用土电爐代替高頻电爐对鍺之提純

(一)緒言: 制造晶体管的半导体材料要求純度极高,有时要求杂質浓度低至1/10~q,即十亿个原子中只允許一个杂質原子存在,否則将大大影响半导体材料的电学性質。故制取高純度半导体材料在半导体的研究及应用中是一項異常重要之工作。但制取如此高純度之半导体已非化学方法所能办到,必須采用物理提純法;其中对半导体鍺最为有效之方法称为区域熔     

用土电爐代替高频电爐对鍺之提纯

(一) 緒言: 制造晶体管的半导体材料要求純度极高,有时要求杂質浓度低至(10q/1),即十亿个原子中只允許一个杂質原子存在,否則将大大影响半导体材料的电学性質。故制取高純度半导体材料在半导体的研究及应用中是一項異常重要之工作。但制取如此高純度之半导体已非化学方法所能办到,必須采用物理提純法;其中对半导体锗最为有效之方法称为区域熔化法。所謂区域熔化法乃在一条锗錠之一端熔化一个小的区域用某种方法使此熔区慢慢地     

氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)

评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面.     

制作开关的掺锰的硅-钢合金

英国伦敦大学学院的一个研究组在硅和钢铁中掺杂了少量的锰,制备出一种既不是磁体又不是普通半导体的材料,这种新材料介于磁体和半导体之间。新材料的制备首次揭示了一种达到这种中间状态的简单配方,同时提出了一种在半导体设备中控制电流和磁力的新机制。     

制作形状的掺锰的硅－钢合金

英同伦敦大学学院的一个研究组在硅和钢铁中掺杂了少量的锰．制备出一种既不是磁体又不是普通半导体的材料．这种新材料介于磁体和半导体之间。新材料的制备首次揭示了一种达到这种中间状态的简单配方．同时提出了一种在半导体设备中控制电流和磁力的新机制．     

第三代半导体材料生长与器件应用的研究

着重论述了以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况。分析了目前常用的正在研究的几种衬底材料，介绍了制备SiC和GaN单晶的方法。分析了SiC和GaN器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向。总结了SiC和GaN器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素。分析了SiC和GaN器件的目前应用的未来的市场前景，指出了SiC和GaN材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向。     

涡电流检测仪的电路设计及仿真研究

许多单晶半导体材料的生长都使用了垂直Bridgman法，而在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难。为此，根据许多半导体材料的电导系数在固态与液态时相差很大的特性，设计了涡电流检测仪对界面进行检测。针对涡电流检测仪设计了两模拟测量电路，并用protel对它们进行了仿真比较。在截止频率相同的情况下，涡电流检测仪后采用二阶RC有源滤波器纹波较小，效果较好。     

化合物半导体PbTe单晶的制备及其特性

采用布里奇曼法合成了ＰｂＴｅ单晶,测试了其伏安特性、阻温特性、热电特性及光电导特性．实验发现,所合成的ＰｂＴｅ单晶是Ｐ型半导体,具有显著的温差电动势,对可见光灵敏度较高,是一种性能优良的热电材料．     

垂直Bridgman生长晶体界面的监测研究

单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法。在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难。该文探讨了根据许多半导体材料的电导率在固态与液态时相差很大这一特性来监测碲化镉晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,并经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置及形状的变化。     

直拉式单晶硅生长炉超导磁体研究

高集成度芯片发展使半导体行业对硅单晶材料提出尺寸与质量的要求。直拉法（Cz 法）可生成大尺寸硅单晶,但生长中产生热对流,边界层不稳定,晶体易生杂质。因磁场对导电熔体内对流有抑制效果,通过外加磁场可提高生成大尺寸晶体的品质。基于现有研究结果提出了一种用于单晶炉的瓦状结构超导磁体,确定线圈结构参数、导体类型、屏蔽体厚度及磁芯高度,使其满足大尺寸、高品质单晶硅生长所需的磁场强度（约 0.5T）及磁场位型,从而降低漏磁。借助数值分析优化超导磁体结构参数,有望为后续的 MCZ 硅单晶生长工艺参数提供参考。     

PZN-9PT单晶生长及电学性能研究

弛豫铁电单晶是目前电子材料研究的热点,而制备技术是解决该材料应用的关键.为了考察PZN-9PT晶体的生长形态、结构和性能,本文采用高温溶液法生长了PZN-9PT单晶,采用XRD表征了其相结构,采用相关电学性能测试方法表征了其介电、压电、电滞回线和机电耦合系数等电学性能.研究结果表明,采用高温溶液法可以制备出纯钙钛矿结构的PZN-9PT单晶,晶体呈淡黄色多面体形态,其三方-四方相转变温度为89℃,居里温度为175℃,[110]切型PZN-9PT单晶的压电常数为339 pC/N,矫顽场为8.7 kV/cm.     

晶体固液界面的涡电流冷态模拟监测研究

许多单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难.本文基于许多半导体材料的电导系数在固态与液态时相差很大这一特性来监测CdTe晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上设计了两个涡电流检测仪,提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置变化.     

