芯片级封装技术研究

对刚性基板倒装式和晶圆再分布式两种结构的CSP进行了研究，并描述了工艺流程。详细阐述了CSP的几项主要的关键技术：即结构设计技术，凸点制作技术，包封技术和测试技术。阐述了采用电镀和丝网漏印制备焊料凸点的方法。     

芯片级封装技术研究

对刚性基板倒装式和晶圆再分布式两种结构的芯片级封装（CSP）进行了研究，描述了CSP的工艺流程；详细讨论了CSP的几项主要关键技术：结构设计技术，凸点制作技术，包封技术和测试技术；阐述了采用电镀和丝网漏印制备焊料凸点的方法。     

芯片级封装

电子装置的小型化推动封装向芯片大小方向发展，即芯片级封装。本文给出了ＣＳＰ的定义和特点，讨论了μＢＧＡ，ＭＳＭＴ大头针式凸点连接技术等。     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性，因此，早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式，然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装。最后给出了一些商业化的实例。     

飞兆半导体推出超小型“高速USB2．0”MicroPak^TM芯片级封装器件

国际整流器公司（IR）于近日发布了一款电压为200V的控制集成电路IRS20124S，专为每个通道高达500W的D类音频放大领域。     

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究

MEMS器件大都含有可动的硅结构，在器件加工过程中，特别是在封装过程中极易受损，大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后，加上一层封盖保护，可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金-硅键合新结构，实验证明此方法简单实用，效果良好。该技术与器件制造工艺兼容，键合温度低，有足够的键合强度，不损坏器件结构，实现了MEMS器件的芯片级封装。我们已经将此技术成功地应用于射流陀螺的制造工艺中。     

芯片级的封装技术——参加“先进的封装技术研讨会”评述

结合参加“先进封装技术研讨会”的情况和分发给与会代表的资料,介绍了芯片级的封装技术的现状及发展趋势.     

采用芯片级封装的功率MOSFET

8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB采用超小的0．8mm×0．8ram芯片级封装,占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36％,而导通电阻则与之相当甚至更低。     

铟泰推出无卤免清洗晶圆级芯片级封装

倒装芯片助焊剂NC-510是一种专为保持锡球形状而设计的无卤、免清洗、晶圆级芯片尺寸封装助焊剂。这种助焊剂可提供一致的可焊性,与各种底部填充剂兼容,并具有均匀的可印刷能力。迄今有两种使用焊料完成的晶圆植球标准工艺,它们分别是：焊膏印刷和焊料电镀。这两种工艺具有多种局限,从而催生了第三种更加灵活的方法。新方法包括助焊剂印刷（通常为模板印刷或丝网印刷）和焊球贴装两个阶段。     

研诺转换器采用新的芯片级封装

研诺逻辑科技有限公司日前宣布为其AAT1149和AAT1171直流／直流转换器增加芯片级封装。由于去除了键合线,新的CSP封装极大地减少了占板面积。与传统带键合线的封装相比,新的封装选项还可减少杂散电感、电容和电阻以及由其产生的噪音。     

无线通讯用的芯片级集成无源器件

在现代电子产品中，无源器件数量超过有源器件数量十倍的现象非常普遍。在空间为主要因素的众多无线通讯产品如手机中，特别需要集成无源器件。这种器件的芯片级封装通过把所有电路无件紧密结合在芯片本身的焊盘位置内来优化印制电路板的空间利用。本提供了模拟的器件和实际达到的器件性能，也讨论了芯片级封装的优势和可靠性因素。     

半导体封装形式介绍

半导体器件有许多封装型式,从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进,这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来,它大概有三次重大的革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现,它不但满足了市场高引脚的需求,而且大大地改善了半导体器件的性能;晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装减到最小。每一种封装都有其独特的地方,即其优点和不足之处,而所用的封装材料,封装设备,封装技术根据其需要而有所不同。驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。     

采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET

Si8422DB是首款采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET,该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携设备     

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究

MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金 硅键合新结构 ,实验证明此方法简单实用 ,效果良好。该技术与器件制造工艺兼容 ,键合温度低 ,有足够的键合强度 ,不损坏器件结构 ,实现了MEMS器件的芯片级封装。我们已经将此技术成功地应用于射流陀螺的制造工艺中     

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究

MEMS器件大都含有可动的硅结构,在器件加工过程中,特别是在封装过程中极易受损,大大影响器件的成品率.如果能在MEMS器件可动结构完成以后,加上一层封盖保护,可以显著提高器件的成品率和可靠性.本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金-硅键合新结构,实验证明此方法简单实用,效果良好.该技术与器件制造工艺兼容,键合温度低,有足够的键合强度,不损坏器件结构,实现了MEMS器件的芯片级封装.我们已经将此技术成功地应用于射流陀螺的制造工艺中.     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性,因此,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺.本文首先介绍了封装的主要形式,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1].最后给出了一些商业化的实例.     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。最后给出了一些商业化的实例     

三级微电子封装技术

微电子封装一般可分为三级封装,即用封装外壳(金属、陶瓷、塑料等)封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的一级封装,常称芯片级封装;将一级封装和其它元器件一同组装到基板(PWB或其它基板)上的二级封装,又称板级封装;以及再将二级封装组装到母板上的三级封装,这一级也称为系统级封装.(而一、二级封装的关系更加密切,已达到技术上的融合).