一种CMOS工艺兼容的PMOS管红外探测器

二极管连接的MOS管以恒定电流偏置时,栅源电压与温度成线性关系.其温度变化率与偏置电流和MOS管的宽长比等因素有关.对此做理论分析的基础上,用Hspice进行了仿真.当取偏置电流为60μA,MOS管的宽长比为2/2时,仿真得到的栅源电压温度变化率为2.13 mV/K.基于此温度特性,提出用PMOS管作为红外探测敏感元件,利用标准CMOS工艺,结合体硅加工技术制作红外探测器的方法,并将PMOS管串联以进一步增加探测器的灵敏度.     

基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计

分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案。采用常规的CMOS铝栅工艺。整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合。自举电容起的作用：（1）隔离高压（2）传输高压功率管的控制信号。此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片。此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功。测试各项指标都达到设计要求。     

与CMOS工艺兼容的皮拉尼传感器研究

皮拉尼传感器广泛用于105 Pa～10-1 Pa的粗真空测量.本文在基于MEMS工艺的皮拉尼传感器的基础上研制了一款与标准CMOS 工艺兼容的皮拉尼传感器.它采用钨微热板作为敏感元件,工作在恒电流模式下.该传感器利用0.5μm标准CMOS工艺加工,对10-1Pa～ 105 Pa的气压有响应,尤其对1Pa～100Pa气压具有线性响应.     

CMOS专用定时电路(LC4767)工艺研究

主要介绍了专用ＣＭＯＳ电路中采用齐纳二极管降低并稳定电压,保证电路的正常工作并降低功耗,拓宽了ＣＭＯＳ混合电路的应用范围。     

基于0.35 μm CMOS工艺的高温高压LDO芯片设计

基于X-FAB xa 0.35μm CMOS工艺,首先采用Cascode电流镜和高压管,设计了一种具有高电源抑制比且无需额外提供偏置模块的高温高压基准电路,在输入电压为5.5 V～30 V、工作温度为-55℃～175℃时,可获得稳定的0.9 V基准电压。接着针对负反馈环路的稳定性问题,根据动态零点补偿原理设计了一种新的动态零点补偿电路,使系统在全负载变化范围内保持稳定。同时配合其他过温保护、过压保护、过流保护和逻辑控制等电路模块,完成一款面积为2.822 3 mm²的高温高压低压差线性稳压器(LDO)芯片的设计。     

基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计

分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案.采用常规的CMOS铝栅工艺.整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合.自举电容起的作用:(1)隔离高压(2)传输高压功率管的控制信号.此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片.此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功.测试各项指标都达到设计要求.     

一种与CMOS工艺兼容的钨微热板

标准CMOS工艺中的多晶硅的热性能越来越稳定,因此多晶硅微热板受到一定的限制.本文设计了一种与标准CMOS工艺兼容的钨微热板.钨在CMOS工艺中作为通孔材料连接两层金属或者金属与硅衬底.但在钨微热板的设计过程中,钨连接一层金属,构成钨电阻,作为微热板的加热和测温电阻.测量结果显示钨的温度系数是0.0015/℃,钨微热板的热阻是17℃/mW.本文的钨微热板的设计可以应用到相关的与标准CMOS工艺兼容的热传感器的设计之中.     

高压CMOS电路的设计及制造工艺研究

介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿电压的一系列技术措施,使MOS晶体管的源漏击穿电压提高至35V以上,电路在24V电压下可以正常工作。     

DPS在原理匕属于CMOS工艺改良器件的—种

DPS在原理上属于CMOS工艺改良器件的一种。CMOS器件是一种半导体器件的结构名称，也是其制造工艺的名称，它的中文名称是“互补性氧化金属半导体”，是利用硅和锗两种元素制成的半导体器件，在其上共存着带N（带-电）和P（带＋电）级的半导体，随着外接触发极控制量的变化，读取其中互补效应所产生的电流，即可解码，输出成影像。JVC公司在2003年底推出了采用该类型器件的摄像机，目前市面上推广的一些钙类产品（DPS）在性能及原理上与JVC的TK-WD310EC基本相同。     

CMOS集成电路自锁效应的分析

本文详细讨论了－55℃-125℃CMOS集成电路的自锁效应维持电流与温度的关系，导出了近似表达式IH（T）＝IH（T1）（T1／T）^m，并给出了m的估算值。计算结果表明近似公式误差小。能完整反映－55℃-125℃的IH（T）变化规律并能与实验结果符合。     

