多孔硅的微结构与光致发光谱

采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光光谱（ＰＬ），对多孔硅的微结构和光致可见光发射进行了研究．结果表明，多孔硅的发光机理与其微结构之间有着密切的联系．多孔硅是大量的晶体结构的柱状或球状硅组成的，并且呈现一种有序结构，人们较普遍认为多孔硅的有效发光是起源于电化学腐蚀过程形成的纳米结构——硅量子线或量子点，本实验的结果与这一模型相吻合     

纳米多孔硅可控制备研究

采用了自制双槽和电化学腐蚀法在不同电阻率的硅片上制备出表面平整度很好的纳米多孔硅层,利用场发射扫描电子显微镜对多孔硅的微观形貌进行了分析表征。实验表明多孔硅的孔径、孔隙率和厚度随电化学腐蚀的电流密度和腐蚀时间增加而增加,且电解液中HF(40%)和无水乙醇(99.7%)的配比很趋近时,多孔硅的孔洞分布均匀性越好。在电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片上制备的纳米多孔硅其效果相比其他电阻率的要好。     

多孔硅在微型燃料电池中的应用研究进展

多孔硅作为一种具有特殊功能的结构材料,在燃料电池特别是微型燃料电池中,可用作扩散层、质子交换层和重整器等构件。介绍了应用于微型燃料电池的多孔硅的结构特点及其制备方法,综述了多孔硅在微型燃料电池领域中的应用研究进展。     

核-壳多孔硅/碳复合阳极的制备及其电化学性能

将微米硅采用金属银诱导化学腐蚀法制成三维多孔硅。以磺化沥青为前驱体,通过喷雾干燥法对多孔硅包覆,高温碳化得到核-壳多孔硅/碳复合阳极材料。利用SEM表征复合材料微观结构,多孔硅表面均匀分布大量纳米级孔洞,热解碳壳则将多孔硅紧密包裹,从而增强锂离子的扩散性能,及容纳体积膨胀空隙的能力。电池循环210次后,活性物质与集流体未见明显分离。所制备的多孔硅/碳复合锂离子电池具有较好的电化学性能,在0.1 C电流密度下首次放电比容量为3 810 mAh/g,经30次循环后比容量仍保持在1 710 mAh/g。1 C电流密度下,100次循环后比容量稳定在824 mAh/g,库仑效率99%。恢复至0.1 C充放电后,比容量仍能保持在1 210 mAh/g。     

PECVD法沉积类金刚石薄膜的耐腐蚀性能研究

金属材料在实际生活中应用广泛,但其易被摩擦磨损及易被腐蚀的特点成为其广泛应用中的主要障碍。本文介绍利用类金刚石（Diamond-like Carbon,DLC）的高硬度、低摩擦系数、高耐磨性及高化学稳定性等特点,采用等离子体增强化学气相沉积的方法,以C2H2为碳源、Ar为辅助气体在金属表面沉积DLC薄膜来提高金属的耐磨...     

多孔硅@石墨烯-碳纳米管的制备及性能研究

硅以其较高的理论比容量、较低的脱锂电位成为最具应用潜力的负极材料.为解决硅在锂化过程中高达300％的体积膨胀和导电性差的问题,以Al-Si合金为原料,通过选择性酸刻蚀工艺得到多孔硅微球(p-Si),并通过静电自组装法在其表面包覆石墨烯(p-Si@G),以Fe2O3-Al2O3为催化剂,采用化学气相沉积法制备了p-Si@G-CNTs复合材料,并系统研究了石墨烯包覆和碳纳米管的生长对于p-Si电化学性能的提升作用和提升机制.结果表明:在p-Si表面包覆石墨烯后其循环稳定性和首次库仑效率得到大幅改善.通过进一步在p-Si@G生长碳纳米管后其倍率性能得到明显改善.当p-Si@G与催化剂质量比为5:1时,所制备的p-Si@G-CNTs性能最佳,在0.5 A/g电流密度下循环100次后比容量可以达到1410.9 mAh/g.同时,该材料也展现出了优异的倍率性能,在8 A/g电流密度下仍然有536.2 mAh/g的比容量,具有良好的应用前景.     

MH-Ni电池充放电过程中交流阻抗谱的研究

利用交流阻抗法,对MHNi电池循环过程进行了跟踪研究,通过对交流阻抗谱的拟合解析,发现在循环过程中,电池多孔电极容抗效应CPE经历了先增大后减小的过程;欧姆阻抗在前150周期内变化不大,150周期以后显著增大。分析了这种现象产生的原因,认为电池充放电过程中正负极材料膨胀,挤压隔膜,逐渐使隔膜中的电解液减少,同时正负极材料的膨胀也导致了活性物质的粉化,造成其与导电基体间的接触电阻加大。为如何提高电池的寿命提供了实验依据     

多孔硅的半峰全宽小于3．8nm的针形发光峰

通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究它的发光峰形状的变化.从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰全宽均小于3.8nm.声空化所引发的特殊物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅提供了一条重要途径.实验结果表明,声空化处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.     