自动拉制单晶新方案

本文是采取弹簧秤重法取单晶直径信号,这种取直径信号方法是我国到目前还没有,而且具有其他方法所没有的独特优点。文中较详细讨论了重量信号转变为实际直径信号,以及提出给定直径等几种方法。进而又提出利用这种取直径信号方法自动拉制单晶新方案,并对应用现代控制理论研究单晶炉自动化问题创造了较好条件。     

小直径金属线材单晶化技术原理及工艺

在系统研究单晶连铸的基础上，提出小直径线材单晶化技术，该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术，实现了“三个连续”，即送料连续、加热熔化连续、引锭连续．他能克服单晶连铸对所制备的单晶线材长度和直径的限制．理论和工艺实验结果表明，小直径线材单晶化技术满足制备单晶线材对固液界面的要求，可将直径较粗的多晶金属线材直接拉制成长度不受限制、直径较细的单晶金属线材，功率和连铸速度适当配合时，可在较大范围内获得表面光滑的单晶铜线材。     

微波法制备单晶金刚石的研究进展

人工合成金刚石的方法主要有高温高压法和化学气相沉积法两种.高温高压法制备的金刚石尺寸小,无法避免金属杂质使得制备的金刚石应用受到限制.在所有的化学气相沉积中,微波等离子体化学气相沉积法具有无放电污染,能量转换效率高,工艺参数易于调节等优点.用微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸、高速率、高质量的单晶金刚石受到广泛重视.介绍了微波等离子体化学气相沉积单晶金刚石的制备工艺,对提高金刚石生长速率,扩大金刚石单晶尺寸两个方面的研究进展进行了综述,并对单晶金刚石的前景进行了展望.     

ZnO/ZnSe核/壳纳米线结构的制备

ZnO和ZnSe都是重要的宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.一维ZnO和ZnSe纳米材料是目前半导体一维纳米材料研究领域的热点,又由于二者之间的能带差,如果构成异质结构将会使材料的电子传输特性发生改变,因而可以应用于光电等领域.本文用气相传输法制备了ZnO纳米线,然后用异丙基硒对样品进行处理,并对样品进行了SEM、TEM和HFTEM的表征,结果表明我们已经成功制备出了ZnO/ZnSe核/壳纳米线异质结构.     

新型钯纳米结构催化剂助光伏效率大幅提升

<正>中国科学技术大学的研究人员发明了一种新型金属钯纳米结构催化剂。其在光驱动有机加氢反应中具有高催化活性,同时具有较好的太阳能利用特性,可在室温光谱辐照下达到热反应70℃的催化转化效率。该项研究为利用太阳能替代热源驱动有机催化反应提供了可能。传统的利用太阳能驱动化学反应路径是基于半导体光催化技术实现的,但半导体材料对于很多有机反应来说,并不具有高催化活性及选择性。为了解决这一问题,研     

机械粉磨对岩土固化用无熟料胶凝材料性能的影响

利用稻壳灰、CFB脱硫灰、钢渣协同制备一种无熟料水硬性无机胶凝材料,可替代水泥用于岩土固化。为提高这种胶凝材料的活性及其他性能,研究经机械粉磨后胶凝材料的性能变化及其机理。结果表明：随着粉磨时间增加,胶凝材料的粒度分布曲线由多峰分布转变为单峰分布,标准稠度用水量减少,凝结时间缩短;水化诱导期的结束时间和第2放热峰出现时间明显提前,累积放热量增加;砂浆试件的早期抗压强度和自收缩显著增加;采用无熟料胶凝材料制备流态固化土,其初始流动扩展度随粉磨时间增加而增加,经时损失加快;机械粉磨对固化土的早期强度影响不显著,后期强度则呈现先增加后降低的趋势。采用该无熟料胶凝材料制备流态固化土,能满足一般回填工程的强度要求。     

高折射率环氧树脂的研究进展

高折射率环氧光学树脂设计制备方法主要包括三类:通过有机或无机化合物在环氧光学树脂中引入硫、卤素等高折光指数原子;在环氧光学树脂中引入芳环等高折光指数化学基团;由两种或两种以上的环氧树脂混合固化来制备复合型环氧光学树脂.现有的环氧光学树脂具有收缩率低、化学性质稳定、尺寸稳定性高等优点,但耐候性差,在紫外光的照射下会发黄降解,韧性差而易断裂,硬度不佳在树脂表面易产生划痕等缺点制约了其在更先进领域的应用.制约环氧光学树脂发展的主要因素为材料结构与性能之间的关系不够明确,制备方法不够经济环保以及过于关注材料的折光指数而对其他性能研究较少.进一步明确材料结构与性能之间的关系,在保证高折射率的前提下,平衡材料的其他光学和力学性能是未来研究的重点.     

核辐射探测器用溴化铊材料的真空蒸馏提纯及其单晶特性研究

报道了溴化铊多晶材料的真空蒸馏提纯工艺对溴化铊(TlBr)单晶性能的影响。先以硝酸铊(TlNO3)和氢溴酸(HBr)为原料,采用化学共沉淀法合成了TlBr多晶粉体,然后采用真空蒸馏法(VD)在不同的温度(520~640℃)下对TlBr多晶粉体进行提纯,用电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)研究不同的提纯温度对多晶粉体纯度及杂质含量的影响。接着选用纯度较高的TlBr多晶粉体采用垂直布里奇曼法生长了直径为8 mm的TlBr单晶。ICP-MS测试结果表明,真空蒸馏提纯后,TlBr多晶粉体杂质含量均减小一个数量级;单晶的X射线衍射(XRD)测试表明,生长出的TlBr单晶其主要生长方向为[110];晶体的电阻率提高1个数量级以上,达到109W.cm,光学特性也明显改善,适合于探测器的制备。