.08%时,BaTi_4O_9陶瓷微波介电性能最优,介电常数(εr)为34.56,品质因数(Q·f,中心频率5 GHz)为49097,谐振频率温度系数(τ_f)为14.997×10~(-6)/℃,相对密度最大,达97%。     

纳米CuO掺杂(Ba0.87Ca0.09Sr0.04)(Ti0.90Zr0.04Sn0.06)O3基Y5V陶瓷的制备与表征

目的 以纳米CuO作为烧结助剂制备(Ba0.87Ca0.09Sr0.04)(Ti0.90Zr0.04Sn0.06)O3陶瓷(BCSTZS),研究纳米CuO的用量及烧结温度对BCSTZS陶瓷的微观形貌以及介电性能的影响,以期获得低烧Y5V型陶瓷材料.方法 采用固相法掺入纳米CuO制备一系列的BCSTZS陶瓷.通过XRD,TEM和SEM对样品进行表征,并测试陶瓷的介电性能.结果 在低温烧结时,陶瓷的密度和介电常数随CuO掺杂量的增加而增大,纳米CuO可以将BCSTZS陶瓷的烧结温度降低到1 150 ℃.当纳米CuO含量为1.5%(质量分数)时,BCSTZS陶瓷材料满足EIA Y5V标准,其εmax=8 690,介质损耗为1.67%,绝缘电阻率为5×1013 Ω·cm.结论 采用纳米CuO为助烧剂制备的BCSTZS陶瓷具有气孔率小、密度较大,晶粒大小一致且分布均匀的特点,采用该方法可以在低温下得到满足Y5V标准的BSCTZS基陶瓷材料.该研究具有重要的应用前景.     

钛酸铅掺杂的Y_2Ti_2O_7基微波介质陶瓷的性能研究

以新型的具有中介电常数的Y2Ti2O7系微波介质陶瓷为研究基体,选用PbTiO3为改性添加剂,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、网络分析仪和阻抗分析仪等现代测试仪器对材料的性能进行了表征,重点研究了PbTiO3掺杂后陶瓷材料的物相组成和介电性能。结果表明:PbTiO3掺杂没有改变材料的主晶相,仍为A2B2O7型烧绿石结构,由此推测PbTiO3可能固溶到Y2Ti2O7陶瓷晶格中。Pb2+占据Y3+所在的A位,且同时产生新的空位缺陷,破坏了材料的有序度,提高了晶格扩散速率,有效降低了陶瓷的烧结温度。少量Pb元素的加入使材料的晶胞常数增大,单位晶胞体积变大,Ti4+具有更大的运动空间,提高了材料本身的离子总极化率,从而提高材料的介电性能,尤其是介电常数值。当PbTiO3掺杂量为2%时,在1345℃下烧结,介电性能较好:εr=56.4,tanδ=1.21×10-3,Q×f=4776 GHz。     

Effects of Ce3＋ , Nd3＋ , Gd3＋, Tb3＋ and Lu3＋ ions on Formation of CaCO3

The effects of lanthanides at various concentrations on CaCO3 crystal growth were studied by X-ray diffraction (XRD), infrared spectra (IR), X-ray photoelectric energy spectra (XPS) and inductively coupled plasma mtms spectrometry (ICP-MS). It was found that the calcite, a stable form of CaCO3 in thermodynamics, is the predominant species. The research indicates that lanthanide ions (Ln3 ) can partly substitute the Ca2 in the lattice of CaCO3 crystals, and change the crystal characterization and direct the ordinal growth of CaCO3 crystals.     

3-Hydroxy-3-methylglutaric aciduria: deficiency of 3-hydroxy-3-methylglutaryl coenzyme A lyase

Basic principles are offered to support the suggestion that use of special care space must be made with a mind toward prevention of obsolescence. Certain conventional design features should be examined critically and decisions made as to their applicability to the needs of a particular program.     