低介电常数聚酰亚胺多孔薄膜的制备

以3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐和4,4′-二氨基二苯醚为单体,以三聚氰胺为成孔剂,制得一种聚酰亚胺多孔薄膜,并对薄膜的微观结构、力学性能及介电常数等进行测试。结果表明:制备该聚酰亚胺多孔薄膜的成孔工艺简单可行,三聚氰胺成孔剂可用热水溶解的方法去除。多孔薄膜孔洞数量多,且分布比较均匀。薄膜的介电常数较低、力学性能良好、吸湿率较低。当三聚氰胺添加量分别为25%和40%时,聚酰亚胺多孔薄膜的介电常数分别为1.82和1.36,聚酰亚胺多孔薄膜的拉伸强度分别为86 MPa和74 MPa,断裂伸长率分别为15%和10%。     

热氧化温度对基于硅纳米线阵列太阳电池性能的影响

通过干氧热氧化方法在硅纳米线阵列表面生长一层SiO2钝化膜,研究不同热氧化温度对硅纳米线阵列的钝化效果的影响。实验结果表明,在850℃热氧化温度下得到SiO2钝化膜具有最佳的钝化效果。经过该方式钝化后的硅纳米线阵列具有最大的有效少子寿命,最好的内量子效率曲线,以及最好的太阳能转换效率。与未做热氧化钝化处理的基于硅纳米线阵列电池相比,该电池的短路电流、开路电压和转换效率分别提高了96mA、12．7mV和0．99％。     

硅钢自粘结涂层的常规性能研究

基于常规热固型自粘结涂料性状,讨论其涂布作业性和涂层产品的基本性能,研究了涂层厚度、一次烘干和二次固化过程中的工艺参数对涂层主要性能的影响。结果发现:一定范围的涂料性状(黏度、固含等)能获得较好的涂层表观和膜厚均匀性,进而对产品性能起到积极效果;控制膜厚为3~5μm,并选用合适的一次烘干和二次固化工艺参数,能获得最优的涂层综合性能;该类热固性自粘结涂层产品的绝缘性和粘结性能分别满足180℃和150℃的长期服役工况。     

无取向硅钢的迭装性能研究

研究了硅钢片表面形貌与迭装摇片性能之间的关系。研究表明，在工业标准规定范围内的冲裁毛刺对摩擦系数和摇片性能影响较小；润滑油量对硅钢片的摩擦特性及摇片性能有显著影响。直接决定了硅钢片在迭装过程中的受力状态。硅钢片表面的局部犁沟对润滑油起到了存储作用，使其在相对运动过程中表面受力不均匀，并可能导致硅钢片在迭装过程中出现卡片现象。     

无取向硅钢的迭装性能研究

研究了硅钢片表面形貌与迭装摇片性能之间的关系。研究表明,在工业标准规定范围内的冲裁毛刺对摩擦系数和摇片性能影响较小;润滑油量对硅钢片的摩擦特性及摇片性能有显著影响,直接决定了硅钢片在迭装过程中的受力状态。硅钢片表面的局部犁沟对润滑油起到了存储作用,使其在相对运动过程中表面受力不均匀,并可能导致硅钢片在迭装过程中出现卡片现象。     

电容器用双向拉伸聚丙烯薄膜打滑试验研究

电容器用双向拉伸聚丙烯薄膜的打滑现象，是影响薄膜电容器制造质量的关键因素之一，本文分析了薄膜打油机理，薄膜粗化机理，并进行了大量工艺试验，研究了影响薄膜打滑的主要因素，并提出了解决方法，优化合理的加工温度工艺是改进薄膜打滑的关键。     

电容器用双向拉伸聚丙烯薄膜打滑试验研究

电容器用双向拉伸聚丙烯薄膜的打滑现象 ,是影响薄膜电容器制造质量的关键因素之一。本文分析了薄膜打滑机理、薄膜粗化机理 ,并进行了大量工艺试验 ,研究了影响薄膜打滑的主要因素 ,并提出了解决方法。优化合理的加工温度工艺是改进薄膜打滑的关键     

超薄膜SOI技术与深亚微米ULSI的发展

文中介绍了超薄膜SOI/SDB技术的发展历程及其主要的四种技术,其中SDB技术是今后SOI的主流技术.采用了电化学腐蚀自停止的实验方法,对SOI/SDB硅片进行减薄后,成功地获得了小于1μm的SOI/SDB工作硅膜.经实验分析,可知该超薄膜工作硅片具有高速、低功耗、高集成度、高可靠性等优良性能,该薄膜在亚微米VLSI、深亚微米ULSI和集成光学中得到广泛的应用.     

取向硅钢绝缘涂层性能的研究

研究了Cr含量、磷酸二氢铝与硅溶胶的比例(简称P/Si比例)以及烘干温度对取向硅钢绝缘涂层性能的影响。分析试验结果可知,绝缘涂液中Cr含量为2.5%～3.75%、P/Si比例为0.8～0.9时,涂层的综合性能最好;涂层的烘干温度应不低于600℃,且随着温度的提高,涂层的硬度不断增加。