激光CVD纳米氮化硅的制备工艺研究

研究了激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的制备工艺过程，探讨了制备工艺参数与粉末特征的关系，获得较佳的工艺参数：激光功率密度２０００Ｗ／ｃｍ２，反应气体配比ΦＮＨ３／ΦＳＨ４＝４，反应气体总流量２００ｃｍ３／ｓ，反应池压力３５ｋＰａ。     

激光法制备纳米氮化硅及其光谱特性研究

介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7～15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体.采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象.采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.     

纳米Fe粉的制备研究

总结了纳米Fe粉的制备方法,重点介绍了一种新的制备方法——封闭循环氢还原法。该方法以FeSO·47H2O和NaOH为原料,采用沉淀方法制备粒径为30～70nm的Fe2O3粉末,其反应条件为:反应温度50℃,反应终点pH值大于12,陈化时间1h。用封闭循环氢还原法,在400℃下还原Fe2O3得到了Fe粉。其粒径在20～50nm之间,含量为99.16%。     

应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究

研究了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜时,射频功率和腔室压力对氮化硅薄膜应力的影响以及应力与沉积速率的关系。通常认为高频下制备得到的氮化硅膜呈现张应力,但是通过实验,表明即使应用高频(13.56MH z)作为激励源同样可以沉积出呈现压应力的氮化硅薄膜。并使用角度可变光谱型椭偏仪观察了薄膜的厚度和低应力氮化硅膜的m app ing图,利用傅立叶变换红外光谱仪(FT IR)对不同应力状态下的氮化硅膜的化学键结构进行了分析。     

纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性

为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光.     

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构.视生长条件和工艺不同,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等.利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测试结果和透射电镜观测结果,分析了富硅型SiNx膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响,对富硅型SiNx膜的LPCVD生长工艺进行优化,大大降低了膜的张应力,无支撑成膜面积可达40mm×40mm.通过这一研究结果,实现了LPCVD可控制生长确定张应力的SiNx膜.     

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx 膜     

静电纺丝技术制备光学功能纳米纤维

介绍了静电纺丝制备纳米纤维的基本原理、装置及运用静电纺丝技术制备的实芯、空芯、多孔和带状等几种不同结构的纳米纤维,阐述了近年来同内外研究者通过静电纺丝技术制备出的发光纳米纤维以及光学偏振纳米纤维的相关成果及研究进展,并讨论了这类光学功能纳米纤维潜在的应用.     

二维金纳米阵列制备及其光学响应

有序贵金属纳米结构由于其本身所特有的光学响应及灵活调控能力,在微纳光电子材料与器件研究领域得到了广泛应用。在众多相关研究中,如何实现金（Au）纳米周期结构的大面积快速制备是人们关心的重要问题之一。采用纳米球自组装刻蚀方法,在大孔周期结构模板内部成功制备了新型二维Au纳米阵列,并有效避免了杂散Au纳米颗粒的产生。通过进一步的工艺优化和参量控制,实现了Au纳米颗粒尺寸的灵活调控,并探讨了其结构形成的物理机理。光学测试研究结果揭示了二维Au纳米阵列的表面等离子体吸收与散射响应,并证明其在近红外飞秒脉冲激励下具有显著的双光子吸收（饱和）效应。该研究结果在太阳能电池,光开关及材料微纳制备等领域具有潜在应用。     

CO2激光CVD制备纳米硅粉

本文分析了激光诱导化学气相沉积制备纳米材料的基本，获得了适宜的制备工艺参数，制得了三种粒径样品（１５ｎｍ，２５ｎｍ，８０ｎｍ）。讨论了制备工艺参数与粉末特征的关系。     

纳米光学

纳米光学是纳米科学和纳米技术的新方向 ,它使用的光限定在空间尺寸 a λ(λ为波长 )或体积 V λ3内。它应用激光与原子、分子、团簇和纳米结构的线性或非线性、经典或量子相互作用的新的或改型的已知效应。这一领域的实际发展以激光和可将光局限在极小尺寸的亚微米结构 (纳米孔、纳米缝、纳米针等 )的纳米技术为基础。纳米光学的基本特点是 :1)为了以纳米空间分辨率研究物质的结构 ,激光能够非常强烈地局域化 ,但能保持光学特征的光谱选择性。 2 )与自由空间情况相比 ,纳米结构处的物质 (原子、分子等 )对局域化光的响应有显著变化。本文…     

LPCVD制备氮化硅薄膜工艺

氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）LPCVD制备氮化硅的工艺。工艺制备中通过工艺参数的调整使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求。     

