平面型纳米真空三极管的计算机模拟

平面纳米真空三极管只需要平面工艺,与现有的微电子工艺兼容,与基于经典Spindt阴极的真空微电子三极管相比,具有工艺相对简单等特点,同样具备纳米真空电子器件抗辐射、温度稳定性好等优点。本文采用粒子模拟方法对平面型纳米真空三极管的场发射特性进行了计算机模拟研究,模拟中考虑了空间电荷的影响。典型器件的模拟结果表明,平面型纳米真空三极管具有信号响应速度快,工作电压较低等优点。研究了该三极管结构中的尖端曲率半径、尖端相对高度、栅极电压和阳极电压对场发射特性的影响,有助于设计和优化该类器件结构。这种平面型纳米真空三极管可望成为真空集成电路的基础器件,并在卫星等航空航天领域等需要抗辐射领域获得应用。     

真空微电子学的新发展

本文描述了正在兴起的一门新学科——真空微电子学——的发展概况,它的工作原理,微型真空三极管的构造及集成加工技术。详细给出了薄膜场致发射阴极的制造过程,讨论了这类器件的应用领域及需进一步研究的问题。     

真空微电子器件的物理考虑

本文阐述在真空三极管尺寸减小到目前固体微电子器件常用的微米与亚微米量级时应考虑的物理问题。对于超高速器件来说,已证实在0.5μm 电极间距问的真空渡越时间为最好的固体材料中的2/3～1/15。与固体器件相比,真空器件对辐射损伤更不敏感,但能在更高温度环境下工作。     

楔形阴极的真空微电子三级管的计算机模拟

本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析。通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空微电子三极管的性能，计算了有关参数并提出优化设计方案。     

楔形阴极的真空微电子三极管的计算机模拟

本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析．通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空微电子三极管的性能，计算了有关参数并提出优化设计方案.     

真空微电子三极管静电场电容的计算机数值模拟

以静电基本原理、场致发射原来为基础，用有限元法在求得圆锥形、楔形阴极真空微电子三极管内静电场各点场强的前提下，考虑以往计算中忽略的各电极之间、栅极厚度对器件电容的影响进行极间电容的计算。通过计算多导体系统电荷密度较为精确地求得了圆锥形、楔形阴极真空微电子三极管的极间电容，讨论了器件各几何参数与电容的关系，对器件的优化设计与高频应用具有指导作用。模拟结果与巳报道的实验结果符合较好。     

超小型器件和微波功率模块的发展——真空电子和微波光子技术的融合

信息系统的发展要求真空电子器件(包括行波管)的发展遵循微型化/集成化/组件化发展趋势。本文重点讨论了真空电子器件(包括行波管)的三步走发展战略,即现有器件的微型化/集成化/组件化、纳米真空三极管放大器和集成化、真空电子器件和微波光子学融合发展的新型器件与应用。     

当代电子学的标志——真空微电子学

本文概述了真空微电子学的基本原理、特性、用途及发展现状。现在真空场发射三极管高频电压增益可做到11dB,跨导为38μS。预计真空微三极管的频率可达3GHz以上。指出,新研制的真空微电子微带放大器在35～1000GHz(1THz)频段下输出功率可达1～50W。     

真空微电子学展望

目前正在利用微米大小的微小冷阴极,开始试制微细而能集成的真空管或高精细平板显示器件等。这些试验的目的是利用半导体的微细加工技术,使真空元器件集成化和高性能化,这种叫做真空微电子学的研究,正在开拓前所未有的领域。本文以作者研制的微小真空三极管为中心,介绍真空微电子学的最近动向。     

真空微电子器件发射体材料研究概况

改善真空微电子器件发射体材料的性能，有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况，认为目前对金属薄膜材料，合金材料，金刚石薄膜，碳化物，硅化物等的场发射特性的研究工作，将产生一些性能优异的发射体材料。     

真空控制系统的发展现状

主要介绍真空应用设备中可视化界面控制的发展概况.回顾了真空控制系统的发展历程,以几个典型界面为例,介绍了国内外有关真空设备可视化界面控制发展概况,分析了其控制特点,并对真空应用系统可视化控制界面的未来发展提出了自己的看法.     

从真空微电子学到真空纳电子学

微细加工技术和场发射作为电子源促成了真空微电子学的诞生,许多从事微细加工技术、真空电子技术、微波电子学、材料科学、表面科学、薄膜科学等领域的研究人员也开始了这方面的研究工作,1988年在美国召开了第一届国际真空微电子学会议（IVMC）,随后每年一届在世界各地轮流召开。科学技术的发展非常之快,纳米结构、纳米加工技术、纳米材料等也渗透到这个领域,真空微电子学的研究领域也随之扩展,所以2004年在美国召开的第17届国际真空微电子学会议改名为国际真空纳电子学会议（IVNC）。本文就真空微电子学的发展历史,该领域的技术发展做了综述和分析,对目前真空纳电子学的兴起、研究内容的变化做了分析。     

CMP中真空供应系统的设计

针对CMP在低生产量及实验室条件下对真空供应系统的特别要求：（1）持续稳定的真空供应;（2）能够及时处理倒流液体;（3）真空电机不易长时间连续工作的要求,从气动性、硬件电路和软件流程图进行全面设计：增加独立的真空槽体和排液槽体,在正常运行情况下二者串联增加真空供应容积,并且自主收集倒流废液,而排液中依然可保证真空稳定供...     

真空探针设备工艺研究

以手动真空探针设备为例,介绍了真空探针设备与常规设备不同的工艺技术,并分析了真空腔体密封方式及操作流程。     

真空中电极间隙的预击穿特性研究

本文对真空中电极间隙和真空灭弧室的预击穿特性进行了研究，分析了影响真空中预击穿特性的因素。     

真空度随真空管道长度变化规律研究

通过对PCB钻孔机抽真空设计的研究,借鉴流体力学理论中管道流体与管道摩擦模型,提出了真空度管道摩擦损失假设和管道真空负压损失摩擦系数,并推算出了实验管道的真空负压损失摩擦系数和真空负压随各种不同管径管道每米长度损失的计算公式,为PCB业界设计钻孔工序抽真空系统提供了具有实用价值的理论指导。     

真空开关管真空度的测量

论述了真空开关管真空度的测量原理 ,讨论了影响测量准确性的因素 ,并推荐了测量仪器的正确校准方法。     

真空灭弧室的正确使用

讨论了真空灭弧室的使用环境、类别和参数选择的原则,提出了正确的安装和维护方法、使用寿命的判别依据,并推荐了使用真空灭弧室的电路保护措施.     

真空电子学和微波真空电子器件的发展和技术现状

真空电子学是研究真空中与电子相关的物理现象的学科,主要研究电子的产生和运动、电子与电磁波和物质的相互作用,是各类真空电子器件和粒子加速器等真空电子装置的基础。微波真空电子器件是最重要的真空电子器件,已广泛应用于国防、国民经济和科学研究领域,是军用和民用微波电子系统的核心器件,本文将介绍真空电子学和微波真空电子器件的发展历史,技术现状和应用情况,并对其发展趋势作简要的评述。     

一种真空开关管真空度测量及校准方法

详细介绍了一种真空开关管真空度测量及校准方法。这种方法对规范真空开关行业真空度测量及校准将起积极的作用。