背照式电荷耦合器件的研制

简要介绍了背照电荷耦合器件的工作原理、潜在优势和应用领域.设计了对常规电荷耦合器件芯片进行衬底减薄进而实现背照电荷耦合器件的技术方案.给出了相关的设计方法和工艺流程并对关键工艺技术进行了探讨.对所制成的背照电荷耦合器件组件的性能进行了分析和讨论.结果表明所提出并采用的技术方案是可行的.     

电子轰击型PSD器件的研究与应用

首先介绍了新型半导体光电位敏器件(PSD)的独特优点.同时根据极微弱光探测的应用需求,提出了电子轰击型新概念器件EBPSD,研究了它的制作原理,并对已制出的器件进行了半导体增益测试,其结果是入射电子能量2 keV时增益大于102;5 keV时增益可达103,证实了这种器件的优越性.还将(EBPSD)器件和微通道板相结合,充分利用微通道板的高增益特性,提出了电子增益高达108的MCP-PSD管设计方案,并制出了样管,指出这种器件可用于低于10-7lx极微弱光图像的光子计数探测.     

激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究

激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm²能量密度、50%～65%交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升。     

ICCD的光纤耦合技术

文中主要介绍ICCD光纤耦合工艺技术的研究工作,并介绍了国内外相关技术的历史及发展现状。文中所述的ICCD的耦合工艺,继承了国肉研究的技术特点,同时,参考了国际上一些著名公司的相关技术,例如以色列的ORLIL公司、法国的PHOTONIS公司、荷兰的DEP公司和ADMEC公司、俄罗斯的ELECTRON公司等。因此,具有相当的先进性、代表性和参考价值。     

电荷耦合器件的像质评价技术

运用图像积分抽样理论，并利用刀口响应方法对电荷耦合器件的像质进行了完整评价，用真频传递能力。混淆效应，信息密度等示性参数准确表述了电荷耦合器件的成像特性。     

电子轰击电荷耦合器件的研制

作者采用多碱光电阴极、静电聚焦的电子透镜系统、背照CCD、高密度引脚的玻封结构以及超高真空处理技术,成功研制出了具有实时电子成像功能的电子轰击电荷耦合器件(Electron Bombarded Charge-CoupledDevice,简称EBCCD)。该器件的主要结构和性能参数为:有效光阴极直径18 mm、光谱响应范围400~850nm、光电阴极灵敏度200μA/lm、CCD像素数512×512、暗信号不均匀性18%。图1为该EBCCD样管实物照片,图2为该样管所输出的图像。图1制成的EBCCD样管的实物照片图2 EBCCD的输出图像电子轰击电荷耦合器件是一种对微弱光信号敏感的成像型…     

弹载微光电荷耦合器件及其成像技术研究

与无人机侦察相比，侦察炮弹的的应用范围更加广阔。目前国内在这方面已开始进行预研。本文介绍微光电荷耦合器件(CCD)的特性和探测能力；分析弹体的飞行和旋转对成像的影响及纠正的措施。分析表明弹载成像技术已经具有低照度下工作的能力，且能在某种程度上克服飞行给成像带来的不利影响。     

ICCD的光纤耦合技术

针对低能电子（电子能量为300~1500 eV）轰击引起氧化铝钝化层BCMOS（Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS）图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化层BCMOS图像传感器,轰击能量大于600 eV时暗电流增加速率明显;轰击电子能量不超过1.5 keV时,暗电流存在最大值,约为12000 e^－/pixel/s;电子轰击后的BCMOS图像传感器在电子干燥柜中静置时,其暗电流呈指数趋势下降。通过分析指出入射电子引起氧化铝钝化层与硅界面处缺陷态增加,是引起上述现象的主要原因。     

间接耦合光探测器再分析

再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。     

电荷耦合器件像质评价的实验研究

本文运用图象积分抽样理论，并利用刀口响应方法来对ＣＣＤ像质进行了完整评价，用真频传递能力、混淆效应、信息密度等示性参数准确表征了ＣＣＤ的成像特性，给出了线阵ＣＣＤ的测试结果。     

EBCCD在凝视测距成像激光雷达中的应用

微光成像器件在微弱光信号下仍具有较高的探测能力和优良的成像质量.介绍了EBCCD在激光主动照明测距成像中的新用途.介绍了基于FM、CW测距原理的凝视测距成像激光雷达的基本原理,和系统基本结构.这种体制激光成像雷达要求微光探测器必须能够实现短波红外微光探测和自混频解调距离信息的双重功能.在对自混频解调实现数学模型简单分析的基础上,讨论了通过调制微光探测器响应度,实现外差混频解调的方法.     

微陀螺仪的真空回流封装工艺研究

利用热传导理论,对微陀螺仪在真空回流炉中的封装过程进行了数值模拟,得到了当焊料熔化时,加热台台面与微陀螺仪的焊料层的温度梯度值约为30℃,然后根据数值计算结果设计,并在自行研制的真空回流封装炉进行了微陀螺仪封装实验。通过对实验结果进行分析,获得了微陀螺仪在真空回流炉中封装的最佳工艺参数,即在微陀螺仪上施加0.7 N的正压力,加热台按照设定曲线加热到350℃,保持恒温时间5 min,使焊料达到最佳熔化状态。研究结果对微陀螺仪真空封装时工艺参数的优化以及提高采用金锡焊料封装的可靠性和耐久性具有指导意义。     

太赫兹真空源斜注管高频结构研究

斜注管的工作原理是将电子注稍微倾斜于慢波系统表面，通过改变电子注的倾角，来优化有效互作用长度，实现较高的输出功率和效率，可以作为一种新型高功率太赫兹器件。本文就国外的发展情况进行了评述。初步设计了W波段斜注管的几何尺寸和电尺寸，并对其“冷”特性进行了初步研究。     

石英晶振真空传感器及真空计的研制

本文研究了音叉型石英晶体谐振器的谐振阻抗与周围气压的关系，设计了一种全新的自稳幅自跟踪晶体振荡电路和精密动态阻抗测试电路，以测量石英晶振的谐振阻抗。实验测得，当晶振周围气体压强从１０－２Ｐａ上升到大气压时其谐振阻抗相对变化也几乎以相同数量级单调增加，阻抗随气压变化关系与理论分析和国外文献报道一致。利用石英晶振的气压敏感性，本文研制了一种新型的石英晶体真空计，量程从０．１Ｐａ到２×１０５Ｐａ，全量程内无须进行量程切换，各点测量误差小于１２％。     

真空微电子器件应用研究

本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析.     

真空微电子学的研究和进展􀀂

真空微电子学是迅速发展的一门新学科，近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展。真空微电子学在场发射平面显示器件方面的研究已进入实用阶段，相信近几年在这方面的应用将会获得突破性的进展。     

真空微电子学的研究与发展

本文系统介绍了近年来真空微电子不的研究内容，达到的水平和亟待解决的问题，包括真空微电子器件的基本结构，场发射列，微尖结构物理，新材料和新器的探索以及真空微电子学的主要应用。     

真空探针设备工艺研究

以手动真空探针设备为例,介绍了真空探针设备与常规设备不同的工艺技术,并分析了真空腔体密封方式及操作流程。     

配永磁机构的真空断路器的同步关合的研究

通过真空灭弧室的预击穿和真空断路器的关合速度对同步关合的影响,以及对配永磁机构的真空断路器进行动态计算,可以得出真空间隙随时间的变化关系。     

真空微电子平板显示器工艺研究

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱的制作和平板透明真空封装。