CdTe介质膜与HgCdTe晶片间界面特性的研究

利用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面低温生长了ＣｄＴｅ介质薄膜。分别用ＣｄＴｅ介质膜和ＨｇＣｄＴｅ自身阳极氧化膜对ＨｇＣｄＴｅ表面钝化,利用光电导衰退信号波形的拟合,得到了不同表面钝化的ＨｇＣｄＴｅ非平衡载流子表面复合速度。结果表明,ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ界面质量已超过自身阳极氧化膜／ＨｇＣｄＴｅ界面质量。     

HgCdTe晶体上Cd和Te的阴极共沉积

在ＨｇＣｄＴｅ晶体表面上用电化学方法得到了Ｃｄ和Ｔｅ的共沉积．所用的电解质由Ｈ２ＳＯ４；ＣｄＳＯ４和ＴｅＯ２的水溶液所组成．稳态沉积电流密度随着沉积电位更负，电解质温度升高和ＴｅＯ２浓度的增加而增大．Ｘ光衍射分析证实，当沉积电位比－０．７０Ｖ（ｖｓＳＣＥ）更负时，沉积膜由ＣｄＴｅ和Ｃｄ所组成．当沉积电位比－０．６７５Ｖ更正时，沉积膜为化学计量的多晶ＣｄＴｅ，其（１１１）面为优先生长的晶面族．沉积膜的显微照相可能表明多层ＣｄＴｅ的扁平晶粒逐步长大连成一体后而完全复盖底晶．俄歇电子谱的深度剖面分析显示在所沉积的条件下，底晶中的Ｈｇ向ＣｄＴｅ沉积膜内有较深的扩散．     

类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究

采用高频等离子体化学气相色沉积法（ＲＦＣＶＤ）在ＨｇＣｄＴｅ红外器件上沉积类金刚石薄膜，俄歇电子能谱对ＤＬＣ／ＨｇＣｄＴｅ界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料影响较小，７０ｎｍ的类金刚石薄膜抑制衬底组份的外扩散，而且具有纯度较高的类金刚石薄膜外表面层，是一种理想的钝化膜材料，红外透射光谱测试结果表明类金刚石薄膜在较宽的波长范围内（４－１２μｍ）具有明显的增透效应。     

316L不锈钢表面液相沉积TiO2薄膜的耐蚀性研究

采用液相沉积法在316L不锈钢表面制备TiO2薄膜。运用电化学方法对不同时间和不同热处理温度下制备的薄膜在Tyrode’s模拟体液中的腐蚀行为进行了研究。结果表明，随沉积时间的增加．膜层增厚，抗腐蚀性能增强，而且热处理后薄膜的性能更佳。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)发现膜由均匀的纳米粒子堆积而成，膜层光滑。沉积96h．然后经过500℃、1h热处理后得到的TiO2薄膜的性能最佳。     

ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

用Ａｒ^＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面实现了ＺｎＳ的低温沉积．用Ｘ射线光电子能借（ＸＰＳ）对上述ＺｎＳ薄膜以及热蒸发ＺｎＳ薄膜中的Ｚｎ、Ｓ元素的化学环境进行了对比实验研究．实验表明：离子束溅射沉积ＺｎＳ薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到元素Ｚｎ、Ｓ的沉积．     

离子源辅助电子束沉积凹印版耐磨层

针时凹印版电镀存在的污染和高能耗，采用射频感应偶合（ICP）离子源辅助电子束沉积硬质铬耐磨层，通过控制离子源参数和加入过渡层来提高薄膜与基体的结合力和显微硬度。利用扫描电镜、原子力显微镜、显微硬度计、划痕仪、表面轮廓仪，摩擦磨损仪对膜层的组织结构和性能进行了研究，探讨了在薄膜沉积过程中，离子源工艺参数对薄膜界面结合机理，组织结构和性能的影响。     

大面积石墨烯薄膜的电沉积制备与性能调控研究

首先采用改性Hummers法制备了氧化石墨烯(GO)分子膜,然后通过电泳沉积(EPD)技术在Cu箔上电化学沉积了氧化石墨烯膜(EPD-GO),最后导入氢气气氛(800℃)下退火还原,得到大面积导电石墨烯薄膜(TRGE)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、场发射扫描电镜(FESEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、四探针测试仪和电化学工作站分别研究了各阶段产物的物相、形貌、谱学、导电性和电容性能,证明了所制备的石墨烯薄膜具有良好的机械柔韧性和导电性能;同时,还对石墨烯薄膜的成膜及导电性能优化机理进行了探讨。     

