掺OH^—稳定的F^＋2型心的激光振荡

利用我所研制的掺质均匀、色心稳定性好的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）Ｈ和ＫＣｌ（Ｎａ＾＋，ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）ＡＨ色心晶体，我们实现了＞２５０ｍＷ的１．５７μｍ和＞４０ｍＷ的１．８８μｍ色心激光输出。本文报道其实验结果。     

室温NaCl：OH~－色心激光和色心调Q取得成功

室温ＮａＣｌ：ＯＨ~－色心激光和色心调Ｑ取得成功ＮａＣｌ：ＯＨ－晶体中的色心激光是输出功率最高、工作最稳定的色心可调谐固体激光。调谐范围复盖了１．４５～１．７５μｍ。激光峰值波长在１．５５μｍ，处在光纤低损耗区。在产生孤子激光、光纤通讯及超快过程研究?..     

NaCl（OH^—或O^—2）：F^＋2）H色心激光研究的进展

文中介绍了近几年来ＮａＣｌ（ＯＨ＾－２或Ｏ＾－２）：（Ｆ＾＋２）Ｈ色心激光研究的进展，简要说明了它的应用前景。     

NaCl（OH￣－或O￣－＿2）：（F￣＋＿2）＿H色心激光研究的进展

文中介绍了近几年来ＮａＣｌ（ＯＨ~－或）：色心激光研究的进展，简要说明了它的应用前景。     

F￣＋＿2型色心激光器中辅助光的作用

Ｆ~＋＿２型心具有跃迁偶极矩大、Ｓｔｏｋｅｓ位移适当、效率高、调谐范围覆盖０．８～４．０μｍ近红外区等优点，是一种具有实际应用价值的色心激光工作心。它的能级结构可用Ｈ~＋＿２模型加以描述。利用与激光运转相关的ｌｓσ＿ｇ：、２ｐσ＿ｕ，、２ｐπ＿ｕ能级的正常态和弛豫态特征可以阐述Ｆ~＋＿２型心的激光四能级系统和辅助光的作用。多数Ｆ~＋＿２型色心激光器的稳定运转需要有辅助光的激励。辅助光产生的重取向可以抵消泵光产生的重取向，以达到实现稳定、高效的激光运转的目的。     

掺硫NaCl晶体中（F_2~＋）_H心的形成及其稳定性

报道了掺硫ＮａＣｌ晶体（Ｆ＿２￣＋）＿Ｈ心的制备过程以及（Ｆ＿２￣＋）＿Ｈ心的室温避光稳定性。讨论了Ｓ２－对Ｆ＿２￣＋的稳定作用和（Ｐ＿２￣＋）Ｈ制备过程中的缺陷化学反应．研究表明．促使Ｆ３心热分解成Ｆ心和控制好转型光的辐照剂量是制备高浓度、高纯度（Ｆ＿２￣＋）＿Ｈ心材料的关键技术之一。     

室温脉冲可调谐NaCl：（F_2~＋）H色心激光器

报道了室温下掺硫及掺氧ＮａＣｌ晶体中（Ｆ_２~＋）Ｈ心的热光稳定性和激光性能。讨论了引起色心退色的原因和改进方法。     

用LPE研制的室温连续工作的1．48μm单量子阱激光器

利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长为２００μｍ，ＣＷ，１３℃）。激射波长为１．４８μｍ，最高输出功率达１８．８ｍＷ（Ｌ＝２００μｍ．ＣＷ，１８℃）。脉冲输出峰值功率大于５０ｍＷ（脉冲宽度１μｓ、频率１ｋＨｚ），未见功率饱和。量子阱的阱宽为２０ｎｍ［１］．     

All Optical Wavelength Conversion from 1.3μm to 1.55μm Using Two-segment DFB Lasers

ＡｌＯｐｔｉｃａｌＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎｆｒｏｍ１．３μｍｔｏ１．５５μｍＵｓｉｎｇＴｗｏ－ｓｅｇｍｅｎｔＤＦＢＬａｓｅｒｓ①ＬＵＯＢｉｎ，ＬＵＨｏｎｇｃｈａｎｇ，ＣＨＥＮＪｉａｎｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅ...     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

2～3μm AlSi的反应离子刻蚀及实用化技术研究

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２、ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体进行了Ａｌ－Ｓｉ１．２％的反应离子刻蚀，研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上，本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进行了实用化应用研究，并得到了最佳的刻蚀程序。最小加工线条宽度达到１．５μｍ，实用达２～３μｍ，体刻蚀率大于１μｍ／ｍｉｎ，均匀性小于±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２和ＡＥ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比分别达８：１和３：１。此技术已用于多种多批量电路的制作工艺之中，效果良好。     

NaCl：OH~－晶体生长及（F_2~＋）_H心制备

报道了低非激活损耗ＮａＣｌ：ＯＨ－晶体生长及高浓度（Ｆ２＋）Ｈ心的制备并和法国同种晶体进行了比较。     

低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长

本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．     

SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究

用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺，己刻蚀出高度为１０μｍ的硅台阶，台阶倾角小于５°，横向腐蚀约为０．５μｍ，刻蚀表面粗糙度约１０％。     

YBCO薄膜红外探测器研究的新进展

用ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ＿３薄膜制成的１ｍｍ红外探测器，经技术保护之后，寿命已达３年。其Ｄ（５００，１０，１）＝３．７×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．４×１０￣（－１１）ＷＨｚ￣（－１／２）；超导微桥（５０μｍ×１０μｍ）红外探测器，其Ｄ（５００，１０，１）＝１×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．３×１０￣（－１２）ＷＨｚ￣（－１／２）。     

31311．15μmCO＿2激光器

３１３１１．１５μｍＣＯ＿２激光器朱大勇，余学才，黄强（成都电子科技大学，成都６１００５４）同位素￣（１３）ＣＯ￣（１６）＿２激光器的光谱范围为９．５～１１．７μｍ。本文介绍我们研制成功的国内首台同位素￣（１３）ＣＯ￣（１６）＿２激光器性能，１１．１...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

铝—RIE刻蚀工艺

干法刻铝中,ＢＣｌ３添加Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３和Ｎ２,可改变Ａｌ的刻蚀速率、Ａｌ对ＳｉＯ２和胶的选择性、线宽和胶膜质量,其中Ｃｌ２流量影响最大。此外,本文还给出了ＲＦ功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不态低的气压（ＢＣｌ３：Ｃｌ２：ＣＨＣｌ３：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ：１５ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ：０￣５０ｓｃｃｍ,２００ｍＴｏｒｒ,２００Ｗ）可以实现细线条（０．６μｍ）Ａｌ的刻蚀。     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。