共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了采用NO快速热氮SiO2 方法制备超薄栅介质并初步制备出约5nm超薄栅的MOS电容和约6nm超薄 NMOSFET,NO氮化改善了超薄SiO2膜的性能。 相似文献
3.
快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究 总被引:3,自引:2,他引:3
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co~(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。 相似文献
4.
5.
6.
7.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
8.
制备出6~7nm超薄栅NMOSFET。通过对器件性能的研究发现,适当条件下N2O制备的超薄SiOxNy膜比SiO2膜更适合ULSI的应用。 相似文献
9.
SiO2膜针孔的分析与检测 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了SiO_2膜的针孔模型及漏电机理,讨论了针孔密度的概念,并用EPW(乙二胺-邻苯二酚水溶液)法和漏电流法分析了针孔与漏电流的关系,给出了SiO_2膜无明显针孔的判据。 相似文献
10.
光学薄膜中的残余应力是一个影响现代仪器性能和可靠性的越来越重要的因素.过强的张应力或压应力会使膜层破裂和脱落.即使上述情况不发生,残余应力也会影响平面衬底的平面度,从而导致反射波面发生畸变.设薄膜是在温度T_2时制备的,在室温T_1时,其残余应力σ由两部分组成:(1)由在膜形成时所产生的内应力σ_i,和(2)由膜层和衬底的热胀系数不同所引起的应力σ_(th).所以,残余应力由下式给出: 相似文献
11.
本文介绍了尼科里安-科兹伯格(Nicollian-Goetzberger)电导技术及其基本原理,建立了采用双相锁相放大器的测试系统,利用它测量了常规热氮化和快速热氮化SiO_2薄膜与Si衬底的界面性质,包括界面态密度,空穴俘获截面,表面势起伏,以及界面态时间常数等,并对它们进行了分析和讨论。研究结果表明:氮化会增加界面态的密度和平均时间常数,会增强表面势起伏,但只是轻微地改变空穴俘获截面.特别地,氮化还导致界面态密度在禁带中央以下0.2-0.25eV处出现峰值以及削弱了空穴俘获截面对能带能量的依赖关系.利用一个阵列模型,可以较好地模拟表面势起伏的标准偏差并可由此推断表面势起伏是由长波形式的界面态电荷非均匀性所引起.这个结果和氮化会导致高密度氧化层电荷的事实相一致.而以上所有界面态的性质,都与氮化的时间和温度有关. 相似文献
12.
在超薄栅介质膜的制备技术中,膜生成前,用稀HF酸进行表面处理,能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高,从而使膜的击穿、漏电得到改善。 相似文献
13.
刘钟毅 《电子产品可靠性与环境试验》1998,(1):26-32
本文建立了在高电场F-N隧穿注入条件下,MOS结构SiO膜中包含陷阱产生现象的陷阱化动力学方程。由这些方程导出若干结果;并这些结果,提出了确定SiO膜内陷阱特性参量的分析方法。也简单讨论了二氧化硅膜内几各不同类型陷阱。 相似文献
14.
15.
16.
17.
对热生长SiO_2膜,在NH_3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO_2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用其做为绝缘栅制成MOSFET。讨论了热氮化对阈电压和表面电子迁移率的影响。 相似文献
18.
离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性 总被引:3,自引:2,他引:1
研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性,实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介均有显下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%,栅介质性能的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N^ 离子形成了更稳定的键所致。 相似文献
19.