Bi_2Se_3-Sb_2Se_3纳米复合材料的水热制备与表征

采用水热法制备Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料。以X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),电子分析天平为表征手段,分别研究有机溶剂、pH值、水热时间对Bi2Se3-Sb2Se3纳米粉体结构、形貌、成分的影响。结果表明:水热24h,以丙三醇为有机溶剂,在pH=9时制备的Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料结晶性好、大小均匀、分散性好。     

单晶AlN纳米线的合成和光致发光特性研究

在无催化剂和模板条件。利用直流电孤放电等离子方法直接氮化金属铝合成纤锌矿结构的单晶AIN纳米线．分别用X光射线衍射（XRD）和场发射扫描电镜（FESEM）对AIN纳米线的结构和形貌进行表征,并测量了AIN纳米线的光致发光谱（PL）．结果表明,A1N纳米线的长度超过100μm,直径大约200nm,具有较高的长径比;在AIN纳米线的PL谱中,中心在506nm的发射带源于氮空位相关的深能级缺陷．     

单晶氮化硅纳米线的合成制备与光致发光性能研究

本文采用氮气保护高能球磨及硅粉直接氮化工艺制备高纯、单晶氮化硅纳米线。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和激光共聚焦显微拉曼光谱仪对实验产物的物相结构、微观结构及光学性能进行分析。在室温下使用325nm激光对样品进行激发,观察到样品具有较宽的发射光谱,波长范围为350~670nm;发光光谱中存在三个由缺陷跃迁引起的发光峰。     

SrAl2O4:Eu2+,Dy3+光致发光釉的研究

利用SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 长余辉光致发光粉体，在陶瓷坯体上制备了釉面平整光滑的长余辉光致发光釉；通过比较SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 粉体和光致发光釉的激光光谱和发光光谱以及结构分析表明，该发光釉保持了SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 发光材料的发光特性，其发射峰是中心位于520nm的宽带光谱；研究了釉料不同组成对发光釉性能的影响及SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 粉体的不同含量对光致发光釉发光亮度和余辉时间的影响，获得了釉面发光亮度高、余辉时间长的最佳配方。     

水热法制备Sb_2Se_3纳米晶

以酒石酸锑钾(K(SbO)C4H4O6.1/2H2O)和硒粉作为锑源和硒源,自制的2-十一烷基-1-二硫脲乙基咪唑啉季铵盐(SUDEI)为表面活性剂,150℃水热反应24 h,得到不同形貌的Sb2Se3纳米晶。通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)对Sb2Se3纳米晶进行了表征。讨论了反应条件对Sb2Se3纳米晶形貌的影响。     

纳米ZnWO4的水热合成及其光致发光性能研究

采用廉价的无机盐为前驱体,在非离子性表面活性剂PEG-20000存在下采用水热法制备出不同纳米结构的ZnWO4：利用XRD和SEM对其组成、形貌和结构进行了表征,详细考察了影响形貌的因素（比如表面活性剂的用量,反应体系的pH值）：随着表面活性剂用量的增加,产物的形貌从棒状逐渐转变成胎状;随着pH值的增加,产物的组成从ZnWO4转变成ZnO。也就是说,pH值对ZnWO4的形成起到非常重要的作用,纳米ZnWO4结构的形成是由于表面活性剂浓度的增加而引起的PEO和Zn^2＋配位状态的改变。同时研究了ZnWO4和ZnO的光致发光性能：不同形貌的ZnWO4都在激发波长为253nm时,在506nm处仅出现一个绿色峰;当激发波长为262nm时,ZnO的峰出现在396nm和510nm处。     

YbBi2单晶的磁化特性研究

研究了ＹｂＢｉ２单晶磁化强度和温度的关系以及ＹｂＢｉ２单晶在２Ｋ时的磁化特性,实现发现ＹｂＢｉ２单晶在２Ｋ以上没有表现出超导电性;在１．５Ｋ以上ＹｂＢｉ２单晶是一种顺磁质;它在５５Ｋ左右发生了明显的相变。     

