塑料对0－3型锆钛酸铅压电复合材料性能的影响

研究了不同塑料尼龙１０１０和Ｅ－２０环氧树脂与锆钛酸铅（ＰＺＴ）复合而成的压电复合材料的压电性能，结果表明，尼龙１０１０－ＰＺＴ压电复合材料比Ｅ－２０环氧树脂－ＰＺＴ具有较低的饱和极化电场和较短的饱和极化时间，而且前者比后者具有更高的压电常数。     

塑料对0—3型锆钛酸铅压电复合材料性能的影响

研究了不同塑料尼龙１０１０和Ｅ－２０环氧树脂与锆钛酸铅（ＰＺＴ）复合而成的压电复合材料的压电性能，结果表明，尼龙１０１０－ＰＺＴ压电复合材料比Ｅ－２０环氧树脂－ＰＺＴ具有较低的饱和极化电场和较短的饱和极化时间，而且前者比后者具有更高的压电常数ｄ↑－３３。     

9Al2O3·2B2O3晶须补强PZT95/5型铁电相变陶瓷材料的研究

本文采用９Ａｌ２Ｏ３、２Ｂ２Ｏ３晶须补强了ＰＺＴ９５／５型铁电相变陶瓷材料，研究了晶须添加量与材料的和学性能之间的关系，实验结果表明：（１）复合材料的最佳烧结温度随着添加含量的增加而降低，（２）适量的晶须添加对的特殊电性能无明显影响，而材料的力学性能有较明显的改善，例如含０．３ｗｔ％晶须的材料，其抗折强度比基料提高了４２．２４％，（３）晶须的拔出，桥接对的增韧中具有重要意义。     

大功率PZT材料锰掺杂改性研究

用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＳＲ结合常规电性能测试手段,研究了锰掺杂对两类大功率ＰＺＴ材料微结构及压电性能的影响。结果表明：随着锰含量的增大,三角晶相含量增多,准同型相界相应向四方相移动。锰在ＰＺＴ材料中主要以Ｍｎ＾２＋和Ｍｎ＾３＋的方式共存。锰在ＰＺＴ陶瓷材料中“溶解度”约为１．５ｍｏｌ％。添加少量的锰有利于ＰＺＴ材料晶粒的长大及压电性能的改善,而过量的锰则会在晶界积聚,抑制晶粒的长大,并使材料的压电性     

锆钛酸铅/高分子复合膜的吸声特性

以锆钛酸铅（ＰＺＴ）压电陶瓷微粒为填料,分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得ＰＺＴ／高分子（ＰＺＴ／Ｐ）复合膜,用驻这法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性,实验结果表明,在声频３７５－２０００ＨＺ范围内,在聚合物中入ＰＺＴ微粒并使其极化产生压电必珂使其吸声性能增加,动态粘弹实验结果表明,压电阻尼效应取决于产生的电荷能否及时被消耗。     

串联2—2复合材料的介电击穿

串联２－２型压电复合材料结构较为简单,它是研究具有复杂连通性压电复合材料的基础。本文从能量的角度推导出串联２－２复合材料中压电陶瓷层上的电场强度Ｅｃ＝εｐＶｃεｐ＋εｃ（１－Ｖｃ）Ｅｏ和聚合物层上的电场强度Ｅｐ＝εｃＶｃεｐ＋εｃ（１－Ｖｃ）Ｅｏ。由于压电陶瓷的介电常数εｃ（≈１６００ε０）远远大于聚合物的介电常数εｐ（≈１２ε０）,因此Ｅｐ远远大于Ｅｃ。尽管聚合物的介电强度高于压电陶瓷的介电强度,但由于Ｅｐ远远大于Ｅｃ,所以串联２－２型压电复合材料的介电击穿往往是从聚合物层开始的,最后导致复合材料整体被击穿。     

PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的研究

用ＰｂＯ、ＺｒＯ＿２、ＴｉＯ＿２等原料经固相反应烧结制备了ＰＺＴ基四元系压电陶瓷。ＸＲＤ、ＳＥＭ及密度测试表明，材料主晶相为四方晶系的Ｐ４ｍｍ群，烧结致密度较好。极化后的性能测试表明，材料具有高介电系数（ε＿ｒ＝２０１５），压电系数（ｄ＿（３３）＝５７８×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ），机电耦合系数（Ｋ＿（３３）＝０．８１）和良好的机械品质因数（Ｑ＿ｍ＝５４３．８），是压电高压装置的理想材料。     

