氮化硼可制备半导体器件-天元新材

氮化硼可以应用在制备半导体元器件方面,这是日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(C-BN)的最新技术成果,他们成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳定工作的P-N结型二极管。在此之前,硅半导体广泛用作电子器件材料,但在200℃以上时失效。因此试图研究一种可用于极高温度环境,如外层空间和核反应堆的新型高温半导体材料。     

修饰电极与有机电解合成

一、绪言电极材料在电解反应中是整个电化学现象的一个非常重要的支配因素。因此电极材料在电化学中历来是一个重要的研究课题。至今已开发了很多新的电极材料。但是,一般作为实用的电极材料只是金属(包括合金)、金属化合物(主要是导电氧化物)和碳(石墨)等。近年来还开发了半导体材料。对电极材料不能仅仅单纯的从导电性物质来考     

超薄CdS纳米片的制备及光催化性能研究

环境污染和能源短缺是当下高速发展社会所带来的严峻问题,半导体光催化材料是解决该类问题的一种有效手段。CdS作为一种典型具有窄能隙的Ⅱ-Ⅵ半导体,能在可见光区域对光发生响应,是一种潜在的可应用的半导体光催化材料。本文介绍了各类半导体光催化材料的研究进展,着重介绍了硫化镉(CdS)的光催化性能、物化特性及其制备方法。采用水热法制备纳米片层状硫化镉,通过降解有机污染物甲基橙来评价其光催化性能,利用SEM和XRD对其微观形貌和晶体结构进行了表征。结果表明,所制备的样品为六方纤锌矿结构CdS;样品为层片结构,其片的厚度大约为10nm;片状纳米CdS具有较好的可见光催化效率,CdS对甲基橙的光降解速率k为0.00582h~(-1)。     

硫化钼矿浸取过程热力学分析

一、前言自然界中已知钼的矿物有20多种,其中以硫化钼矿—辉钼矿(MoS_2)最有工业价值。辉钼矿是一种典型的各向异性矿物,属于六方晶系     

其他

日经济产业省出台开发先进组分材料技术的计划日本经济产业省(METI)计划于2006年开始推行4项生产先进高质量组分材料的基础技术,希望这些技术开发能导致新工业的创建。第一个项目是要开发能用辊对辊碾压法生产超软显示材料。这种超软显示材料可用做传统玻璃基片的替代品。估计该项目为期4年,费用约为38亿日元(3450万美元)。该项目还要致力于开发在软基片上印制电路的技术和评价这一加工工艺质量的方法。第二个项目为期约3年,费用约30亿日元(2730万美元),系用于鉴别45纳米波节(node)的先进半导体所需组分材料的质量。研究的目的是寻找和克…     

市场观察

亚洲半导体市场迅猛增长由半导体设备和材料国际公司 (SEMI)组织的为期 5天的西部半导体展览会最近在旧金山和圣何塞举行 ,估计与会人员达到 6万～ 7万人 ,参展商超过 15 0 0个。业者对行业发展前景基本上持谨慎乐观的态度 ,在遭遇上次的严重衰退之后 ,生产商和供应商都更加谨慎 ,而且消费者仍能感到股票市场下滑带来的创伤。电子化学品市场的发展动力是半导体产量增加和 30 0mm晶片的开发。SEMI认为 ,2 0 0 3年电子材料的市场价值为 2 30亿美元 ,2 0 0 7年将达到 30 0亿美元。圣何塞半导体工业协会 (SIA)预计 ,今年半导体工业的销售额…     

三氟化氯电子气体研究进展

简要介绍了新型电子气体三氟化氯(ClF3)的发展历史及其物化性能,主要介绍了ClF3的制备方法及其在电子工业中的应用,指出ClF3作为一种新型含氟电子气体,可用于化学气相沉积反应室原位清洗,以替代传统上使用的全氟烃及在某些场合下替代NF3;ClF3的高化学活性提高了其对半导体材料的蚀刻速率,在第三代半导体材料(如Si)...     

铜锌锡硫半导体在光催化领域的研究进展

铜锌锡硫(CZTS)是一种禁带宽度较窄的可见光响应半导体材料(1.5 eV),凭借其较高的光学吸收系数(104cm~(-1))和制备成本低廉的优势,在光伏领域和太阳能电池领域表现出优异的性能。随着研究的不断深入,人们发现该材料也是一种理想的光催化材料,近年来关于其在光催化领域的报道层出不穷。文章对CZTS半导体材料的结构进行了简单的介绍,阐述了CZTS半导体的制备方法和光催化反应机理,最后综述了CZTS半导体在光催化领域的研究成果及未来的发展前景。     

热处理辉钼矿光催化原位还原银离子的研究

二硫化钼作为一种典型的层状过渡金属硫化物(TMDs)材料,因具有较窄的能带间隙,可在光照条件下将贵金属离子原位还原成单质,从而利于贵金属的回收,然而由于天然辉钼矿大量暴露的基面催化活性低,使得还原效果较差.本文探究热处理对辉钼矿晶体结构与银离子原位还原性能的影响.研究结果表明:热处理可提高辉钼矿原位还原银离子性能,由原矿的17 mg/g提升到23 mg/g;当pH值为3.0、银离子初始浓度为50 mg/L时,热处理辉钼矿对银离子的原位还原效果最佳;银离子原位还原效果的提升可能源于热处理使得辉钼矿对可见光的吸收能力变强及活性位点变多.     

