球磨对碳化硼粒度及游离碳的影响

主要研究球磨因素对碳化硼粒度分布的影响,并考察游离碳含量随球磨时间的变化规律.实验结果表明：随着球磨时间增加,碳化硼粒径分布曲线向粒径小的方向移动,当球磨时间达到60 h,粉体粒径细化程度减缓,继续球磨可进一步提高超细颗粒含量;当球磨时间达到一定程度,不同的球料比对粉体粒径分布曲线影响较小;游离碳含量随着球磨时间增加而提高,在20～40 h碳含量增加显著,之后增加缓慢;SEM电镜显示球磨前后粉体显微形貌发生显著变化;XRD分析显示球磨60 h后粉体中出现很强的游离碳衍射峰.     

硅点阵常数精确测定及系统误差处理

精确测定点阵常数是研究结晶材料的重要方法之一，对于研究相变过程、晶体的缺陷和应力状态等均有重要意义。本实验除对晶体硅的点阵常数进行了精确测定外，仪器的系统误差对测定精度的影响也进行了测量、分析，并对测量结果给予了修正。     

机械化学法制备碳化硼及其晶体结构的研究

以氧化硼、镁粉和石墨粉为原料,通过机械合金化与镁热法相结合,制备了碳化硼材料:在氧化硼、镁、石墨的质量比为10:11:1、行星式球磨机转速为200 rpm、研磨时间为72 h、研磨罐温度略高于室温的条件下,诱导了化学反应,合成制备了碳化硼颗粒材料。由酸洗和水洗产物后粉末的XRD谱图,证明粉末的主要成分为碳化硼。用三线法和最小二乘法,对所制备的碳化硼粉末的晶体结构及晶格常数进行了分析计算,结果表明碳化硼的晶系为六方晶系,晶胞的晶格常数a=0.562 8 nm,c=1.218 6 nm,与文献报道的结果相一致。     

碳化硼的显微组织研究

采用直接合成法合成碳化硼粉,并用合成的碳化硼粉进行热压烧结.采用金相显微和扫描电子显微镜(SEM)对碳化硼烧结体的显微组织进行了研究.     

碳化硼粉末制备方法的研究进展

碳化硼制备复杂,属高能耗产业.本文主要探究了碳化硼粉末的制备方法.     

热压烧结碳化硼的性能研究

采用直接合成法合成碳化硼粉,并用合成的碳化硼粉进行热压烧结.对其性能进行了测试,结果表明碳化硼的性能达到或超过所提供的参考值.     

碳化硼陶瓷低温烧结技术的研究现状

综述了各种碳化硼陶瓷低温烧结技术及其影响因素，阐述了粉末粒度、制备工艺和化学成分等关键因素对碳化硼陶瓷烧结温度的影响，分析了进一步降低碳化硼陶瓷烧结温度的可能途径。结果表明，通过以上几种途径可以实现低温烧结。     

碳化硼陶瓷相对密度与性能的关系

研究了碳化硼陶瓷无压烧结致密化过程中相对密度与力学性能的关系，试验表明，添加碳能显著地促进烧结过程，并提高其烧结制品的相对密度，当含碳质量分数为4.5%，烧结温度为2200℃时，制品的性能达到较高的水平，过高的烧结温度和过多的碳均不利于性能的提高。     

碳化硼陶瓷的液相烧结试验研究

在烧结液相质量分数为0%~25%的Al2O3-Y2O3系中,烧结温度为1950℃,烧结时间为5h的条件下,研究了碳化硼陶瓷液相烧结的致密化过程和力学性能.结果表明,Al2O3和Y2O3的添加可明显地改进烧结性能,同时质量密度和力学性能也有明显提高.     

影响碳化硼陶瓷致密化的因素

从纯碳化硼的无压烧结、添加烧结助剂、烧结时加压等方面介绍了碳化硼陶瓷活化烧结致密化的方法，综述了国内外在不同的烧结工艺下制备的碳化硼陶瓷材料的性能，进而分析了各种方法提高碳化硼陶瓷致密度的机制，比较了各种烧结方法的优缺点。结果表明：通过综合各种措施可以提高碳化硼陶瓷的致密度。     

硼向奥氏晶界的扩散机制

通过解变温扩散方程,导出了硼在非平衡晶界偏聚的理论公式,建立了晶界贫硼区宽度与淬火加热温度、冷却速度以及非平衡晶界偏聚扩散激活能与扩散常数之间的关系,理论预言与实验结果能较好地吻合.     

从晶格常数看硅系铸铁的脆性

以硅系球铁为对象（为减少石墨形态对金属基体的影响），从晶格常数的变化来研究硅系铸铁的硅脆性，最后得出：Ｓｉ原子（离子）溶入铁素体晶格后可使其晶格常数减小，晶格常数的变化与硅脆性对应。可以通过往硅系铸铁中加入适量的合金元素，能使α－Ｆｅ晶格常数增大的方法来部分地抵消Ｓｉ的不良影响。     

原料粉末对碳化硼烧结性能的影响

研究了原料粉末对碳化硼陶瓷常压烧结性能的影响，试验表明增加原料粉末的比表面积和纯度能显著地促进烧结过程，且提高其烧结的质量密度，当比表面积大于16m^2/g时，可使烧结体的相对密度达到98.7%以上，抗弯强度达到456MPa，硬度HV达到为2790。制品的性能接近热压制品的水平。     

ZnO晶格常数优化和电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿ZnO的晶格常数、弹性模量、能带结构和态密度。理论预测ZnO是一种直接禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处。计算结果与其他文献结果吻合较好,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。