离子束增强沉积钛氧化物薄膜及其抗凝血性能研究

首次采用离子束增强沉积技术对钛基生物材料表面进行了Ｔｉ－Ｏ薄膜系统合成研究，获得了离子呸合成参数－薄膜成分，结构－表面物理性质－抗凝血性能的相互关系，合成的非晶Ｔｉ－Ｏ苤膜具有超过热解碳的优异的抗凝血性能。     

10.4—12.5μm单层红外增透膜的研究

红外光学薄膜的种类不但少，而且机械强度较差，尤其在中红外波段更是如此。根据薄膜光学理论计算了ＺｎＳ／Ｇｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／Ｇｅ／ＣｄＴｅ和ＺｎＳｅ／Ｇｅ／ＺｎＳｅ三种ＡＲＣ组合的反射率和透射率。详细分析研究了吸收和色散对ＺｎＳ／Ｇｅ／ＺｎＳ极值透射率和反射率以及极值波长的影响。计算结果表明，ＺｎＳ／Ｇｅ／ＺｎＳ组合的光谱特性最好，吸收和色散对薄膜的光谱特性有一定影响。相对而言ＺｎＳ薄膜的机械强度较好。在理论计算的基础上，利用离子束辅助沉积方法制备ＺｎＳ薄膜，检测分析了薄膜的光谱性能，考察了薄膜的耐久性。     

HgCdTe分子束外延柔性制造技术研究

报道了近年来在ＨｇＣｄＴｅ分子束外延柔性制造技术研究中取得的初步结果,并对面临的任务进行了讨论。研究表明：ＨｇＣｄＴｅ分子束外延薄膜具有很好的组分均匀性、表面形貌、电学参数以及组分可重复性。用分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄膜成功地研制出了３２×３２红外焦平面器件。     

Electrochemical bath deposition technique: Deposition of CdS thin films

Cadmium sulphide thin films have been deposited onto chromium plated stainless steel substrates under the influence of electric field. The various deposition parameters such as speed of rotation of the substrates, temperature of the chemical bath, molar concentrations of solution and the strength of the electric field were kept at optimized conditions. The electrochemical photovoltaic (ecpv) cells are formed with CdS film electrodes. The properties of CdS films andecpv cells are monitored with selective values of the electric field employed in the controlled precipitation technique. This relatively new technique is described and the possible film formation mechanism suggested.     

聚苯胺导电复合膜电化学制备及其性能

采用电化学氧化聚合法,以硫酸和高氯酸为掺杂剂,制备出聚苯胺（PANI）/聚乙烯醇（PVA）导电复合膜,在此复合膜上再沉积一层很薄的银层,制备出具有高导电性的复合膜。研究了苯胺聚合时间、银沉积电流密度及银沉积时间和拉伸处理对复合膜电导率的影响。采用扫描电镜、X射线衍射对复合膜进行表征,并对复合膜导电机理进行解析。结果表明制备的PVA-PANI复合膜电导率可达4.2S.cm-1,再经沉积薄层银后,其电导可显著提高至1136 S.cm-1。最优条件下制备的PVA-PANI复合膜为纤维状,银在此复合膜上沉积呈针状;PVA-PANI复合膜具有一定的结晶度,经拉伸后,其结晶度增大,复合膜电导得到提高,PVA-PANI复合膜具有良好力学性能。复合膜导电的基本原理是PANI与PVA互穿网络,并与银形成了三维导电网络。     

聚乙烯吡略烷酮自组装膜对铜的缓蚀作用

自组装膜对金属防腐蚀有极好的效用。为了进一步弄清聚乙烯吡咯烷酮对铜的缓蚀性能,用自组装技术在铜电极表面制备了聚乙烯吡咯烷酮自组装膜,利用电化学方法研究了自组装膜对铜在NaCl溶液中的缓蚀作用。结果表明,在0.5mol/LNaCl溶液中,随组装时间的增加,铜电极的电荷传递电阻增大,腐蚀电流密度下降,组装24h后对铜的缓蚀效率为99.9%,缓蚀性能优异。     