金刚石半导体商用加速

近日,日本千叶大学的科学家宣布他们已经开发出一种使用激光制造金刚石晶片的方法,有望为下一代半导体提供助力。虽然目前硅仍然是半导体的主要材料,但是氮化镓、碳化硅宽带隙使半导体材料能够在更高的电压、频率和温度下更有效地发挥作用。随着电动汽车采用的加速,对宽带隙的碳化硅元件需求也是越来越大。     

聚合物/半导体复合材料对有机污染物的光催化降解研究

聚合物/半导体复合光催化剂降解环境中常见有机污染物物是一种高效的清洁处理技术,目前该技术已经成为各国科研工作者研究的重点和热点,本文简述了近年来聚合物(聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯)与半导体复合,所得复合材料对常见有机污染物的光催化降解效率,并对该类材料在环境领域的发展及应用前景进行了展望,最后期望该类材料能投入工业生产并为人类做出更大的贡献。     

杜邦高性能弹性体推出KALREZ~ 8900部件

近期,在2008欧洲半导体设备与材料产业展览会上,杜邦高性能弹性体公司(DPE)重点推出专为半导体热处理过程开发的最新Kalrez 8900全氟弹性体     

碳量子点与半导体复合光催化材料合成及降解有机污染物的应用进展

有机污染物的危害日益严重,引起人们的广泛关注。半导体光催化降解有机污染物是公认的绿色技术,但传统的半导体光催化材料对可见光的利用率低,光生电子与空穴易复合,导致降解有机污染物的效率不高,开发高效、稳定的半导体复合光催化材料,是当前光催化领域的研究热点。碳量子点(CQDs)是新型的纳米级荧光碳材料,可作为修饰剂与半导体材料复合,能够显著提高复合材料的光催化降解效率,极大地激发了研究者的兴趣。本文介绍了碳量子点与半导体光催化剂的复合方法,总结了近几年CQDs/半导体复合光催化材料降解有机染料、抗生素、止痛药、酚类化合物等有机污染物的应用成果。     

石墨烯联手辉钼矿催生新型闪存

瑞士洛桑联邦理工学院的科学家通过将石墨烯和辉钼矿（分子式为MoS2）两种具有优越电性能的材料相结合,制成了新型闪存的原型,在性能、尺寸、柔性和能耗等方面都很具前景。辉钼矿在自然界的储量十分丰富。两年前,该校纳米电子学与结构实验室的研究人员揭示了这种矿物卓越的电子特性。数月后,他们又阐释了构建高效辉钼矿芯片的可能性。在辉钼矿芯片诞生之后,辉钼矿闪存也相继面世。这是此种新材料在电子工业领域应用的重要一步。     

新型含能材料三聚氰胺二硝酸盐的合成、表征及应用

三聚氰胺二硝酸盐(MDN)是一种高氮富氧含能材料。综述了MDN的合成、表征及应用,指出MDN可望成为黑索今(RDX)和奥克托今(HMX)的替代品。     

特殊材料取代硅造出半导体薄膜

正美国麻省理工学院(MIT)工程师最近开发出一种新技术,他们用一批特殊材料取代硅,制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案,且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备,有望在未来的智慧城市中"大展拳脚"。     

加速硅产业转型升级的三个突破口

硅Si。周期系第Ⅳ类主族(碳族)元素。旧称矽,原子序数14,原子量28.086,有无定形和晶体两种同素异形体,灰色或黑色,比重2.4(20℃),熔点1420℃,沸点2355℃,化合价4。晶体硅硬而有光泽,具有半导体性质。硅的化学性质比较活泼,在高温时能与多种元素化合,不溶于水、硝酸和盐酸,溶于氢氟酸和碱液,用于制合金(如高硅铸铁、硅钢等)、有机硅化合物和四氯化硅等,是一种极重要的半导体材料。     

第三代半导体材料氮化镓(GaN)研究进展

第三代半导体材料氮化镓(GaN)因其禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、击穿电压高、介电常数小、导电性能好等优点,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料研究的热点。本文详细阐述了第三代半导体材料氮化镓(GaN)的制备方法、研究现状及产业化进展,指出了需进一步努力的方向和解决的方案,并对其未来的发展趋势和应用前景提出了展望。     

石墨烯实现大功率半导体设备大幅降温

美国加州大学河滨分校伯恩斯工程学院的研究人员开发出一种新技术,可借助石墨烯实现大功率半导体设备的大幅降温,解决在交通信号灯和电动汽车中使用的半导体材料散热问题。自上世纪9     

半导体集成电路用表面钝化膜的研究

对高性能高可靠性集成电路来说，表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一。本文分析了目前应用最广泛的几种无机表面钝化膜（SiO2,Al2O3和Si3N4)的特点，并指出氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料，发展低温的热化学气相沉积（CVD）工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的必然趋势，而开发新的能满足低温沉积氮化硅薄膜的硅源，氮源前驱体是解决这一难题的有效方法，并对这些前驱体物质的设计原则进行了阐述。