厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响

通过对厚膜电阻导电相、玻璃相的粒径控制、粒径比搭配以及在导电相、玻璃相中掺杂,研制成一种厚膜力敏电阻浆料,其应变系数GF可达15～17、工作温度可达150℃.介绍了厚膜力敏应变系数的测量方法,研究了厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响,探讨了提高应变系数的技术途径,同时,对其导电机理作了简要的阐述.     

厚膜电阻的研究现状及发展趋势

首先描述了厚膜电阻的基本结构,介绍了制作厚膜电阻的各种材料,然后详细地阐述了厚膜电阻的制备工艺,探讨了厚膜电阻的导电机理和近年来的发展趋势。     

厚膜浆料的物化特性与厚膜电阻力敏特性的关系

厚膜压力传感器具有优良的性能和广阔的应用前景。厚膜浆料的研究在传感器研制中超着非常重要的作用。本文主要讨论表征浆料物化特性、工艺配方的几个重要参数(导电相的浓度和颗粒度,玻璃粉的粒度与化学组成)对厚膜电阻 R、GF 和 TCR 的影响。同时,借助于 SEM 和 XRD 等分析手段,对厚膜电阻的导电机理、力敏特性与浆料物化特性之间的关系也进行了一些探讨。     

BaPbO3/Ag复合体系大功率厚膜电阻浆料的研究

提出以BaPbO3/Ag复合体系作为功能相制备低成本大功率厚膜电阻浆料的思想,研究Ag含量、峰值烧结温度对厚膜电阻电性能和热稳定性的影响,并从导电机理方面对实验结果进行了分析讨论.     

SnO2膜导电玻璃性能的研究

采用喷镀法制备SnO2膜导电玻璃，研究了膜厚、基底温度对薄膜电阻和透光率的影响。用SEM、XPS和XRD分析了SnO2膜的形貌与导电性能，并研究了其透光性、反射性及热稳定性。结果表明：SnO2膜是多晶结构氧空位导电的N型半导体，在可见光范围内透光率达88%以上并具有较好的热稳定性。     

ITO透明导电薄膜厚度与光电性能的关系

透明导电薄膜的厚度制约其光电性质。本研究利用磁控溅射技术制备了厚度变化范围为200-1500nm的ITO薄膜,探索了薄膜颜色、可见光透过率、面电阻与膜厚的关系。薄膜颜色随着膜厚的增加呈现有规律的变化,可见光透过率随薄膜厚度的增加而呈现振荡下降趋势,并出现了极大值(紫红色),振荡趋势可用多光束干涉解释;薄膜面电阻随膜厚的增加呈减小趋势,薄膜厚度为1387nm时,面电阻为1.3Ω/□,薄膜最小电阻率为1.8×10-4Ω.cm。文章给出了可以通过选择恰当的薄膜厚度,以尽可能满足透明导电薄膜面电阻、透过率两个相互矛盾的指标。     

SnO2膜导电玻璃性能的研究

采用喷镀法制备SnO2 膜导电玻璃 ,研究了膜厚、基底温度对薄膜电阻和透光率的影响。用SEM、XPS和XRD分析了SnO2 膜的形貌与导电性能 ,并研究了其透光性、反射性及热稳定性。结果表明 :SnO2 膜是多晶结构氧空位导电的N型半导体 ,在可见光范围内透光率达 88%以上并具有较好的热稳定性     

电子束低温蒸发ITO膜增透、增反特性研究

本实验是在低温条件下，采用电子柬蒸发制备ITO透明导电薄膜，通过监测电阻来控制薄膜的厚度，通过控制薄膜厚度研究了增透和增反两种效果的ITO膜的制备及膜的光学特性。当膜厚达170nm和83nm时透过率和反射率可达95％和6％。     

喷镀法制备SnO2膜导电玻璃的研究

用喷镀法将 Sn Cl4溶液喷射到预先加热的玻璃表面 ,制成了薄膜电阻 <70 Ω/□ ,透光率 >88% ,热稳定性 <45 %的 Sn O2 膜导电玻璃 ,研究了膜厚、基底温度、溶液组成对薄膜电阻与透光率的影响。     

厚膜力传感器的─体化补偿

对以陶瓷双孔梁为弹性体的新型厚膜力传感器进行了零点温度漂移和零点的─体化补偿。分析了零点温度漂移和零点的补偿方法，在同一陶瓷弹性体上印刷、烧结、制备了厚膜力敏电阻，补偿厚膜热敏电阻及零点补偿厚膜电阻，并较好地是实现了零点温度漂移和零点的补偿。还探讨了补偿用热敏电阻浆料性能的改进。     

基于接触电阻法测量润滑油膜厚度的方法研究

提出了一种基于接触电阻法测量润滑油膜厚度的方法，研制了一台可实时测量接触电阻以评价润滑膜厚的旋转摩擦试验机，分析了边界润滑与混合润滑区域中油膜厚度与接触电阻的相关性。该装置实现了在高精度加载与速度控制下，获得确定工况下的润滑状态，通过精密电路设计实时测量接触区内部接触电阻，并与相同工况下光干涉法测得的润滑膜厚进行对应，获得了接触电阻-润滑膜厚对应关系，拟合曲线相关系数为0.98,剩余标准差为4.56 nm。为在实际工况中表征润滑状态提供了技术支撑和数据支持。     

