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Liu Ming Qin Bo Xiao Wenyu Zhong Huiming Chen Liang Liu Lifang Jia Chen Chen Zhiliang 《半导体学报》2006,27(11):1889-1893
设计出了一种实现64级灰度显示的单片混合信号驱动芯片,它采用脉冲宽度调制方法和两级电压预充方式,适用于驱动132×64像素的无源OLED显示屏. 芯片内部主要包括数字控制器,显示数据存取器,DC-DC电压转换器,参考电流产生器,电压预充电路产生器,64个行驱动电路和132个列驱动电路. 它已经用Chartered 0.35μm 18V高压CMOS工艺制作完成,芯片面积约为10mm×2mm. 测试结果表明芯片性能良好,在电源低压为3V,高压为12V,显示电流为100mA并处于最高级灰度显示的条件下,芯片与面板的总功耗为294mW. 相似文献
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提出了一种重影消除自适应均衡芯片设计.该芯片采用自适应算法、内置576抽头数字滤波器,可完成重影消除的所有功能。芯片高度集成,内嵌DSP控制器、存储器、同步检测器、D/A、A/D及用户编程。该芯片采用3.3V电源电压、0.35μm CMOS工艺生产制造,80-pin的QFP封装;在典型工作频率下最大功耗为1.3W。 相似文献
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高性能移动电话音频功率放大芯片分析与设计 总被引:1,自引:0,他引:1
文章成功地将一种全差分析叠式共源共栅运算放大器结构应用于移动电话音频功率放大芯片的设计中。仿真表明,该音频功率放大芯片的电源抑制比(PSRR)在20Hz~20kHz频段始终高于60dB;尤其是在217Hz的频率上,其PSRR值达到了82dB。该设计提高了音频芯片的抗电源噪声能力,改善了通话语音质量。芯片采用华润上华(CSMC)0.6μm、3.3V/5V电源电压、2层多晶2层金属CMOS工艺制造。 相似文献
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FAN5063是美国快捷公司生产的全兼容ACPI控制芯片,当用作ATX电源时,即可为PCI提供双3.3V电源,也可用SDRAM和RAM BUS供电,另外,FAN5063还集成有许多附加的保护功能。文中介绍了FAN5063芯片的功能,并给出了它的应用电路。 相似文献
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据《国际半导体》杂志(英文)1995年第8期报道,三菱公司和日立公司已联合开发了一个3.3V单电源的DINOR(双或非)快速存储器。三菱公司还开发了一种适用于1GDRAM芯片的低功耗、高速DRAM电路技术。常规的NOR(或非)快速存储器使用CHE单元写入,这种结构用单电源供电是困难的。与非芯片的迭式存储单元减少了连接点,从而降低了随机存取性能。而双或非结构因结合了两种方法的优点,从而达到了消除瓶颈的目的。用3.3V单电源的双或非16M快速存储器,最主要的革新部分在于晶体管被做成单元,提供32个门单元,每64k字节为一组。芯片… 相似文献
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日立制作所和TI公司共同开发64MDRAM。工艺采用0.35PmCMOS,芯片面积为228mm’,确定i线的微细加工技术,作为缺陷弥补技术,由于设计成新型高效率补救电路,从制作初期开始就实现稳定的高成品率。电源电压实现3.3V土0.3V的低电压化,也可用于LVTTL(低压TTL)的接口中。另外,在待机时,在芯片内可控制自动恢复,保持数据时的最大耗散电流为300PA,实现低耗散功率。存取时间实现高速化,为60。S,另外,采用LOC结构的封装,在芯片中央设置焊接点,提高了电路配置的自由度,可降低由长的电源市线所产生的电压。结果是容易实… 相似文献
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在新一代电子产品设计与应用中,低功耗和高速度已经成为数字电路设计的发展趋势。但是众所周知,芯片的功耗与频率成正比关系,这两个看似不可调和的矛盾,最终导致了各种低压数字器件的出现。如TI公司的TMS320F2812就采用了核心1.8V和外围电路由3.3V供电的架构,但这也同时带来了新的问题。就是大多数外围数字芯片仍为TTL或CMOS逻辑电平,当把微处理器I/O电压移植到较低的节点, 相似文献
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低电压设计是一种混合电压设计。微处理器芯核可在低到0.8V电压下运行,但是其与外部的接日仍主要用2.5V和3.3V。混合电压设计极大地推动了对混合逻辑器件的需求。随着总线速度逐渐提高,保持信号的完整性和驱动能力是一个复杂的任务。芯片制造商正在采取措施来使噪声最小而制作的器件能工作在100MHz或更高频率。混合电压设计权威人士预测,5V逻辑会从90年代初开始退出市场。在1989年有很多关于3.3V逻辑的讨论,并预测会很快向3.3V逻辑过渡,但这种过渡并没有出现。直到现在,便携设计才开始占主导地位。在便携设计中低电压增长情… 相似文献
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应用USB端口和MAX1811、MAX1797、MAX1837芯片实现对便携式设备提供3.8V和5V电源。 相似文献