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1.
集成电路抗ESD设计中的TLP测试技术 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍了一种研究器件和电路结构在ESD期间新的特性测试方法——TLP法,该方法不仅可替代HBM测试,还能帮助电路设计师详细地分析器件和结构在ESD过程中的运行机制,有目的地进行器件ESD保护电路的设计,提高器件的抗ESD水平。 相似文献
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基于提升GaAs低噪声放大器(LNA)的抗静电(ESD)能力的需求,且实现器件小型化轻量化,设计了一种S波段GaAs低噪声放大器的ESD防护电路,该电路利用1/4波长线的微波特性,通过1/4波长微带线并联在GaAs芯片的输入输出端,瞬态二极管(TVS)并联在芯片的电源端,不改变器件原有封装尺寸的条件下构成保护结构.基于ESD人体模型,运用静电模拟仪器对低噪声放大器进行了模拟试验,并对其性能进行了测试.结果表明,在6.5 mm×6.5 mm×2.4 mm的封装尺寸下,器件的抗静电能力从250 V提高到了1 000 V,在频率为2.6~3.7 GHz,带内增益大于25 dB,增益平坦度小于-±0.5 dB,噪声系数小于1.5 dB,满足高可靠领域应用的要求. 相似文献
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设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。 相似文献
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基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发电压。两种改进结构均在0.18μmRFCMOS下进行流片,并使用传输线脉冲测试系统进行测试。实验数据表明,这两种新器件具有低触发电压、低漏电流(~nA),抗ESD能力均超过人体模型2kV,同时具有较高的维持电压(均超过3.3V),可保证其可靠地用于1.8V、3.3V I/O端口而避免出现闩锁问题。 相似文献
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RF低噪声放大器的设计与稳定性分析 总被引:1,自引:1,他引:0
Harter-Chan 《无线电工程》2002,32(1):49-51
该文讨论了低噪声放大器(LNA)的设计基础,介绍了传输线理论、RF功率增益等基础知识。 相似文献
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RF低噪声放大器的设计与稳定性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
Harter-Chan 《无线电工程》2002,32(3):51-55
该文讨论了低噪声放大器(LNA)的设计基础,介绍了传输线理论、RF功率增益等基础知识。 相似文献
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结合切比雪夫滤波器,可以实现宽带输入匹配的特性和片上集成窄带低噪声放大器(LNA)的噪声优化方法。提出一套完整的基于CMOS工艺的宽带LNA的设计流程,并设计了一个应用于超宽带(UWB)系统的3~5 GHz宽带LNA电路。模拟结果验证了设计流程的正确性。该电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行模拟仿真。结果表明,该LNA带宽为3~5 GHz,功率增益为5.6 dB,带内增益波动1.2dB,带内噪声系数为3.3~4.3 dB,IIP3为-0.5 dBm;在1.8V电源电压下,主体电路电流消耗只有9 mA,跟随器电流消耗2 mA,可以驱动1.2 pF容性负载。 相似文献
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基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA)。在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-LNA在双频段的输入阻抗匹配。在放大级中,采用CMOS互补共源放大结构和电流复用技术,在提高系统增益的同时,实现了DB-LNA的低功耗。在输出级中,采用NMOS晶体管作电流源的源跟随器,对信号电压进行缓冲,实现了输出阻抗匹配。利用ADS进行仿真验证,结果表明,该低噪声放大器在1.9 GHz和2.4 GHz 2个工作频段下,其增益(S21)分别为26.69 dB和20.12 dB;输入回波损耗(S11)分别为-15.45 dB和-15.38 dB;输出回波损耗(S22)分别为-16.73 dB和-20.63 dB;噪声系数(NF)分别为2.02 dB和1.77 dB;在3.5 V的工作电压下,静态功耗仅有9.24 mW。 相似文献
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本文介绍了6~20GHz微波宽带低噪声、中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术, 研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标: 工作频率6~20GHz, 1dB压缩输出功率≥18dBm , 增益≥28dB, 输入输出驻波比≤2.0∶1, 噪声系数≤4.0dB, 增益平坦度≤±2.0dB 相似文献
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针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz~9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。 相似文献
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提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善。该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz。仿真表明,在电流消耗为300μA的条件下,提出的低噪声放大器具有更好的噪声系数与增益,分别比传统的电感源极衰减低噪声放大器改善1.9 dB与5.3 dB。 相似文献