PET基纳米Ag薄膜导电性能及AFM分析

为了研究在PET基非织造布上沉积纳米Ag薄膜厚度对薄膜表面形貌及导电性能的影响，采用磁控溅射法，在PET非织造布上制备了不同厚度的纳米结构Ag薄膜，采用原子力显微镜（AFM）分析不同厚度纳米结构Ag薄膜形貌及粒径的变化；研究了纳米Ag薄膜厚度与薄膜导电性能的关系。实验结果表明：随着膜厚的增加，膜表面逐渐形成连续结构；同时PET非织造布基银薄膜存在一个临界膜厚，在临界膜厚处，薄膜致密度更高，生长更为均匀，薄膜缺陷较少；同时，随着膜厚增加，导电性能提高，在临界膜厚处，电阻率达到最小。     

厚膜力传感器的一体化补偿

对以陶瓷双孔梁为弹性体的新型厚膜力传感器进行了零点温度漂移和零点的一体化补偿，分析了零点温度漂移和零点的补偿方法，在同一陶瓷弹性体上印刷，烧结，制备了厚膜力敏电阻，补偿厚膜热敏电阻零点补偿厚膜电阻，并较好地是实现了零点温度漂移和零点的补偿，还探讨了补偿用热敏电阻浆料性能的改进。     

用于氮化铝基片的厚膜浆料研制成功

昭和电工公司研制成用于氮化铝基片的银基厚膜导电浆料-shoden,并已投放市场。氮化铝基片是混合集成电路下一代基片。这种新的厚膜浆料对于氮化基片有很强的粘着性。它与氮化铝基片粘合后所产生的电阻只有传统的玻璃浆料     

厚膜pH传感器研究

用沉淀法制备pH敏感粉料，用厚膜和陶瓷技术制备pH厚膜传感器，测试了传感器的PH特性，分析了两种配方的有关物性结构，对于与敏感玻璃厚膜集成在同一基片上的加热厚膜电阻的应用亦作初步研究。     

热塑性聚氨酯导电无纺布改性壳聚糖阴离子交换膜的制备及表征

通过流延成膜法制备壳聚糖(CS)阴离子交换膜,并利用热塑性聚氨酯(TPU)导电无纺布进行修饰改性,制备了高性能CS阴离子交换膜。通过万能材料试验机、绝缘电阻测试仪、热重分析仪(TG)和扫描电子显微镜(SEM)对CS阴离子交换膜的性能和结构进行表征。结果表明:改性后,CS膜表面光滑致密,无气泡,TPU导电无纺布与CS间界面结合良好;TPU导电无纺布的引入显著提高了CS阴离子交换膜的拉伸强度、模量和断裂韧性;与CS相比,TPU导电无纺布改性CS膜的热稳定性和导电性能提高,膜电阻降低。     

氧化铝陶瓷表面连续导电金膜的制备工艺及性能

以Al2 O3陶瓷作为基底,采用磁控溅射和丝网印刷两种工艺在其表面制备导电Au膜,并通过控制变量法制备不同参数下不同厚度的Au膜,对两种制备工艺进行了系统性的深入研究.通过高精度电阻测量仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)分析热处理前后Au膜的导电性能及微观形貌,采用激光共聚焦显微镜(CLSM)表征Au膜表面的粗糙度.结果表明:磁控溅射制备的纳米Au膜的导电膜厚阈值为30 nm,膜层对基底面粗糙度改变较小.对纳米Au膜进行600℃热处理后,Au发生固态润湿,导致电阻值急剧增大,导电性能下降.借助丝网印刷工艺,采用40％(质量分数)的金浆和200目丝网即可印刷得到导电性良好的Au膜,该工艺能够有效节约成本和金浆.     

汽车油位传感器厚膜电阻的力学性能

通过对汽车市场应用最广的油位传感器核心部件厚膜电阻导带进行分析和样品准备,利用纳米压痕法对常用的三种油位传感器厚膜电阻导带:C4303GCD(银/钯导体浆料)、C4303M(银/钯导体浆料)和5800B(陶瓷铂金导体浆料)及其基片进行了力学性能测试,得到了厚膜电阻导带的硬度、弹性模量等力学特性参数。结果表明:C4303GSD型导带的硬度值和弹性模量最大,而且导带中银/钯含量比越低,导带硬度值越高。该研究对于油位传感器质量提高有着十分重要的意义,不但解决了目前生产厂家无法测出厚膜电阻导带力学性能的问题,也为新型油位传感器的触头导带的合理配对选型和性能改进,厚膜电阻导带的质量和耐磨性评价提供了重要的理论和试验依据。     

对一个易引起误解的科学名词——“面电阻”的解释

我们都知道，离子交换膜是高分子电解质，它与一般金属导体一样具有导电性能．在某种意义上，可将离子交换膜称作离子导体．通常从比较电阻率（也称比电阻）的大小说明金属的导电性能的优劣，电阻率低者，导电性好，而高者，导电性能差．对于离子交换膜，同样也可以通过比...