电子轰击电荷耦合器件的研制

作者采用多碱光电阴极、静电聚焦的电子透镜系统、背照CCD、高密度引脚的玻封结构以及超高真空处理技术,成功研制出了具有实时电子成像功能的电子轰击电荷耦合器件(Electron Bombarded Charge-CoupledDevice,简称EBCCD)。该器件的主要结构和性能参数为:有效光阴极直径18 mm、光谱响应范围400~850nm、光电阴极灵敏度200μA/lm、CCD像素数512×512、暗信号不均匀性18%。图1为该EBCCD样管实物照片,图2为该样管所输出的图像。图1制成的EBCCD样管的实物照片图2 EBCCD的输出图像电子轰击电荷耦合器件是一种对微弱光信号敏感的成像型…     

背照式电荷耦合器件的研制

简要介绍了背照电荷耦合器件的工作原理、潜在优势和应用领域.设计了对常规电荷耦合器件芯片进行衬底减薄进而实现背照电荷耦合器件的技术方案.给出了相关的设计方法和工艺流程并对关键工艺技术进行了探讨.对所制成的背照电荷耦合器件组件的性能进行了分析和讨论.结果表明所提出并采用的技术方案是可行的.     

固体摄象器件的发展趋势

本文重点介绍电荷耦合器件(CCD)的发展状况和最近出现的一些新器件的结构,如:虚相CCD摄象器;电荷引发器件摄象器;帧-行间转移CCD摄象器及具有三维集成电路雏型的叠层式CCD摄象器.     

微光摄像器件的发展趋势

主要概述微光摄像技术、真空微光摄像器件、像增强CCD(ICCD)、电子轰击CCD(EBCCD)以及微光摄像器件的发展趋势。     

微光摄像器件的发展趋势

主要概述微光摄像技术、真空微光摄像器件、像增强CCD(ICCD)、电子轰击CCD(EBCCD)及微光摄像器件的发展现状。     

横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器

时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)主要应用于弱光信号探测,其在强光应用场合容易出现弥散现象。针对该问题,研制了横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器。该器件包含四个多光谱段(B1～B4区),有效像元数为3 072元,像元尺寸为28μm×28μm。大像元可以在弱光环境下提供良好的光谱区分能力,通过滤光片可获得蓝光、绿光、红光和近红外波段的图像。为了减小抗弥散对器件满阱电子数的不利影响,采用了紧凑的抗弥散结构,仅占像元面积的7.1%。器件满阱电子数为500ke-,抗弥散能力为100倍,读出噪声小于等于70e-,动态范围大于等于7143∶1。     

矩形光栅法测量CCD调制传递函数的研究

比较了电荷耦合器件(CCD)调制传递函数(MTF)的多种测试方法,叙述了矩形光栅法测量CCD调制传递函数的原理,编写了测试软件,成功实现了CCD MTF的测试.     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。     

电子倍增CCD微光传感器件性能及其应用分析

阐述了新型微光传感器件电子倍增CCD(EMCCD)的基本工作原理.分析了EMCCD与普通CCD、增强型CCD(ICCD)和电子轰击CCD(EBCCD)器件的优缺点,并对其微光探测能力和信噪比进行了比较.对比介绍当前国外EMCCD芯片及EMCCD摄像机类型,简述了EMCCD在军事、民用方面的应用前景.     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi—SBIRCCD)的暗电流密度分析

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施.