Sn层PMN——PZT三元系压电陶瓷低温稳定性和压电性能影响的研究

制备了６种不同Ｓｎ含量的ＰＭＮ－ＰＺＴ压电陶瓷试样，深入研究了Ｓｎ添加剂对压电材料压电等性能的影响，用ＺＰＡ分析了Ｓｎ在改性ＰＺＴ压电陶瓷中的存在形式。研究表明，Ｓｎ添加剂不仅能提高压电性能而且改善了压电陶瓷低温性能的稳定性     

镧掺杂PZN-PZT陶瓷及其PVDF压电复合材料的制备与性能

采用固相烧结法合成了不同镧掺杂量的PZN-PZT压电陶瓷和粉体．并用XRD分析了陶瓷的晶相，扫描电镜观察到PZN-PZT陶瓷粉体形态不太规整，颗粒粒径主要分布在1～4μm之间．将PZN-PZT粒子均匀分散于PVDF基体中，制备了PZN-PZT/PVDF压电复合材料．研究了镧掺杂量对PZN-PZT陶瓷及复合材料压电性能的影响．结果表明，适量的镧掺杂可有效提高复合材料的压电性能，当镧掺杂量为4％（摩尔分数）时，复合材料的压电性能最好，压电常数d33值为36pC/N。     

2-2压电复合材料面板的压力放大作用

２－２压电复合材料应用普遍。材料中聚合物对压电陶瓷的应力作用，使性能得到施工改善。在复合材料两电极面上复盖薄面板，由于板的应力传递作用会使使接收国和辐射力产生放大效应，从而提高了接收灵敏度和发射响应。     

直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

为研究氧化铱（ＩｒＯ２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲性能的影响。利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ２薄膜,并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜,讨论了溅射参数（溅射功率、Ａｒ／Ｏ２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶,取向和形态的影响。     

SiC（w）／TZP＋mullite陶瓷复合材料界面和组成设计与力学性能

本文从理论上分析了ＳｉＣ（ｗ）ＴＺＰ＋ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律。提出在ＳｉＣ（ｗ）表面涂复Ａｌ２Ｏ３和在ＰＺＴ中加入ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）联合作用来降低晶须／基质界面残余热应力的界面设计方案，导出ＳｉＣ（ｗ）和ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）协同补强ＰＺＴ的匹配条件。制备了ＳｉＣ（ｗ）／ＴＺＰ＋ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）复合材料并了ＳｉＣ（ｗ）表面涂层Ａｌ２Ｏ３厚度和ＳｉＣ（ｗ     

锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响

研究了锰掺杂对ＰＺＴ材料微结构及压电性能的影响,并用ＥＳＲ确定了锰在ＰＺＴ材料中的价态．结果表明,锰在ＰＺＴ材料中主要以 Ｍｎ^２＋和 Ｍｎ^３＋的方式共存．锰在ＰＺＴ陶瓷材料中的“溶解度”约为１．５ｍｏｌ％．锰含量＜０．５ｍｏｌ％时,Ｍｎ将以Ｍｎ^２＋和Ｍｎ^３＋的方式优先进入晶格 Ｐｂ位,使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于 ０．５～１．５ ｍｏｌ％时,部分Ｍｎ将以Ｍｎ^３＋或Ｍｎ^２＋的方式进入晶格中（Ｚｒ;Ｔｉ）位,而此浓度范围内锰掺杂的ＰＺＴ材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性．锰含量＞１．５ｍｏｌ％时,过量的Ｍｎ将在晶界积聚,使压电活性降低．少量Ｆｅ的存在,可使Ｍｎ离子的溶解度降低,并起到抑制Ｍｎ^２＋和 Ｍｎ^３＋氧化的作用.     

TiO2含量对压电纤维复合材料抗拉及驱动应变性能的影响

采用粘稠塑性加工方法制备了锆钛酸铅方形压电纤维复合材料, 研究了环氧树脂中不同TiO₂含量对压电纤维复合材料的电学阻抗、抗拉及驱动应变性能的影响。结果表明: 环氧树脂中TiO₂含量不同, 压电纤维复合材料的谐振频率不同。压电纤维复合材料的抗拉强度及纵向自由应变值均随着环氧树脂中TiO₂含量增大先增加后减小。环氧树脂中TiO₂含量为3wt%的压电纤维复合材料的抗拉强度达到了77.50 MPa, 且在驱动电压为-500 V~+1500 V时, 其纵向自由应变值达到了1783.7 με。当环氧树脂中TiO₂含量从3wt%增大至5wt%时, 压电纤维复合材料的抗拉性能和驱动应变性能均有所降低。在不同的外加驱动频率下, 压电纤维复合材料表现出不同的驱动应变能力。随着频率的增大, 压电纤维复合材料的纵向自由应变幅度表现出明显降低, 当频率超过5 Hz后, 其纵向自由应变值略有减小。     