ZnSe单晶气相生长输运剂Zn(NH_4)_2Cl_4的制备工艺研究

为了获得高质量的ZnSe单晶气相生长输运剂Zn(NH4)2Cl4,采用3种工艺因素和4个水平的16组正交试验设计方法对Zn(NH4)2Cl4输运剂的工艺过程进行了设计和分析研究.通过观察不同工艺下的结晶形貌,进行了物相和热重分析.研究结果表明:最合理的工艺因素为ZnCl2和NH4Cl的摩尔比为1∶1,烘干温度为130℃,结晶条件为室温静置.Zn(NH4)2Cl4的热分解过程分为3步完成,产物是ZnCl2.     

ZnWO_4单晶生长及其掺杂改性的研究

介绍钨酸锌单晶的生长及掺杂各种氧化物对晶体性能的影响,并对ZnWO_4:Mg,ZnWO_4:Cd,ZnWO_4:Sb,ZnWO_4:Ti,ZnWO_4:Ge,ZnWO_4:Ce晶体的发光效率进行了测定。结果表明,如果其吸收限移向高能端,相应的发光效率有所增加。     

SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉光致发光陶瓷的制备及其发光性能的研究

用SrCO3、Al2O3、Eu2O3和Dy2O3烧制SrAl2O4：Eu^2 ，Dy^3 长余辉光致发光陶瓷，其烧结温度为1300℃--1400℃，烧结时间为3小时。H3BO3作为助溶剂，掺入量为3-5％，可有效降低烧结温度。X-射线衍射分析表明SrAl2O4：Eu^2 ，Dy^3 发光陶瓷的晶体结构为SrAl2O4单斜晶系晶体结构，晶格常数为a=8．4424A，b=8．822A，c=5．1607A。激发光谱和发光光谱分析表明：发光光谱是峰值位于520nm的宽带谱，激发光谱是位于240nm-80nm之间的连续宽带谱，表明SrAl2O4：Eu^2 ，Dy^3 发光陶瓷由紫外光至可见光均可有效地激发而发光。     

Eu掺杂TiO_2纳米晶光致发光影响因素

为了寻找Ti O2∶Eu3+纳米晶的最佳制备工艺条件,采用溶胶-凝胶法制备了Ti O2∶Eu3+纳米晶,研究了Eu3+掺杂浓度、退火温度、Al3+的掺入等工艺参数对Ti O2∶Eu3+纳米晶发射光谱的影响.利用PL、PLE对样品进行了表征.结果表明用468 nm激发光源激发Ti O2∶Eu3+纳米晶时,样品显示出强红光发射,对应于Eu3+粒子的5D0→7F2超灵敏跃迁;且荧光强度随着Eu3+掺杂浓度和退火温度的升高先增强后减弱;700℃退火的样品红光发射强度达到最强,Eu3+的最佳掺杂浓度为0.8%mol;Al3+的掺入可以提高Eu3+的红光发射强度,采用钛酸正四丁脂∶异丙醇∶冰乙酸∶水=1∶4∶4∶2制备出的Ti O2:Eu3+纳米晶的红光发射光谱最强.     

CVD制备Bi_2Se_3纳米片薄膜及热电性能研究

采用化学气相沉积法(CVD)在云母基片上制备了由高结晶度的纳米片组成的Bi_2Se_3薄膜。系统研究了基片不同温区、沉积时间及补偿Se对薄膜结构、形貌及热电性能的影响。研究结果表明,在加热温度为520℃、加热时间为30min条件下制备出了由三角形纳米片组成的Bi_2Se_3薄膜,纳米片边长为10μm,薄膜厚度为1.25μm。在室温时,Bi_2Se_3薄膜的电导率为0.9S/cm,seebeck系数为-77.8μV/K。     

聚丙烯薄膜的光致发光

用紫外-可见分光光度计和光致发光测量装置测量了聚丙烯薄膜在氙灯辐照下的光致发光强度、发光光谱和吸收光谱,研究了聚丙烯薄膜的光致发光性能.结果表明:聚丙烯薄膜的光致发光强度随测量时间呈指数衰减,发光光谱在323.8 nm、395.6 nm、514.2 nm、561.8 nm、609.4 nm、680.7 nm和752.2 nm附近存在峰带,其中752.2 nm附近的峰带相对较强.辐照时间增加,发光峰强减弱,发光强度衰减变快,发光峰带向长波方向移动.吸收度随辐照时间的增长呈增色效应,吸收带的最大吸收波长发生红移,由吸收边算得其光能隙约为4.21 eV.     