Photoluminescence of Dy~(3 ) Ions in Ba_3La(BO_3)_3

Dy3 isanimportantactivator .Ithasbeenexten sivelyappliedinmanyluminescentmaterials .Inre centyears ,someresearchershavestudiedthespec trumcharacteristicsofluminescentmaterialsdopedDy3 [1～ 6 ] andhaveobtainedsomemeaningfulre sults .InordertodevelopnewfluorescentmaterialsanddiscussthephotoluminescentruleofDy3 inthecomplexborate ,thispaperstudiesthephotolumines centcharacteristicsofDy3 inBa3La(BO3) 3host ,anddiscussestheinfluenceofthecharge to radiusratio(z/r)ofrareearthionRE3 andthecon…     

Dy^3＋在（LaO）3BO3和（GdO）3BO3中的光致发光

研究了Ｄｙ＾３＋在（ＬａＯ）３ＢＯ３和（ＧｄＯ）３ＢＯ３中的光致发光;探讨了基质晶体结构、稀土离子ＲＥ＾３＋的电荷半径比（Ｚ／ｒ）和Ｄｙ＾３＋含量对（Ｄｙ＾３＋）发光强度及发光颜色的影响;分析了（ＧｄＯ）３ＢＯ３中Ｂｉ＾３＋对Ｄｙ＾３＋发光的敏化作用及Ｄｙ＾３＋４Ｆ９／２→＾６Ｈ１３／２超灵敏跃迁发射的自身浓度猝灭机理。     

Ca3La(BO3)3中Dy3+的光致发光

研究了Ca3La(BO3)3基质中Dy^3 的发射光谱和激发光谱。结果表明，强的激发峰值为351nm、367nm和386nm；Dy^3 的488nm和578nm发射的最佳浓度均为xDy=0．03；Dy^3 发射的黄光和蓝光强度比(用Y／B表示)随Dy^3 浓度的增加而逐渐增大；Dy^3 的^4F9/2→^6H15/2、^6H13/2跃迁发射的浓度猝灭机理均为电偶极-电偶极相互作用；同时还探讨了Ce^3 对Dy^3 发光的敏化作用。     

Optical Spectroscopy of Er^3＋ and Er^3＋/Yb^3＋ Co-doped Bi2O3-GeO2-B2O3-ZnO Glasses

The （60 - x）Bi2O3 - xGeO2-30B2O3-10ZnO （x = 5, 10, 20, 30 molar percent） glasses doped with Er^3＋ and Er^3＋/Yb^3＋ were fabricated using the melting method. The thermal stability of the glasses was studied with their DTA curves. The results show that the difference between the glass transition temperature and the crystallization onset temperature increases with the increase of GeO2 content, indicating that the thermal stability of the glass has become better. The absorption spectra were recorded and the stimulated emission cross sections were calculated using the McCumber theory. The Ω2, O4, and Ω6 parameters,the transition probability, the radiative lifetime, and the fluorescence branch ratio of Er^3＋ for optical transition were calculated from their absorption spectra in terms of reduced matrix U^（t）（λ = 2, 4, 6） character for optical transitions. The infrared emission of Er^3＋ was measured upon excitation with 970 nm light and the full width at half-maximum （FWHM） was estimated from the emission spectra. The pumping efficiency and the intensity of the emission at the 1.54 μm band of Er^3＋ were enhanced considerably by co-doping Yb^3＋ .     

K3AlF6-Na3AlF6-AlF3铝电解体系密度的研究

采用流体静力称重法研究了K<,3>AlF<,6>-Na<,3>AlF<,6>-AlF<,3>铝电解质体系的密度.探讨了K<,3>AlF<,6>,AlF<,3>含量和温度与K<,3>AlF<,6>-Na<,3>AlF<,6>-AlF<,3>体系密度的关系.实验结果表明:K<,3>AlF<,6>-Na<,3>AlF<,6>-AlF<,3>体系密度与温度成较好的线性关系,温度升高,密度降低;随着AlF<,3>含量的降低,体系的密度对温度的变化更加敏感.相同过热度下,固定KR(钾冰晶石含量),随着AlF3含量的增加,体系的密度呈现出不同的变化规律,相同过热度条件下,对于较低的KR=0.1值,随着AlF<,3>含量的增加,体系的密度逐渐下降,对于较高的KR=0.5值,随着AlF<,3>含量的增加,体系密度先降低后增加,存在最低点.相同过热度下,固定AlF<,3>含量,随着KR增加,体系密度也呈现出不同的变化规律,当AlF<,3>为22%,随着KR增大,体系密度变化不大;当AlF<,3>为26%,30%,随着KR增大,体系密度先降低后增加.