平、对封型陶瓷—金属封接应力的分析与计算(摘要)

陶瓷—金属封接工艺应用领域越来越广,但目前要用实验方法测定陶瓷—金属封接结构的应力尚存在许多困难。作者用计算方法求出各种常用封接材料在各种平、对封封接结构尺寸中的封接应力,并得到应力在各位置上的分布以及应力随温度变化的规律。将封接结构模型进行适当的简化后,可根据弹性力学理论进行计算。设平封结构在封口处瓷件所受单位周长上的内力为P及转矩为M,其值分别为:     

电子器件用高导热陶瓷介质材料

引言陶瓷与金属的封接是近代电子器件研制的关键工艺之一。近代电子器件的发展对陶瓷-金属封接工艺提出新的要求,而陶瓷-金属封接工艺的发展又进一步推动了电子器件的发展。近代电子器件正向着超高频、大功率、宽     

陶瓷-金属封接技术应用的新进展

综述了最近几年来陶瓷-金属封接技术的进展,包括在固体氧化物燃料电池,惰性生物陶瓷的接合,高工作温度、高气密性、多引线芯柱以及半透明Al_2O_3瓷用于金属卤化物灯中的封接工艺等。特别强调了随着应用领域的不同,陶瓷-封接组件的多种性能都需要不同的提高。     

陶瓷金属封接应力的分析与测试

陶瓷-金属封接过程中容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性.应用理论公式和ANSYS有限元分析软件对典型结构的应力分布进行了计算,同时应用X射线衍射法对该结构的应力进行了测试.结果表明计算与测试结果一致,ANSYS完全可以应用于陶瓷/金属封接的应力计算,同时X射线衍射法是一种测试陶瓷金属封接应力的可行方法.     

温度对玻璃-金属封接性能的影响研究

温度是影响玻璃-金属封接性能的主要工艺参数。通过对DM305玻璃和可伐合金的封接件(尺寸分别为?5,?10,?20 mm×8 mm)在封接温度960℃与980℃下的封接状况进行模拟和实验,分析了两种温度条件下封接所需的有效时间。考察了相同封接时间下不同温度对封接的影响规律。结果表明980℃封接温度可以有效缩短封接时间,并使玻璃与金属之间结合效果良好,取得较好的封接效果。     

氮化铝与可伐封接件有限元应力分析

陶瓷金属封接件内残余应力主要是由热膨胀系数不匹配造成的,受各种因素的影响．其应力大小、分布影响着封接件的可靠性。对微波管内复杂氮化铝陶瓷-可伐金属结构运用有限元法计算封接件的应力。计算的结果表明,实际断裂方式与有限元分析相吻合。在此基础上,优化了封接结构,提出改进工艺,取得成功。     

溅散金属化的陶瓷——金属封接

本文谈到用溅散工艺把金属化层敷到陶瓷上的方法。采用该工艺的陶瓷-金属封接,可用于任何等级和种类的陶瓷,并能获得牢固而气密的封接。     

95％/Al_2O_3瓷与金属的扩散封接

引言氧化铝陶瓷具有强度高、高频损耗小和热稳定性好等特点,因此在电子工业、航空工业和原子能工业上,广泛地采用各种金属和氧化铝瓷的封接件。随着上述工业的发展对各种封接件的质量要求也越来越高。以往国内外常用的封接方法有烧结金属粉末法、活性合金法等。但是这些方法存在着高频损耗大、抗辐照能力和介电性能低等缺点,已经不能完全满足上述工业发展的需要,希望有更可靠的封接方法提高封接件的工作性能和使用寿命,真空扩散封接工艺是可以克服上述缺点的方法之一。扩散封接可以获得真空气密性好、热稳定性好和绝缘性好的封接组件。常规的陶瓷-金属封接主要是依靠高温产     

陶瓷-金属封接用钛银铜合金焊料含钛量及其封接工艺的研究

正 (一) 前言 几十年来电真空器件一直采用钼锰金属化或涂钛粉的陶瓷金属封接工艺。该工艺比较复杂,同时封接质量又不易保证。我们研究了用钛银铜(Ti-Ag-Cu)活性合金焊料直接封接的工艺;试验了合金焊料中活性元素钛含量和封接温度等参量对封接质量的影响;给出了合金焊料的合适合钛量和封接的工艺规范。实验表明,钛银铜合金焊料直接封接工艺,方法简单,质量稳定,是值得推广应用的     

一种大腔体陶瓷封装结构的研制

利用陶瓷－金属封接技术，通过对封接结构的合理调整，消除了封接应力对可靠性的影响，实现了一种大腔体微波管壳的制作，并成功地将之应用于实际     

高强度Mo-Mn金属化工艺研究

通过改变Mo-Mn法工艺条件来获得高致密、高强度的金属化层，以提高陶瓷金属封接件的封接强度。     

陶瓷金属化及其与金属封接的一种新方法——直流溅射金属化及封接工艺

本文介绍一种初步研制成功的陶瓷金属化及其与金属封接的新方法,即陶瓷的直流溅射金属化及封接工艺。用达种方法可以使瓷件不必予先加热而能形成粘结牢固的金属化薄膜。金属化了的瓷件可以用常用焊料与金属件实现高强度、真空气密的封接。     

