CMOS/SOI4kb静态随机存储器

对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(工作电压5V,工作频率2MHz),静态维持电流为1mA.CMOS/SOI4kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm.     

纳米 MOSFET/SOI器件新结构

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的MOSFET／SOI器件的新结构，如超薄SOI器件、双栅MOSFET、FinFET和应变沟道等SOI器件，并对它们的性能进行了分析。     

D/A转换器建立时间对输出信号质量的影响

考虑D／A转换器建立时间的影响，建立了D／A转换器输出信号波形的新的时域模型。在此基础上，以正弦信号的发生为例进行了频谱分析。发现了建立过程的平滑作用可以明显地削弱信号的谐波分量，并存在一个最佳转换频率，使谐波失真达到最小值。该结果为D/A信号发生器的优化设计提供了参考依据。     

光导型GaN/Si探测器的研制

采用ＭＯＣＶＤ技术在Ｓｉ（１１１）衬底上生长ＧａＮ薄膜,经此材料制备成光导型Ｓｉ基ＧａＮ紫外探测器。探测器的光谱响应表明,在紫外波段２５０￣３６０ｎｍ有近于平坦的光电流响应,３６３ｎｍ附近有陡峭的截止边,３５７ｎｍ波长处５Ｖ偏压下的响应度高达６．９Ａ／Ｗ。响应度与偏压的变化关系表明,４Ｖ以前为线性增加,５Ｖ后达到饱和。     

基于Silvaco的RFSOICMOS工艺仿真

近年来,随着便携式系统和无线通讯系统的迅速发展,电子产品的消费已经转移到射频领域。这为SOI技术的应用开辟了广阔的前景：一方面,由于射频领域的便携式系统和无线通讯系统多数是使用电池作为能源的,因此降低系统功耗和驱动电压就成为需要解决的首要问题。在这方面,SOIcMOS技术由于寄生电容小而成为解决功耗问题的一项关键技术。另一方面,射频领域的发展要求集成水平和工作频率提高,藕合噪声问题变得更加关键。采用全氧隔离的SOICMOS技术实现了器件和基片之间的完全隔离,显著降低了高频RF和数字、混合信号器件之间的串扰现象,从而使藕合噪声问题得到很大改善。文章详细介绍了0．5umSOICMOS的工艺流程,并利用silvaco软件对工艺进行仿真。     

PDSOI NMOS/CMOS闩锁特性

本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响。     

部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究

采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.     

利用CMOS快速数字成像系统拍摄高速运动的物体

研制的CMOS快速成像系统,是基于CMOS图像传感器阵列的成像系统,其传感器阵列具有较高的空间分辨率和时间分辨率,因此可获取高速运动物体的瞬间物理状态。实验结果表明,采用4×4阵列的CMOS成像系统可拍摄到0.5μs的图像。     

LSI中的CMOS运算放大器的设计

利用CSMC0.6μmCMOS工艺实现了一个用于LSI中的CMOS运算放大器,整个设计利用SPICE软件进行系统模拟,利用九天(Zeni)工具进行了版图设计和验证,最后已通过东南大学MPW(multi-project-wafer)进行了流片.此放大器增益为72.9dB,单位增益带宽为10.2MHz,±1.65V电源供电,功耗小于0.5mW,整个芯片面积为0.5mm×0.5mm.     

CMOS图像传感器阵列在μ秒级物理暂态摄像系统中的应用

介绍TCMOSN像传感器阵列在物理暂态摄像系统中的应用方法。通过时序控制火花点阵闪光与传感器阵列曝光保持同步，拍摄到0．5μ火花图像．验证了原理的可行性。CMOS图像传感器阵列为4x4方阵，分时顺序控制，拍摄间隔在0-9999μ内可调，为高速摄像技术提供了新的方法。     

一种新型低阻SOI P-LDMOS研究

提出了一种新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没有长时间的高温过程,进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度.模拟结果表明新型P-LDMOS性能得到明显改善,与传统P-LDMOS相比开态导通电阻降低了24.7%,击穿电压提高了17.3%,饱和电流提高了26.7%.     

具有加长LDD结构的高压CMOS器件

基于中国科学院微电子研究所的0.8μm标准N阱CMOS工艺以及ISETCAD软件,模拟了具有加长LDD结构的高压CMOS器件.器件的击穿电压可以达到30V以上.加长的LDD结构是通过非自对准的源漏注入实现的.LDD区域的长度和该区域的掺杂浓度对器件击穿影响很大.对于不同的工作电压(10-20 V),实验给出了相应的LDD区域长度和该区域的注入剂量.只需要在标准工艺的基础上增加三层掩模版和相应的工艺步骤就能实现低高压工艺的兼容.而且对称结构和非对称结构(具有更大的驱动电流)器件都能实现.与LDMOS或DDDMOS工艺相比,节省了成本,而且所设计的高压器件尺寸较小,有利于集成.     

CMOS/CCD矩阵改进投影仪系统

机械工业中准确度高的微小零件采用投影仪进行测量，传统投影仪受瞄准、计算等人的因素影响引入误差，测量准确度受到影响，本文通过对投影仪测量光路和准确度分析，对CMOS／CCD光电成像原理进行分析。采用CMOS／CCD矩阵成像技术改进传统投影仪，并对改进后投影仪原理、参数进行了分析对比，对改造后的光路、性能、与计算机的接口、数控技术连接和经济性能等技术参数与传统投影仪进行对比，从中可以看出其改进后的优越性。