高Tc超导材料微结构的透射电镜研究

报导了高Ｔｃ材料的透射电镜研究。结合材料的物理性能，对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ中氧的含量及有序、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ融熔织构材料和Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｘ／ＭｇＯ复合材料中的晶界，以及高Ｔｃ薄膜和多层膜的结构进行了分析。     

不同的烧结条件对Sol—gel法制备Y—123超导材料的影响

报道了用ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成的超导原粉ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ和ＹＢａＣｕ３２Ｆ０．６Ｏ７－δ，在不同的烧结条件下，显示出不同的超导转变温度（Ｔｃ）。从中得到了最佳烧结条件：Ｙ－１２３为９８０℃／６ｈ；Ｙ（Ｆ）＿１２３为９８０℃６ｈ＋管状炉９００℃２４ｈ。并分析了样品的物相结合和形貌。     

YBa2Cu3O7—x陶瓷氧扩散动力学

采用动态电导率的测量方法，研究了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ陶瓷的氧扩散动力学过程，在５００－８５０℃温度范围内，氧分压为９６．８７ｋＰａ下而验证。     

Sol—Gel法制备Y系高温超导材料及烧结条件的研究

介绍了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ和Ｆ掺杂的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｆ０．６Ｏ７－δ高Ｆｃ超导材料的Ｓｌｏ－Ｇｅｌ法制备，并对烧结条件进行了研究。     

陶瓷中的相变

提出陶瓷中相变的分类，引述ｓｐｉｎｏｄｅｌ分解的热力学判据和动力学判据，评述含ＺｒＯ２陶瓷马氏体相变尺寸效应的热力学推导和象理论在ＭｇＯ－ＰＳＺ，ＣｅＯ２－ＴＺＰ，Ｙ２Ｏ３－ＴＺＰ，ＢａＴｉＯ３；ＫＴＮ，ＰｂＴｉＯ３及ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ马氏体相变中的应用，指出含ＺｒＯ２陶瓷及ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ的等温相变可能属扩散机制的贝氏体相变。     

YBaCuO薄膜氧扩散的SIMS分析

氧化物超导体ＹＢａＣｕＯ是一种很在希望的高温超导材料。其超导电性能与氧的含量和分布有着密切的关系，随着氧含量在一定范围内增加，临界转变温度也随着上升，本文利用示踪元素＾１８Ｏ和ＳＩＭＳ分析研究了热处理过程中氧在ＹＢａＣｕＯ超导薄膜中的扩散情况。实验结果说明，在ＹＢａＣｕＯ薄膜中存在有氧扩散的快速通道。     

YBa_2Cu_3O_（7－x）陶瓷氧扩散动力学

采用动态电导率的测量方法，研究了ＹＢ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ陶瓷的氧扩散动力学过程，在５００—８５０℃温度范围内，氧分压力９６．８７ｋＰａ下，实验求得氧扩散系数为：在６８０℃附近，出现Ｄ值的不连续性．     

Na掺杂对MTG-YBCO临界电流密度特性的影响

本文研究了Ｎａ掺杂对ＭＴＧ－ＹＢＣＯ（ＹＢａ２－ｘＮａｘＣｕ３Ｏｙ＋４０ｍｏｌ％Ｙ２ＢａＣｕＯ５ｘ＝０．０、０．１、０．２）生长织构及其超导性能的影响。适量Ｎａ的掺入有利于ＭＴＧ－ＹＢＣＯ沿（ａｂ）面的生长,改善晶体生长的宏观形貌。同时,掺Ｎａ后ＭＴＧ－ＹＢＣＯ试样的Ｔｃ,ｏｎ变化不大,但Ｔｃ,ｏｆｆ随掺杂量ｘ的增加而降低,即超导转变宽度△Ｔ增大。适量Ｎａ掺杂改善了ＭＴＧ－ＹＢＣＯ的临界电流密度特     

溶胶凝胶法制备YBa_2Cu_3O_（7－δ）超细粉体及其性质

用柠檬酸盐强的螯合作用，可以制得钇、钡、铜稳定的配位化合物，由溶胶－凝胶法使其转变成Ｙ＿２Ｏ＿３、ＢａＣＯ＿３、ＣｕＯ超微细粉的均匀混合物、９３０℃下制得单一相的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）粉体，粒径约１００ｎｍ。对ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）合成反应的动力学进行了研究，对溶胶凝胶法制得的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）超细粒子进行的测定表明，其粒度、纯度、烧结性和超导性能形成上都比固相合成反应为优。     

X射线影像存储材料BaF_xCl_（2－x）Eu~（2＋）的制备及其热释发光和

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影象存储材料ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０１．１５）。通过改变Ｆ／Ｃｌ比值，研究了在Ｘ射线辐照后ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的光激励发光性质，给出了Ｆ／Ｃｌ比值与光激励发光强度的关系。     

c取向YBa2Cu3O7—δ超导外延膜进脱氧过程

用电阻法测量了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δｃ取向外延膜进脱氧过程,结果表明在氧含量变化较小的情况下,进氧、脱氧速率相近,用Ｘ射线衍射方法证明了ＹＢａ２ＣＵ３Ｏ７－δｃ取向外延膜电阻率与氧含量成指数关系,获得氧化学扩散激活能久为０．９ｅｖ。     