Bi-Te-Se热电薄膜的电化学沉积

在含有Bi 3＋、HTeO2＋、Se4＋离子的水溶液中通过电化学方法实现了Bi2Te3-ySey热电薄膜沉积,研究了电沉积Bi2Te3-ySey的阴极极化曲线及热电薄膜的生长过程,通过电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）等手段对热电薄膜进行了形貌、成分分析。结果表明电解液的离子组成、沉积电位对薄膜成分、形貌有较大影响。在-0.07V沉积电位下制备的热电薄膜Bi2Te2.75Se0.95晶粒大小均匀,结构致密。     

氧化物薄膜电化学沉积的研究进展

综述了氧化物薄膜电化学沉积的工艺条件与参数及其影响，给出了氧化物薄膜沉积的对象，描述了氧化物薄膜的作用和用途。     

醋酸分子印迹电化学传感器的制备

基于循环伏安电化学聚合方法,以30mmol/L醋酸作为模板分子,5mmol/L苯酚作为功能单体,0.1mol/L氯化钾和0.05mol/L磷酸盐缓冲溶液(pH=5.4)作为聚合底液,聚合电位为-0.8~1.2V,扫描圈数为20,以0.1mol/L碳酸氢钠溶液作为洗脱液进行洗脱20min,最终制得性能较佳的醋酸分子印迹电化学传感器。对该传感器进行循环伏安(CV)表征、阻抗表征、扫描电镜的形貌表征、差分脉冲表征,探索了不同pH磷酸盐缓冲溶液作为聚合底液、不同浓度洗脱液和不同洗脱时间对该传感器性能的影响。发现在以0.05mol/L磷酸盐缓冲溶液(pH=5.4)作为最佳底液条件下,醋酸分子印迹电化学传感器与0~45×10^-9 mol/L浓度范围内醋酸分子二者呈现出良好的线性关系,其检出限为2.85×10^-9 mol/L,同时研究了该传感器的重现性和稳定性。     

工艺参数对电化学制备钨酸钡多晶薄膜形貌影响的研究

采用恒电流电化学技术,在一定浓度Ba(OH)2溶液中,于室温环境下在金属钨片上制备了BaWO4多晶薄膜.利用XRD和SEM测试手段分析表征了薄膜的晶相和表面形貌;对比讨论了金属钨片表面质量、电流密度以及溶液浓度对沉积薄膜的表面形貌及晶粒生长形态的影响.研究表明,在本实验条件下制得的BaWO4多晶薄膜均具有单一的四方相结构;衬底表面质量对沉积薄膜的表面平整度有很大的影响;电流密度的大小影响晶粒几何尺寸;晶粒显露面族及几何外形因溶液浓度的改变而变化.     

电化学法聚吡咯/碳纳米管复合膜的制备与表征

以对甲苯磺酸(PTSA)为掺杂剂、碳纳米管(CNTs)为增强相通过电化学恒电位法在不锈钢电极表面合成聚吡咯/碳纳米管(PPy/CNTs)复合膜.采用扫描电镜(SEM)和四探针测试仪对PPy/CNTs膜的微现形貌和电导率进行表征.通过交流阻抗谱(EIS)、循环伏安法(CV)研究了PPy/CNTs膜的电化学行为.系统研究了...     

真空蒸镀法制备Sb膜电极及其性能

采用真空蒸镀法制备了金属Sb膜电极, 通过XRD、SEM、恒流充放电循环、循环伏安(CV)等方法, 研究了Sb膜电极的结构、形貌和电化学性能, 并对嵌脱锂机理进行了分析. 结果表明: 蒸镀后, 金属Sb为六方晶体, (003)晶面择优取向. Sb膜电极与基底铜箔的微观形貌接近, Sb金属以片层颗粒堆积在Cu箔颗粒上面. 在首次嵌锂过程中, 能观察到Li₃Sb合金的生成和Sb相的消失, 在脱锂之后, 能观察到Sb相的重新出现和Li₃Sb合金的消失, 且Sb相还是回复到(003)面择优相. Sb膜电极的首次充放电比容量分别为652和454 mAh/g, 循环16周后放电比容量还为300 mAh/g, 性能远优于Sb粉电极.     

掺硼金刚石薄膜电极用于污水处理研究进展

近年来,掺硼金刚石薄膜(BDD)作为一种新型电极材料,受到人们很大的关注。由于在强酸介质中其惰性表面仍具备低的吸附特性和强的抗腐蚀性;在水和非水溶液中电解时,都有较宽的电化学势窗,与其他电极材料相比,具有更好的化学、物理性能,表现出潜在的应用优势,本文的目的是就从关于导电金刚石薄膜电极在污水处理中的应用的相关文献中所获得的最新研究成果而展开讨论和总结。