电化学脉冲腐蚀制备多孔硅微腔技术

基于电化学脉冲腐蚀方法,用正交实验法给出了制备多孔硅微腔较为理想的制备参数：脉冲周期为5ms,占空比为5／10和上下各6个周期Bragg镜面层,得到了半峰宽为6nm的窄峰发射的多孔硅微腔．并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行了解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向腐蚀（电流腐蚀）,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向腐蚀（浸泡腐蚀）．     

梯形硅基微通道热沉流体流动与传热特性研究

以去离子水为流动工质,对梯形截面的硅基微通道热沉进行了流体流动与传热的实验研究.通过测量流体的流量、进出口压降与温度、热沉底面加热膜温度,获得了梯形硅基微通道热沉在不同体积流量、不同加热功率条件下流体流动与传热特性参数.实验得出,梯形微通道的流体传热特性值与经验公式预测值相比存在明显的差异,梯形微通道角区对流体流动与传热有重要影响.最后,在实验基础上根据经验公式修正得出层流条件下的梯形硅基微通道的对流换热关联式.     

利用硅的各向异性腐蚀技术批量制作压力传感器

介绍一种新颖的采用硅的各向异性化学腐蚀工艺形成压力传感器的技术.给出了各向异性腐蚀的机理,报告了三种不同腐蚀液(KOH,EPW,TMAH)的腐蚀工艺及实验结果.并结合腐蚀技术介绍了硅电容压力传感器的制作工艺.     

金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线及其工艺参数优化

为了制备形貌良好性能优良的硅纳米线,利用金属辅助化学刻蚀法,在AgNO₃和HF的混合水溶液中沉积Ag颗粒,使之作为刻蚀反应的催化剂,并在H₂O₂和HF的混合溶液中进行刻蚀反应制备硅纳米线.通过改变实验中的工艺参数,包括刻蚀反应时间、刻蚀反应温度、刻蚀液中HF浓度及反应过程中的搅拌速度,用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)图像进行对比分析,讨论制备优良硅纳米线的最佳参数.结果表明:当刻蚀反应时间为1 h,反应温度在室温下,HF浓度为4.8 mol/L时,硅纳米线的表面形貌是最好的,但对刻蚀液的搅拌会严重破坏硅纳米线的表面形貌,不利于优良硅纳米线的制备.     

硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究

掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明:MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数.     

超稠油油藏深部封窜调剖技术的研究

为解决辽河油田杜-84块超稠油油藏蒸汽吞吐开采过程中井间汽窜和调整吸汽剖面,提高蒸汽吞吐效果,研制了热固性封窜调剖剂,该封窜调剖剂热固性树脂(质量分数为5%~20%)+橡胶胶粉+交联剂(质量分数为2%~12%)构成。该封窜调剖剂粘度较低(100~200 mPa.s),便于注入施工,具有很好的分选性,容易进入高渗层或大孔道,可有效地减少对低渗透层的伤害,60℃成胶时间在8~59 h可调,在原始水测渗透率为5.800,10.153,15.181μm2的岩心中,热固性封窜调剖剂的封堵强度分别为0.71,0.75,0.77 MPa/cm,封窜调剖剂固化后在330℃高温老化60 d,成胶骨架不破坏,封堵率达到98%以上。目前,该封窜调剖剂已在辽河油田得到应用,取得很好效果。     

硅钢片焊接工艺PLC控制系统

针对武汉钢铁公司硅钢片厂CT1作业线焊接设备老化带来的问题,提出了采用空冷式逆变直流脉冲氩弧焊机和二级计算机(PLC & IPC)控制方式对原焊接生产设备进行改造,介绍了焊接生产工艺过程、控制系统的硬件组成及软件设计方法,对技改后的系统效果作了描述.     

大型工件直径的光电检测技术的研究

基于光三角技术和光栅位移检测技术,提出一种用于大型工件直径非接触在线测量方法和测量系统.本文详细论述了直径测量数学模型、光三角技术和光栅位移检测技术在测量系统中的应用,设计了基于Lab VIEW语言平台的计算机实时数据处理系统.     

氮化硅陶瓷烧结设备的智能化控制程序设计

利用串行通讯技术建立氮化硅烧结设备调节器与计算机的通信，以VB为编程语言，编制控制程序对烧结设备进行智能化、程序化控制设计，实现烧结过程温度等物理量的实时记录、图形描述和记载存储，摆脱烧结过程物理量记录的人工干预，提高研发人员的工作效率，为先进陶瓷的研究开发提供便利，并提升设备的智能化程度和产品价值。     

利用AFM对单晶硅表面加工化学反应理论分析

以原子力显微镜为工具,在空气条件下对单晶硅片表面加工得到下凹的三维微结构。给出了AFM金刚石针尖在对单晶硅的微加工中的化学反应和加工模型。对加工条件下发生的化学反应及其原理进行了理论分析。用化学热力学定律、化学动力学原理和相关的热力学数据自由能、生成热、化学键能、活化能等分析加工过程中发生的反应是空气中O2与单晶硅Si反应生成二氧化硅的过程;金刚石针尖磨损发生的反应主要是空气中O2与金刚石针尖C反应生成CO2的过程。     

洞悉马克思技术哲学的历史之维

马克思的技术哲学首先不同于科学家的技术研究,科学家注重的是技术本身内在的逻辑和规律,其次也不同于历史学家的技术研究,历史学家注重的是历史发展的过程和脉络。马克思的技术哲学是与人类当下的生活境遇、与历史发展的始末紧密联系在一起的,这也就是马克思的技术哲学所为我们展现的历史之维。透过这一维度,我们关心的是真实历史的发展,我们看到的是生产方式的变革,我们展望到的是人类的未来。在马克思的推动下,技术在人类的历史中不再可有可无,历史也不再是绝对精神展现自身的时间和空间,历史变成了技术发展的历史。