Andigilog开发出采用CMOS工艺的模拟温度传感器

一家模拟与混合信号器件供供商Andigilog已开发出一种采用CMOS工艺的模拟温度传感器，该公司声称，这颗编号为aSC7511的器件采用了其独特的温度感测技术，能监控近端及远程的系统温度并进行热管理，从而为基于英特尔奔腾4与AMD速龙、毒龙处理器的PC与笔记本电脑降低功耗。     

基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器

随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器.由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声.这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中不能使用.本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V-NPN)设计的双极型有源混频器.该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz,因此可以用来设计低噪声低频混频器.本文使用0.18μm CMOS工艺中的V-NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器.仿真结果显示,工作电压为3.3V,LO频率为50KHz,RF频率为40KHz时,该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB,NFdsb为15.99dB,等效输出噪声,P1dB为-9.88dBm,IIP3为-1.65dBm.     

LDD MOSFET工艺研究

一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列问题,如阈值电压降低、漏源穿通电压下降,热电子效应引起的阈值电压不稳定,二次碰撞电离产生的衬底电流等。降低氧化层厚度和减小结深,虽然可以使阈值电压和源漏穿通电压降低问题得到改善,但它     

基于CMOS工艺的自动增益控制电路研究

在无线接收机中,天线接收的信号强度往往变化很大,自动增益控制环路(automatic gain control,AGC)根据这个信号强度来动态调节控制放大器的增益,向后级基带电路(如ADC)提供幅度恒定的信号,使得接受到的不同强度信号均能被正确接收和解调;为了达到通过识别接收机接收信号的强度动态调节放大器的增益,以实现输出信号幅度恒定的目的,文章基于TSMC90nm CMOS工艺着重论述了针对70 MHz中频信号的AGC电路设计过程,详细设计了AGC各模块电路,并从提高线性度、降低直流失调和提高稳定性等方面对电路进行了优化,主要介绍AGC芯片的版图设计并进行了后仿,给出了整个AGC系统的工作特性和各项指标;在电路设计过程中,针对线性度、输出信号幅度、增益控制范围等进行改进与优化,得到符合设计指标的电路结构;最后对AGC环路的性能进行仿真验证,得到该AGC在满足输出信号幅度和线性度的基础上达到了30 dB的动态范围,满足了接收机系统的要求。     

基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器

基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。     

基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

文章基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30uA,储能电容为1uF时,一个周期可达到大于20ms的供电时间,输出电压1.8V,电源管理系统的静态电流小于1.5uA。     

基于堆栈效应的CMOS电路漏电流估计

随着集成电路工艺几何尺寸的日益缩小和电路系统复杂度的进一步提高，特别是SOC的发展和电池供电的移动设备的广泛应用，芯片的功耗成为一个日趋重要的问题。电路功耗的来源可以分为动态功耗和静态功耗两个部分，动态功耗主要来自功能跳变、短路电流、竞争冒险等，曾经是电路功耗的主要来源。进入深亚微米工艺后，静态功耗以近乎指数形式增长，并成为能与动态功耗相抗衡的功耗来源。研究表明，在90nm工艺下，静态功耗已经占整个电路功耗的42％以上。静态功耗不仅影响着IDDQ测试方法，而且已经成为整体功耗的重要来源。因此，静态功耗的估计及优化方面的研究就变得越来越重要。     

外延双阱CMOS倒相器的性能及制造工艺

本文以倒相器为实例,较详细地介绍3微米设计规则的外延双阱 CMOS 器件,通过理论分析,计算机模拟、工艺实验及参数测试研究,分析阱的注入剂量,阱深和杂质分布的关系,探索工艺参数的优化设计,研究外延双阱 CMOS 倒相器的速度特性和抗闩锁能力。     

集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器

提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃～50℃范围内,脉冲周期从1.841μs～0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。     

CMOS兼容的ISFET传感器模型和测量电路研究

随着CMOS工艺的不断发展,将离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器与CMOS技术相结合,以达到提高集成度、降低成本、减小系统尺寸、提高系统可靠性。在对与CMOS工艺兼容的ISFET传感器结构模型分析的基础上,研究了一种测量电路,它具有有利于消除体效应的影响、减少共模噪声的影响、克服温度漂移等优点。对该测量电路进行模拟仿真,得到输出电压与pH值之间的关系图,结果表明:其结果与理论模型仿真值基本吻合。