功率FET封装中瓷裂问题的探讨

通过对陶瓷-金属封接结构的合理调整,解决了功率FET封装中瓷裂的问题,使封接强度和可靠性有明显提高,并成功地应用于实际。     

影响陶瓷—金属封接强度的主要因素

一、前言 陶瓷-金属封接是微波半导体器件的主要封装形式,随着器件可靠性的不断提高,要求陶瓷-金属的封接强度越高越好。影响陶瓷-金属封接强度的因素很多,择其要者,有以下四点: (1)、陶瓷与金属化配方的适应性。 (2)、金属化工艺规范——金属化烧结温度和保温时间。 (3)、金属化涂膏层的厚度。 (4)、焊料量。 本文就上述四因素对陶瓷-金属封接强度的影响,作一些初浅的探讨。 二、实验 1、样品 为接近实际使用情况,采用图1所示的样     

宽带高功率矩形陶瓷密封窗封接结构及工艺

推荐了几种氧化铝陶瓷宽带高功率矩形密封窗的封接结构，并对其封接工艺要领进行了简要介绍。     

粘合剂在陶瓷-金属封接技术中的应用

研究改进了目前丝网印刷膏用的粘合剂，运用双毛细管模型解释了封接强度增加的原因，粘合剂成分直接影响陶瓷金属封接质晕，其中溶剂对陶瓷-金属封接强度起着重要作用，起粘和作用的乙基纤维素只影响涂敷后金属化涂层的强度。     

He-Ne激光管软金属封接的研究

本文叙述了对He-Ne激光管谐振腔的平行度和垂直度的精度要求。叙述了采用环氧封接镜片的缺点以及采用低熔点玻璃封接、铟封接镜片的优缺点。叙述了本文作者实现了一种软金属封接镜片后的新工艺，它的优点是，当激光管从排气台上封离后，它既能调整腔的垂直平行度，使管子获得较大的激光输出，又有良好的真空密封性，同时制造工艺简单，成本低，成品率高。论述了软金属封接新工艺所采用的软金属密封材料（伍德合金-铟组合环）及软金属密封机构，     

纯氧化铝瓷—金属封接

纯氧化铝瓷与高氧化铝瓷之间,纯氧化铝瓷、高氧化铝瓷与金属之间封接的一种新工艺巳出现。此法使用由几种氧化物的混合物组成的陶瓷玻璃焊料对氧化铝瓷件或氧化铝与金属直接进行封接。采用Al_2O_3-MnO-SiO_2系的混合物,封接温度是1140℃或更高些。采用Al_2O_3-CaO-MgO-SiO_2系的混合物来封接,封接件必须承受1300℃或更高温度。这些陶瓷玻璃焊料能用来封接纯氧化铝瓷与高氧化铝瓷或纯氧化铝瓷,高氧化铝瓷与金属。Al_2O_3-MgO-SiO_2系的配方可用于陶瓷与铁基合金封接,亦可用于陶瓷与难熔金属封接,而Al_2O_3-CaO-MgO-SiO_2系的配方可用来封接氧化铝瓷与难熔金属,以供极高温方面的应用。用此法进行的封接在热特性和热力学特性上完全不同于玻璃封接。本文讲述了封接强度的测量结果和封接形成机理的研究。     

利用Ti-Ag-Cu活性金属化法直接针封95Al_2O_3瓷

在通常所采用的陶瓷 金属封接结构中 ,平封和套封结构成品率相当高 ,直接针封成品率偏低 ,而直接针封通常采用Ｍｏ Ｍｎ金属化法进行封接 ,在保证瓷孔内涂膏均匀且尽量减小封接应力的情况下能够得到较高的成品率。而在陶瓷 -金属封接中采用的活性金属化法与Ｍｏ Ｍｎ金属化法相比较具有工序少、工艺简单的优点 ,在平封结构中广泛使用。利用活性金属法直接针封 95Ａｌ2 Ｏ3瓷尚未采用 ,曾有人做过此方面的试验 ,均因成品率太低而放弃。通常不用此方法是因为活性金属粉末涂于瓷孔内 ,金属粉与陶瓷粘接不牢固 ,装架时易碰掉金属粉 ,造成瓷孔内…     

高可靠性的陶瓷—金属封接

随着新型陶瓷材料(包括结构陶瓷)的不断发展,对金属陶瓷封接的要求也在日益增长。应用最为普遍的封接方法是钼锰法,它可以在陶瓷与金属之间产生高可靠性封接。但是,钼锰法需要两个工艺步骤:先是陶瓷金属化,然后与金属进行封接。虽然,这种方法的周期长,金属化温度也很高(～1500℃),而且封接性能随工艺因素的变化十分敏感。所以,为了获得可靠的封接就必须对工艺加以严格控制,其结果又使这种方法的成本变得十分昂贵。