ZnO纳米颗粒薄膜的制备及其光学特性

采用化学回流法制备了3种不同粒径的ZnO纳米颗粒,然后旋涂在ITO玻璃衬底上,形成样品a、b和c3种ZnO纳米颗粒薄膜.场发射扫描电子显微镜(FESEM)结果显示,3种样品晶粒都呈颗粒形状,形成的薄膜较平整,平均晶粒尺寸分别为(φ)5 nm、(φ)25 nm和(φ)40 nm.X线衍射(XRD)结果表明,ZnO纳米颗粒为多晶六方晶系纤锌矿结构.样品a、b在可见光区有很少的光吸收,在紫外光区有很强的吸收,而由于纳米颗粒的直径较大,样品c在紫外和可见光区都存在很强的吸收.室温下的光致发光谱表明,样品a有一个近带边(NBE)紫外发射峰和蓝光发射峰,样品b、c出现一很宽的深能级缺陷相关的可见光发光带,这说明3种薄膜都存在大量的本征缺陷.     

激光法纳米硅粉的制备工艺研究

本文研究了制备纳米硅粉的工艺参数：获得了最佳工艺参数：激光功率密反１６００Ｗ／ｃｍ２，硅烷浓度１０％，高纯氩稀释，反应气体流量１００ｃｍ３／ｓ，反应池压力２６．７ｋＰａ。改变工艺参数可制备不同粒度的纳米硅粉。     

纳米机械光学

采用微机械加工技术,可以制作各种各样的小型探测器和高度集成化的微系统.微机械加工的特点是可采用比用半导体微细加工技术的精密加工自由度还高的加工工艺,制作立体的微型结构.此外,还有可制作机械性能更加灵活的结构和可批量生产等优点.通过将各种探测器和致动器集成化,可构成复杂的微系统.针对小型化、高集成化和高精度化的要求,加工精度及器件的尺寸等已经开始向纳米级方向发展.随着从微米级向纳米级尺寸的变化,在光学领域也正在展开定域的近场光学器件的研究.这并不是说一味地缩小器件就是好事,问题是经过缩小的器件的性能要得到提高,或者赋与器件新的功     

纳米TiO2粉晶的光学特性研究

用溶胶-凝胶方法(Sol-gel)制备了平均粒度为22nm的纳米TiO₂粉晶.用X射线衍射(XRD)分析了粉晶的结构变化,并用红外光谱法(IR)及紫外-可见光谱法(UV-VIS)对粒子的光学特性进行了分析.结果表明:经不同温度热处理的纳米TiO₂的光学性能随其晶型转变及粒子尺寸的变化而有着显著变化,与粗晶TiO₂相比,纳米TiO₂粒子在纳米尺度内,IR吸收边有明显红移和蓝移并存现象,而UV-VIS吸收边随粒子尺寸减小发生蓝移,表现出量子尺寸效应.     

管式扩散炉制备氮化硅薄膜

西方电气公司报导了制备氮化硅的新生产方法,即以标准的扩散炉为设备,用四氯化硅的氨分解法制备氮化硅。该公司已将这种方法制备的无定形氮化硅应用于梁式引线器件芯片的制造中。改用扩散炉来代替过去的外延高频炉,其目的是降低生产成本和提高产量。新的氮化硅淀积系统由以下几部分组成:具有一个石英管的双温区标准扩散炉、氮气源、瓶装氨、四氯化硅蒸发器。因为输运气体有相当大的容量,因此在输运气流进入工作炉(淀积炉)以前,先在预热炉进行预热,这样以减轻淀积炉的加热负担,使工作区有一恒温区分布。作为系统的安全措施,对氨气及四氯化硅蒸发器都装有排风罩。     

氮化硅膜的制备与性质

一、引言: 随着硅集成电路的迅速成发展,以及对器件的可靠性,移定性要求越来越高,人们普遍地认识到二氧化硅（SiO_2）虽然制备简单,但它毕竟不是完美的理想介质,因其在结构上多孔,介电常数低（ε=3.9）,对水具有强为来合力以及水和其他气体具有高的渗透性,特别是阻挡Na(+)离子渗入能力差,以致造成了器件不稳定性,从而发展氮化硅（Si_3N_4）工艺以补SiO_2介质的缺陷。     

PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究

氮化硅具有良好的介电特性(介电常数低、损耗低)、高绝缘性,高致密性的氮化硅对杂质离子有很好的阻挡能力.PECVD法工艺复杂,沉积过程的控制因素较多,沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响.在PECVD淀积过程中必须对多个参数进行控制,因此,优化沉积条件是十分重要的.