IGCT电学模型的建立与验证

在电力电子电路设计中,由于缺乏集成门极换流晶闸管(IGCT)的电学模型而使其应用受到限制,现有电路仿真都用二极管替代IGCT的门阴极,这样不能准确地描述IGCT的器件特性。文中根据IGCT的结构特点和工作原理,建立一种适用于电路仿真的IGCT等效电学模型,采用PSPICE软件分析了IGCT的开关特性,将仿真波形与实测波形、器件仿真波形进行比较,主要特性参数与IGCT手册中的数据进行比较。结果表明该模型适用于IGCT驱动电路设计与简单系统的仿真研究。     

基于电荷控制的反激单级功率因数校正变换器的仿真

描述了基于电荷控制的反激单级功率因数校正变换器的特性及其小信号模型。借助Mathcad和Saber软件，分析了系统的频域及时域特性。实验结果表明此变换器具有较好的应用前景。     

高压大功率IGCT三电平变流器的研究与试验

新型电力电子器件IGCT以其独特的工作特性广泛应用于高压大功率三电平变流器中，经过对国外众多三电平变流器产品的结构分析，以及对IGCT元件和三电平变流器系统的仿真试验，设计出高压大功率IGCT三电平变流器。通过大量测试试验，证明此变流器符合设计指标，并且性能优越。     

采用IGCT电压型逆变器的高压变频器仿真研究

集成门极换向型晶闸管(IGCT)的优良性能使其适合于实现高—高方式的高压变频调速装置。本文主要应用IGCT中点箝位电压型逆变器的高压变频器进行了仿真研究,搭建了IGCT子电路模型,装置采用IGCT作为电子开关的硬开关的变流器中,换流回路的总电感应尽可能地小,结构尽可能地紧凑,降低杂散电感。仿真结果可以看出安装Rc关断吸收回路后对于抑制关断时IGCT的端部过电压效果显著,IGCT端部最大峰值电压降低了39%,进而增强了设备的安全性与可靠性,并且所安装的RC额定值小,体积小,成本低,这种高压变频器具有很好的性能及可靠性。     

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

从载流子在MOS结构反型层内的分布出发,利用表面有效态密度(SLEDOS：SurfaceLayer Effeotive Density-of-States)的概念,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型.该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响,采用了一种新的高效的迭代方法,具有较高的计算效率和足够的精度要求.     

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,采用了一种新的高效的迭代方法 ,具有较高的计算效率和足够的精度要求     

电荷放大器的仿真应用

本文应用EDA仿真技术,对电路进行仿真分析,并用分析结果指导整个设计工作,从而进一步改进电路性能。     

基于电荷控制的单级功率因数校正变换器的拓扑研究

文章分析了常用Boost型和Buck-Boost型的单级功率因数校正拓扑的工作原理及其优缺点,在此基础上提出了基于电荷控制的单级功率因数校正电路拓扑,并详述了其拓扑工作过程,以及在实际应用中的优点。     

控制工艺诱导电荷提高生产力

工艺诱导电荷所产生的缺陷正在成为造成下一代器件良率损失的问题,促使晶圆加工过程中需要更加严格的工艺控制。     

基于电荷控制压电陶瓷驱动方法的研究进展

压电陶瓷驱动器在电场作用下将产生迟滞和蠕变。从而降低其定位精度。采用电荷控制可以减小位移迟滞和蠕变。该文从电流源电荷反馈和电压源电荷反馈两个角度，总结国内外各种电荷控制方案，进而提出应该优先选用电流源驱动压电陶瓷，并根据应用场合不同选择相应电荷控制方法的结论。     

集成门极换流晶闸管IGCT

IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中。文中结合IGBT的结构特点，阐述了其优于IGCT、GTO器件的技术特性，给出了由IGCT器件构成的中压变频器的应用电路和技术特点。     

高压LDMOS晶体管宏模型及栅电荷建模方法

针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足,提出一种LDMOS宏模型。在本研究中,借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真,并对2种LDMOS器件模型下的CV结果进行对比,验证了宏模型对LDMOS器件模拟的准确性。最后,提出利用栅电荷曲线来进一步修正模型参数的新方法,并通过仿真获得更精确的LDMOS器件模型。该宏模型及栅电荷建模方法对于高压功率集成电路设计及仿真有重要意义。     

基于电荷控制的ZVS移相全桥变换器的建模

文中介绍了一种电流型单周期控制方法——电荷控制法。通过对开关电流的控制,使其在一个周期内达到期望值。利用平均开关模型推导出ZVS移相全桥小信号电路模型。通过该信号模型可以很好地对电路参数进行预测,能够缩短PSPICE软件的仿真时间。仿真结果证明有不错的期望效果。     

一种新型的蓄电池充放电综合控制设备

提出一种新型基于Motorola公司MC68HC908SR12单片机控制的蓄电池充放电综合控制设备的设计方案。重点阐述该综合控制设备的电源电路、充电控制单元、放电控制单元、温度检测电路、人机接口单元、中央控制单元和FPGA辅助控制单元的结构及原理,提出该综合控制设备的软件设计流程。结果表明该综合控制设备可提高串联电池组工作效率、延长其使用寿命、军事应用环境中性能可靠,在军民两用方面具有广泛的应用前景。     

增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型

基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。     

基于电荷控制方式的CCM反激PFC电路的设计

介绍了电荷控制方式的CCM反激PFC电路的工作原理，研究了它的一些基本特性。并给出了电路设计步骤，试制了一台200W样机。实验结果表明该电路方案简单、成本低、输入功率因数高，适用于中小功率，具有良好的应用前景。     

双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型

利用泊松方程以及异质结能带理论 ,通过费米能级 -二维电子气浓度的线性近似 ,推导了基于双异质结双平面掺杂的 HEMT器件的电荷控制模型 .计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度 ,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系 .该模型为优化和预测双平面掺杂 HEMT器件性能提供了一个有效手段     

新型多功能玻璃配料微机控制系统的功能设计

本文介绍一种用于玻璃配合料制备生产过程控制的微机控制系统的结构及组成，并较详细地介绍了系统的功能设计。实用证明，该系统结构简单合理，功能完善，使用维护方便，性能价格比较高。