低噪声电荷灵敏前置放大器

本文介绍一种低噪声电荷灵敏前置放大器,零外接电容噪声1.49keV,电容噪声斜率为15eV/pF,外接电容1000pF时上升时间12ns,输出动态范围±10V。     

基于orCAD的电荷灵敏前置放大器仿真设计

叙述了使用orCAD软件仿真电荷灵敏前置放大器的方法,半导体辐射探测器的电荷仿真信号源的设计,讲述了一个仿真设计实例。结果说明软件仿真精度能够满足设计要求,可以代替大部分实验。     

基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计

提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础。由Multisi m仿真结果看出该电荷灵敏前置放大器输出信号上升时间小于15ns,并且具有很好的稳定性。     

低噪声电荷灵敏前置放大器的噪声分析

本文从基本的噪声模型出发,对自制前置放大器进行定量的噪声分析,并与Pspice仿真和实际测量的结果进行比较.给出等效输出噪声谱、等效噪声电荷、噪声斜率计算的实用公式,供电荷灵敏前置放大器的设计和改进使用.     

Multisim仿真软件在分析电荷灵敏前置放大器中的应用

利用电子电路仿真设计软件Multisim对核电子学中的典型电路电荷灵敏前置放大器进行了仿真测试。在结合理论分析的基础上,仿真分析了前放的一些基本特性如输出增益、输出脉冲上升时间、噪声、输入输出阻抗和带宽等,得出了与理论分析相符合的结果,对理论分析有较大的帮助和参考价值。     

新型电荷灵敏前置放大器研制

基于Multisim软件仿真,研制了一种新型电荷灵敏前置放大器,其输入缓冲器采用JFET构成的共源共栅电路,放大级电路采用集成运算放大器。经测试,信号上升时间为85ns;当RC成形时间为10μs时,零电容噪声为970e,噪声斜率为7.40 e/p F,对~(137)Cs源γ射线测量信噪比为32:1。     

新型低噪声电荷灵敏前置放大器设计

为满足Topmetal-S芯片研制需求,设计了一种低噪声电荷灵敏前置放大器。该电荷灵敏前置放大器在0.35 μm商业标准工艺上完成设计,采用单端折叠共源共栅结构,其等效输入电荷噪声约为56.47 e,电荷转换增益为223.40 mV/fC,上升时间为633.30 ns;开环增益为75.07 dB,线性度在3.70%以内的输入电荷范围为0～6.50 fC。     

小型化电荷灵敏前置放大器

为了缩小核辐射悬移质输沙率计的探头尺寸和探测球体范围,使之能测到临近河底的参量,必须采用小型探测器和与之相配合的前置放大器。我们利用高阻抗运算放大器SF357和FC61等制成了小型电荷灵敏放大器,通过长电缆(≤100m)把信号送到二次仪表。此电荷灵敏放大器适于在高计数率下工作,噪声低,稳定性好,体积小,结构简单。     

一种低噪声快电荷灵敏前置放大器的研制

简要介绍了新型低噪声快电荷灵敏前置放大器。这种电荷灵敏前置放大器采用新的设计方法案，该前放主要采用低噪声场效应晶体管和集成运算放大器构成，其等效输入噪声≤2．2keV。该前放具有电路结构简单、体积小、输出信号上升时间快、噪声低、稳定性好等特点。     

EWB软件仿真分析探测器-电流灵敏前置放大器

利用虚拟电子工作平台(EWB)软件仿真分析一个中子注量率时空分布的探测系统中应用的电流灵敏前置放大器电路,避免了复杂的数学理论计算,得到了直观的结果,为其调试工作提供了参考依据。介绍了在EWB上探测器信号源的模拟,仿真分析探测器输出回路RC、隔直交流耦合电容、传输电缆长度对该电流灵敏前置放大器输出电压信号的影响情况。     

开关型积分电荷灵敏前放的研究

介绍了开关电荷灵敏前放应用于高能X射线成像系统中的主要优点,初步分析了此类前放的主要噪声源,并实验比较了开关前放和传统电荷灵敏前放的噪声指标,结果显示开关前放的确因为去掉了反馈电阻的热噪声贡献而使并联电流噪声得以改善。     

Application of CMOS charge-sensitive preamplifier in triple-GEM detector

1 Introduction With novel materials and advanced technique of printed circuit board (PCB) and micro-electronics be- ing used in MPGD, over the past two decades, great progress has been made in MPGD[1], and as a new type of MPGD, the GEM[2] detector was developed during the late 1990s. Standard GEM from CERN is a thin, two-side copper-coated Kapton foil, perforated with a high density of holes etched using a photolitho- graphic process. The diameter of these holes is about 70 μm (ext…     

功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟

建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法,对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟,模拟结果与文献中提供的数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。     

功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟

建立了功率ＭＯＳ器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法,对ＶＤＭＯＳ器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。     

基于Chopping-Peaking开关组合的亚纳秒双极化器的PSPICE模拟

给出了单极脉冲经过Chopping-Peaking组合开关形成双极脉冲的原理,用PSPICE程序模拟计算了不同因素(入射单极脉冲上升时间及Chopping开关与Peaking开关特性等)对输出双极脉冲的影响,实验结果与模拟结果符合较好.     

HL-2A装置水平场电源系统局部仿真(阶段报告)

根据中国环流器 ?2 号(HL-2A)装置对水平场电源提出的苛刻要求,设计了一种晶体管数字变流器供电方式,并用电路分析软件PSPICE 对此供电方式进行了数字电路仿真。结果表明,这种晶体管数字变流器在响应速度及波形质量等方面均能满足实验装置的要求。     

DEMO堆包层第一壁热工水力优化分析研究

聚变堆包层第一壁是影响包层换热效率与运行安全性最重要的部件,为了研究第DEMO堆包层第一壁的热工水力性能,对第一壁流道内氦气冷却剂的流动及其与结构材料的换热进行了数值模拟研究及优化分析。结果表明,通过增大氦气进口质量流量可以有效地降低第一壁结构材料的最高温度,但是由此带来的压力损失很大,不能作为强化换热的主要途径。此外,增加每组流道的盘绕次数能起到强化换热的效果,目前每组流道盘绕五次的方案是合理的。流道中存在的圆角包层第一壁的流动换热影响不大,但圆角的存在会使第一壁最高温度有一定的升高。铍涂层的导热系数与第一壁最高温度成反相关关系,但是对第一壁流道的对流换热影响不大。结构材料的导热系数的增大能显著降低第一壁结构材料的最高温度。