ZnWO4单晶衬底制备ZnO薄膜的发光性能

以Zn(CH_3COO)_2·2H_2O为反应的前驱体,采用溶胶一凝胶法在ZnWO_4单晶衬底上制备出了具有良好光学特性的ZnO薄膜．通过理论计算和实验论证分析了ZnWO_4单晶作为制备ZnO薄膜的衬底材料的可行性．结果表明,ZnWO_4晶体的a晶面与ZnO晶体的c晶面晶格匹配很好,最佳方位晶格失配率只有0．83％,是制备ZnO薄膜的优良衬底．用波长325 nm光激发,薄膜在396 nm有较强的荧光发射．     

Mn2+在Cd2B6O11中光致发光的研究

用高温固相法合成了以六硼酸镉为基质，Mn^2 为激活剂的光致发光材料，对样品进行的荧光光谱分析结果表明，此发光材料的主激发峰位于368nm，来自Mn^2 的^6A1-^4E(^4D)跃迁吸收，主发射峰位于620nm，来自Mb^2 的^4T1(^4G)-^6A1(^6S）跃迁发射，同时对样品进行了X衍射测试，并用扫描电镜观察了晶体外貌。     

用布里渊散射法测量Li_2B_4O_7单晶的弹性系数和压电系数

首先简单叙述了用布里渊散射(Brillouin Scattering)测量晶体的弹性系数和压电系数的方法,并测得了国内首次生长出来的无芯Li_2B_4O_7单晶的全部弹性系数和压电系数,同时指出,该晶体在(100)晶面内声波传播沿[0,0,1]方向最慢,为5164m/s;沿[0,3~(1/2)/2,1/2]方向最快,为7505m/s,沿[1,0,0]和[0,1,0]方向声波传播速度为7087m/s。     

Cu_2O单晶中铜颗粒的作用

提出了晶体中存在着析出的铜颗粒，且铜与Ｃｕ＿２Ｏ间的接触面处形成Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒的模型．在此基础上解释了Ｃｕ＿２Ｏ单晶样品的光学和电学特性之间的似乎矛盾的关系。     

Cu2O单晶中铜颗粒的作用

提出了晶体中存在着析出的铜颗粒，且铜与Ｃｕ２Ｏ间的接触面处形成Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒的模型，在此基础上解释了Ｃｕ２Ｏ单晶样品的光学和电学特性之间的似乎矛盾的关系。     

YbBi2单晶的合成及导电特性研究

本文主要研究了ＹｂＢｉ２单晶的合成和电阻温度特性。实验发现ＹｂＢｉ２单晶具有金属特性；在１．８Ｋ以上没有表现出超导电性；其净电阻率之比高达３８０；电阻温度特性曲线表明：ＹｂＢｉ２单晶在５５Ｋ左右发生了明显的相变。     

聚酰亚胺薄膜的光致发光研究

用光致发光测量装置和紫外—可见分光光度计测量了聚酰亚胺薄膜的发光强度、发光光谱和吸收光谱,研究了聚酰亚胺的光致发光性能.结果表明：聚酰亚胺的光致发光强度随测量时间呈指数衰减规律,发光光谱由荧光区、磷光区和红光及红外三个区域组成,其中700 nm附近的峰带相对较强.辐照时间增加,发光强度衰减减慢,发光峰带向长波方向移动.吸收带的最大吸收波长发生红移,由吸收边算得其光能隙约为2.76 eV.