用Monte-Carlo法对制备Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜过程的模拟

本文利用蒙特卡洛方法对Ｙ１Ｂα２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜制备过程中， Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ的溅射和沉积过程进行了模拟，得到了按各种角分布溅出的Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ三种原子的沉积粒子数随Ｒ，ｚ的变化规律，并通过计算结果与实验结果的比较初步确定了Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ三种原子在被溅出时的角分布。     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

Y－Ba－Cu－O熟粉和生粉与油酸化学作用的研究

采用ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，研究了Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ熟粉及生粉的化学成键特征。计算表明，ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）高温超导相形成后，其中各化学键发生变化，化学键的反应活性趋于平均化。因此，Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ熟粉可以与油酸发生均匀化学反应，得到的膏状物能用来焊接高ＴｃＹＢＣＯ超导线材及器件。     

CaO-Y2O3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响

研究了掺杂ＣａＯ－Ｙ２Ｏ３热压烧结和常压烧结ＡｌＮ陶瓷的性能和显微结构．结果表明：热压烧结ＡｌＮ陶瓷的第二相为Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２，常压烧结ＡｌＮ陶瓷的第二相为Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２和Ｃａ３Ｙ２Ｏ６；热压烧结ＡｌＮ的第二相体积百分数和晶格氧含量均低于常压烧结；热压烧结ＡｌＮ陶瓷的微观结构良好，其热导率达到２００Ｗ／ｍ·Ｋ．     

新型氧敏CeO2—x薄膜的制备及结构研究

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜。通过改变Ｏ２／Ａｒ比，制备出不同组分和结构的ＣｅＯ２－ｘ薄膜。用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱了Ｃｅ２＋的浓度。ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经空气中高温退火后，形成了立方体ＣａＦ２型小晶粒，晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。     

高容量SiO2掺杂的（Ba,Pb）TiO3基高居里温度PTCR陶瓷

在制备高质量的（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷时，一般采用铅气氛烧结方法。但是，这种烧结工艺制成的产品的相对成本是高的。作者的实验表明，高容量ＳｉＯ＿２掺杂烧结方法也可以用于制备高质量的（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷。本文主要报道高容量ＳｉＯ＿２对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷烧结工艺和电特性的影响。     

Bi_2O_3－PbO二元系相图

本文用差热分析（ＤＴＡ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了Ｂｉ_２Ｏ_３－ＰｂＯ二元系相平衡．在该二元系中存在一个结构为体心立方，点阵常数ａ＝０．４３５０ｎｍ的新化合物，化合物的组成为２Ｂｉ_２Ｏ_３．３ＰｂＯ．该化合物是６Ｂｉ_２Ｏ_３·ＰｂＯ和α固溶体在５９０℃包晶反应形成的．温度为６１５℃，组成为Ｂｉ_２Ｏ_３：ＰｂＯ＝３：７发生共晶反应Ｌ６Ｂｉ_２Ｏ_３．ＰｂＯ＋α６１５℃时Ｂｉ_２Ｏ_３在。相中的最大固溶度大约是１０ｍｏｌ％．温度为７０２℃，Ｂｉ_２Ｏ_３：ＰｂＯ＝１９：１存在共析反应Ｃ_ｓｓβ＋６Ｂｉ_２Ｏ_３．ＰｂＯ高温型），６Ｂｉ_２Ｏ_３．ＰｂＯ高温型）的分解温度为７２０℃．     

液膜分离富集和测定锤液中的微量铅

用二环己基－１８－王冠－６（ＤＣ－１８－Ｃ－６）、表面活性剂ＳＰＡＮ８０、中性油ＳＩＯＯＮ－１和溶剂三氯甲烷乳状液膜体系，研究了Ｐｂ＾２＋的迁移行为。在适宜条件下，８ｍｉｎ内Ｐｂ＾２＋的迁移率达９９．４％以上，相同条件下，许多金属离子（如Ｎｉ＾２＋、Ｌｉ＾＋、Ｋ＾＋、Ｎａ＾＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｂａ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、ＡＬ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｚｎ＾２＋和Ｃｏ＾２＋等）均不被迁移，     

氧离子束辅助激光制备具有组构的YBCO薄膜

应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在ＮｉＣｒ合金（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ ｃ－２７５）基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆（ＹＳＺ） 缓冲层薄膜,再在 ＹＳＺ／ＮｉＣｒ基底上在 ７５０℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的 ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－Ｘ（ＹＢＣＯ）薄膜、 ＹＳＺ和 ＹＢＣＯ薄膜都为 ｃ－轴取向和平面织构的, ＹＳＺ（２０２）和 ＹＢＣＯ（１０３）的 Ｘ射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 １８＇和 １１＇．ＹＢＣＯ薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 ９０Ｋ（Ｒ＝０）和 ７．９ｘ１０５Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ,零磁场）．