锆钛酸铅(PZT)薄膜的自发极化与压电响应

用溶胶－凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基片上制备了近等原子比的压电ＰＺＴ薄膜,在准同型相界附近的ＰＺＴ薄膜的应变机制是受极化控制的压电效应,内电场导致薄膜的自发极化定向,使薄膜未经极化就具有明显的压电响应。     

PZT/P VDF 压电复合材料的制备及其性能研究

用氧化物一步合成法制备了PZT 粉末, X 射线衍射测试结果显示, 它是Zr/T i 为52∶48 的纯四方钙钛矿型结晶相, 并用SEM 观察了PZT 粉末的形貌; 用热分析仪测试了PVDF 的固化温度; 在自制模具上采用模压/烧结工艺获得了六种含PZT 不同体积含量的PZT/ PVDF 复合材料; 对其介电性和压电性的测试表明, 随着PZT体积含量的增加, 电性能参数呈非线性增大, 当PZT 的体积份数超过70% 时, 介电常数E和压电常数d₃₃值迅速增加, PZT 体积份数达到90% 时, 其电性能参数与纯PZT 值接近, 但此时复合材料的脆性较大, 已没有实用价值。     

具有超高压电电压常数的镧掺杂0.55Pb（Sc1／2Ta1／2）O3—0.45PbTiO …

研究了不同镧掺杂量与Ｐｂ（１－ｘ）Ｌａｘ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）０．５５Ｔｉ０．４５Ｏ３（ｘ＝０，ｘ＝０．００５，ｘ＝０．０１，ｘ＝０．０ｘ，ｘ＝０．０３）陶瓷材料居里温度，压电常数有压电电压常数之间的关系以及高温热处理对材料性能的影响。研究表明材料的居里温度随镧添加量的提高按２６℃／１ａｔｍ％的幅度下降，只是在ｘ＝０．００５处出现异常现象，即该组分的材料的居里温度与ｘ＝０处相比稍有提高；材料的压     

用Sol─Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ｐｂ（Ｚｒ＿（０．５）Ｔｉ＿（０．５））Ｏ＿３（ＰＺＴ）铁电陶瓷与薄膜，观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法，可降低ＰＺＴ陶瓷粉料的预烧温度约２００℃，所得陶瓷致密，晶粒均匀；具有较好的介电性能。ＰＺＴ陶瓷显示弥散相变特征。ＰＺＴ薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整，与ＰＺＴ薄膜的晶格失配率越小，ＰＺＴ薄膜的晶化就越好。采用ＰｂＴｉＯ＿３过渡层促进ＰＺＴ薄膜在镀铂硅片上晶化。ＰｂＴｉＯ＿３过渡层与ＰＺＴ薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的ＰＺＴ体材料相近。     

高Tc铋层状压电陶瓷结构与性能

综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究,铋层状压电陶瓷的（Ｂｉ２Ｏ２）＾２＋层和钙钛矿层（Ａｍ－１ＢｍＯ３ｍ＋１）＾２－按一定规则 排列而成,上Ａ为适合于１２配位的离子;Ｂ为适合于八面体配位的离子,ｍ为一整数,其值一般为１￣５,与钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）或锆钛酸铅（ＰＺＴ）陶瓷相比,铋层状压电陶瓷具有以下特点：低介电常数、高ＴＣ、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等。     

PZT基陶瓷铁电—反铁电相界处各向异性的研究

本文研究了两个以ＰＺＴ陶瓷为基的系统：ＰＺＴ（Ｎｂ）和ＰＳＺＴ陶瓷在铁电－反铁电相界区域的压电和机电耦合等性能。结果表明，ＰＺＴ基陶瓷在该相界处具有高Ｋｔ和低Ｋｐ的性质。压电和机电耦合各向异性也比准同型相界要高，│ｄ３３／ｄ３１│〉５．５，Ｋｔ／Ｋｐ〉３．０。借助于电场诱导ＡＦ→Ｆ相变和反铁电双子晶格间的强耦合作用，对此现象作了较好解释。